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pmos基礎(chǔ)知識(shí)-pmos導(dǎo)通條件解析-pmos型號(hào)選型大全
  • 發(fā)布時(shí)間:2019-07-29 16:34:25
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PMOS晶體管
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分成N溝道與P溝道兩個(gè)大類,P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有2個(gè)P+區(qū),各自稱為源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時(shí),柵極下的N型硅表層呈現(xiàn)P型反型層,變成連接源極和漏極的溝道。更改柵壓能夠更改溝道中的電子密度,進(jìn)而更改溝道的電阻。這類MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。假如N型硅襯底表層不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道,加上適度的偏壓,可致溝道的電阻增大或減少。這種的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。通稱為PMOS晶體管。
pmos型號(hào)選型大全
P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因此在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相同的情況下,PMOS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。除此之外,P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對(duì)值通常偏高,要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大,充電放電過程長(zhǎng),因之器件跨導(dǎo)小,因此工作速度更低,在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導(dǎo)體集成電路)出現(xiàn)過后,大部分已經(jīng)為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡(jiǎn)單,價(jià)格低,一些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。
PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。如圖5所示的CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式,一般CMOS的電源電壓選擇在10~12V就能滿足PMOS對(duì)輸入電平的要求。
PMOS導(dǎo)通條件
P溝道m(xù)os管作為開關(guān),柵源的閥值為-0.4V,當(dāng)柵源的電壓差為-0.4V就會(huì)使DS導(dǎo)通,如果S為2.8V,G為1.8V,那么GS=-1V,mos管導(dǎo)通,D為2.8V
如果S為2.8V,G為2.8V,VGSw
那么mos管不導(dǎo)通,D為0V,
所以,如果2.8V連接到S,要mos管導(dǎo)通為系統(tǒng)供電,系統(tǒng)連接到D,利用G控制。
那么和G相連的GPIO高電平要2.8-0.4=2.4V以上,才能使mos管關(guān)斷,低電平使mos管導(dǎo)通。
如果控制G的GPIO的電壓區(qū)域?yàn)?.8V,那么GPIO高電平的時(shí)候?yàn)?.8V,GS為1.8-2.8=-1V,mos管導(dǎo)通,不能夠關(guān)斷。
GPIO為低電平的時(shí)候,假如0.1V,那么GS為0.1-2.8=-2.7V,mos管導(dǎo)通。這種情況下GPIO就不能夠控制mos管的導(dǎo)通和關(guān)閉。
當(dāng)柵源的電壓差為-0.4V就會(huì)使DS導(dǎo)通,如果S為5V,G為4V,那么GS=-1V,mos管導(dǎo)通,D為5V
PMOS管型號(hào)選型
Part Numbe ID(A) VDSS(V) RDS(ON)(Ω)
23P10A -23 -100 0.95
35P10A -35 -100 0.055
8610A -35 -100 0.055
2301 -2.8 -20 0.12
2305 -3.5 -20 0.055
3401 -4 -30 0.06
3407 -4.1 -30 0.06
3409 -2.6 -30 0.13
3415 -4 -16 0.045
3423 -2 -20 0.092
4953 -5.3 -30 0.063
9435 -5.3 -30 0.06
7P03A -7.5 -30 0.018
4435 -10.5 -30 0.018
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