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  • cool mos是什么-作用與散熱措施的方法詳解
    • 發(fā)布時間:2019-08-01 14:38:33
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    COOLMOS
    近來,LLC拓撲以其高效,高功率密度遭到廣闊電源規(guī)劃工程師的喜愛,可是這種軟開關(guān)拓撲對MOSFET的要求卻超過了以往任何一種硬開關(guān)拓撲。特別是在電源啟機,動態(tài)負載,過載,短路等情況下。CoolMOS 以其快恢復(fù)二極管,低Qg 和Coss能夠完全滿意這些需求并大大提高電源體系的可靠性。
    cool mos
    長期以來,提高電源體系功率密度,功率以及體系的可靠性一直是研制人員面對的重要課題。提高電源的開關(guān)頻率是其間的辦法之一,可是頻率的提高會影響到功率器材的開關(guān)損耗,使得提高頻率對硬開關(guān)拓撲來說效果并不十分顯著,硬開關(guān)拓撲現(xiàn)已達到了它的規(guī)劃瓶頸。
    1、Coolmos選型
    一般選擇一顆MOS大致看以下幾個參數(shù)BVIdRdsVthQgPd等。可是這幾個參數(shù),只要Qg和Id是交流參數(shù),其他都是靜態(tài)參數(shù)。而半導(dǎo)體這東西就是隨溫升變壞的。那動態(tài)參數(shù),其實是變壞的。25度的電流是100A,或許125度的時分,電流只要50A,所以選型的時分要以高溫下(老化房)的數(shù)據(jù)為準。那選好了電壓、電流,剩余就是看Coolmos的損耗了。Coolmos在外表的是Rdson較低,只要平面管的1/3或者1/4,那MOS的導(dǎo)通損耗必定較之平面管要低不少。MOS的別的一個損耗,開關(guān)損耗其實往往愈加占主導(dǎo)。開關(guān)損耗在MOS里最直接表現(xiàn)的數(shù)值是Trr。這也是Coolmos最中心的參數(shù)。從coolmos的開展來看C3C6CPCFDCFD2都是在Trr上下功夫(C6在外,他是C3的Costdown)。你是電源規(guī)劃者,Trr的合理運用,你比我清楚。Coolmos在實踐使用中,MOS前段的Rg驅(qū)動,一般對電阻要求會低許多。這也能下降損耗。舉個比如,20N60C3MOS前段的驅(qū)動電阻一般可做到15mohm以下,可是也不是越低越好,開關(guān)越高,EMI的問題就出來了。所以驅(qū)動電阻的選擇要綜合考慮,在EMI允許的情況下,盡量下降驅(qū)動電阻。
    2.Coolmos選用散熱辦法
    只能說要看功率,舉個比如,150W的LED電源上,你覺得能夠不加散熱嘛?15W的LED電源上,加散熱裝置,那有當?shù)孛?Coolmos,在使用端,處理了有的電源計劃需求電子器材更小的體積,甚至是去掉散熱片(如Iphone的充電器),而大功率上垂青Coolmos的仍是他能下降損耗,所以散熱片是一定要加的。
    3.Coolmos使用
    現(xiàn)在在國內(nèi)使用仍是十分片面的,任重而道遠。舉個比如,在一個70W的筆記本適配器上,許多仍是用的20A的平面管(或者是16A),可是我們知道實踐電路里的有用電流其實很小,用20A僅僅垂青他的低內(nèi)阻,下降損耗,下降溫升。如果運用Coolmos,以為還需求16A的,那平等電流,價格必定不可比的。其實呢,Coolmos10A滿足去代替了。開關(guān)損耗,Coolmos要較平面管低許多,內(nèi)阻的話Coolmos的10A較之16A的平面也不會高多少,在高溫下,根本內(nèi)阻是共同的。(有機會發(fā)個試驗數(shù)據(jù),16A的平面管和10A的Coolmos在100度下,內(nèi)阻是相差不多的條件,帶負載,表現(xiàn)開關(guān)損耗低的特色)。
    4.總結(jié)
    MOS在開展,損耗會越來越低。電源計劃只會像更高功率和更小體積開展。
    Coolmos的主旨是尋求:開關(guān)最低損耗。在Coolmos上,是經(jīng)過P柱,構(gòu)成更大的PN結(jié),然后下降Rds。可是就好像你講的,Coolmos,下降了Rds,所以他的EAS才能較之平面管要低,這也對電源規(guī)劃者提出了更高的要求。可是我們都知道,能用得起Coolmos的電源,根本稱之為高級電源,那計劃的規(guī)劃必定是精雕細鏤的。
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