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  • mos管規(guī)格書參數(shù)-MOS管規(guī)格書各個MOS參數(shù)
    • 發(fā)布時間:2019-08-19 14:23:59
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    mos管規(guī)格書參數(shù)詳解
    mos管規(guī)格書參數(shù)詳解之讀懂每一個mos管參數(shù)
    在了解mos管規(guī)格書參數(shù)詳解之前,先來看看mos管的每一個參數(shù)代表什么及說明,mos管除了G、S、D引腳和N溝道m(xù)os管和P溝道m(xù)os管之外還有很多具體的參數(shù),每個詳細(xì)參數(shù)如下:
    mos管規(guī)格書參數(shù)
    Rds(on)----------DS的導(dǎo)通電阻.當(dāng)Vgs=10V時,MOS的DS之間的電阻
    Id------------------最大DS電流.會隨溫度的升高而降低
    Vgs----------------最大GS電壓.一般為:-40V~+40V
    Idm---------------最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低,體現(xiàn)一個抗沖擊能力,跟脈沖時間也有關(guān)系
    Pd-----------------最大耗散功率
    Tj------------------最大工作結(jié)溫,通常為150度和175度
    Tstg---------------最大存儲溫度
    Iar-----------------雪崩電流
    Ear---------------重復(fù)雪崩擊穿能量
    Eas---------------單次脈沖雪崩擊穿能量
    BVdss------------DS擊穿電壓
    Idss---------------飽和DS電流,uA級的電流
    Igss---------------GS驅(qū)動電流,nA級的電流.
    gfs----------------跨導(dǎo)
    Qg----------------G總充電電量
    Qgs--------------GS充電電量
    Qgd-------------GD充電電量
    Td(on)---------導(dǎo)通延遲時間,從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時間
    Tr----------------上升時間,輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時間
    Td(off)----------關(guān)斷延遲時間,輸入電壓下降到 90% 開始到 VDS 上升到其關(guān)斷電壓時 10% 的時間
    Tf-----------------下降時間,輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時間
    Ciss---------------輸入電容,Ciss=Cgd + Cgs.
    Coss--------------輸出電容,Coss=Cds +Cgd.
    Crss---------------反向傳輸電容,Crss=Cgc.
    mos管規(guī)格書參數(shù)
    mos管規(guī)格書參數(shù)詳解說明
    (一)
    mos管規(guī)格書參數(shù)
    說明:MOS管漏極和源極最大耐壓值。
    測試條件:在Vgs=0V,柵極和源極不給電壓。
    影響:超過的話會讓MOSFET損壞。
    (二)
    mos管規(guī)格書參數(shù)
    說明:ID的漏電流。
    測試條件:在Vgs=0V,在漏極和源極兩端給48V的電壓。
    影響:漏電流越大功耗越大。
    (三)
    mos管規(guī)格書參數(shù)
    說明:柵極漏電流
    測試條件:在Vgs=+-20V,在漏極和源極兩端不給電壓。
    (四)
    mos管規(guī)格書參數(shù)
    說明:開啟電壓
    測試條件:在Vgs=Vds,在漏極和源極兩端電流控制在250uA。
    影響:低于參考值可能出現(xiàn)不導(dǎo)通現(xiàn)象,設(shè)計時需要考慮范圍值。
    (五)
    mos管規(guī)格書參數(shù)
    說明:完全開啟,漏極和源極兩端最大過電流30A,
    測試條件:在Vgs=Vds,在漏極和源極兩端電流控制在250uA。
    影響:低于參考值可能出現(xiàn)不導(dǎo)通現(xiàn)象,設(shè)計時需要考慮范圍值。
    (六)
    mos管規(guī)格書參數(shù)
    說明:導(dǎo)通時,Vds的內(nèi)阻
    測試條件:在Vgs=10V,通過12A的電流;Vgs=4.5V,通過6A的電流,在漏極和源極兩端的內(nèi)阻。
    影響:內(nèi)阻越小,MOS過的電流越大,相同電流下,功耗越小。
    (七)
    mos管規(guī)格書參數(shù)
    說明:跨導(dǎo)的單位是A/V。是源極電流Id比上柵極電壓Vgs,是柵極電壓對源極電流的控制作用大小,
    跨導(dǎo):
    線性壓控電流源的性質(zhì)可表示為方程 I=gV ,其中g(shù)是常數(shù)系數(shù)。系數(shù)g稱作跨導(dǎo)(或轉(zhuǎn)移電導(dǎo)),具有與電導(dǎo)相同的單位。 這個電路單元通常指放大器。
    在MOS管中,跨導(dǎo)的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。在轉(zhuǎn)移特性曲線上,跨導(dǎo)為曲線的斜率。
    (八)
    mos管規(guī)格書參數(shù)
    說明:MOS管體二極管的正向?qū)▔航?/div>
    測試條件:在VGS=0V,體二極管正向通過1A的電流。
    (九)
    mos管規(guī)格書參數(shù)
    說明:體二極管可承受最大連續(xù)續(xù)電流
    測試條件:
    影響:如果偏小,在設(shè)計降額不充裕的系統(tǒng)中或在測試OCP,OLP(逐周期電流限制保護(hù)(OCP),限制最大輸出電流;過載保護(hù)(OLP),限制最大輸出功率;的過程中會引起電流擊穿的風(fēng)險
    (十)
    mos管規(guī)格書參數(shù)
    說明:
    Ciss=Cgs+Cgd 輸入電容
    Coss=Cds+Cgd 輸出電容
    Crss=Cgd(米勒電容)
    影響:Ciss:影響到MOS管的開關(guān)時間,Ciss越大,同樣驅(qū)動能力下,開通和關(guān)斷時間就越慢,開關(guān)損壞也就越大。較慢的開關(guān)速度對應(yīng)會帶來較好的EMI
    Coss和Crss:這兩項參數(shù)對MOSFET關(guān)斷時間略有影響,其中Cgd會影響到漏極有異常高電壓時,傳輸?shù)組OSFET柵極電壓能力的大小,對雷擊測試項目有一點的影響。
    (十一)
    mos管規(guī)格書參數(shù)
    說明:    
    Qg:柵極總充電電量
    Qgs:柵極充電電量
    Qgd:柵極充電電量
    tD(on):漏源導(dǎo)通延遲時間
    tr:漏源電路上升時間
    tD(off):漏源關(guān)斷延遲時間
    tf:漏源電路下降時間
    影響:參數(shù)與時間相互關(guān)聯(lián)的參數(shù),開關(guān)速度越快對應(yīng)的優(yōu)點是開關(guān)損耗越小,效率高,溫升低,對應(yīng)的缺點是EMI特性差,MOSFET關(guān)斷尖峰過高。
    mos管規(guī)格書參數(shù)詳解-MOS管發(fā)熱分析
    1.電路設(shè)計的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關(guān),G級電壓要比電源高幾V,才能完全導(dǎo)通,P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計電路的最忌諱的錯誤。
    2.頻率太高,主要是有時過分追求體積,導(dǎo)致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發(fā)熱也加大了。
    3.沒有做好足夠的散熱設(shè)計,電流太高,MOS管標(biāo)稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于最大電流,也可能發(fā)熱嚴(yán)重,需要足夠的輔助散熱片。
    4.MOS管的選型有誤,對功率判斷有誤,MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮,導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。
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