1．MOS管低頻小信號模型
因?yàn)樵谠S多模仿電路中，MOS管被偏置在飽滿區(qū)，所以主要推導(dǎo)出在飽滿區(qū)的小信號模型。所謂小信號是指對偏置的影響十分小的信號，關(guān)于MOS管而言，其小信號是相關(guān)于過驅(qū)動電壓( VGS -Vth)[而言的（這將在第2章中進(jìn)行解說）。
由前面的剖析可知：在飽滿區(qū)時MOS管的漏極電流足柵／源電壓的函數(shù)，可引入一個壓控電流源來表明，其電流值為gmVGS，且因?yàn)闁牛粗g的低頻阻抗很高，因而可得到一個抱負(fù)的MOS管的小信號模型，如圖1.16 (a)所示。
MOS管低頻小信號模型
實(shí)踐的模仿集成電路中MOS管存在著二階效應(yīng)：溝道調(diào)制效應(yīng)、襯底偏置效應(yīng)等，因而有必要考慮二階效應(yīng)時MOS管的小信號等效模型。
因?yàn)闇系勒{(diào)制效應(yīng)等效于漏／源之間存在的電阻ro;而襯底偏置效應(yīng)則體現(xiàn)為背柵效應(yīng)，即可用漏／源之間的等效壓控電流源gmbVBS表明，因而MOS管在飽滿區(qū)的小信號等效模型如圖1.16 (b)所示。
圖1.16所示的等效電路是最基本的，依據(jù)MOS管在電路中不同的接法能夠進(jìn)一步簡化。
2.MOS管高頻小信號等效電路
在高頻應(yīng)用時，MOS管的分布電容就不能疏忽，即在考慮高頻溝通小信號作業(yè)時有必要考慮MOS管的分布電容對電路功能的影響，所以MOS管的高頻小信號等效電路能夠在其低頻小信號等效電路的基礎(chǔ)上參加MOS管的極間電容完成，如圖1.17所示。
因?yàn)樵诓煌鳂I(yè)狀況（截止、飽滿、線性）時MOS管的分布電容值不同，因而若進(jìn)行詳細(xì)的核算比較困難，但能夠經(jīng)過軟件模仿進(jìn)行剖析。
另外，在高頻電路中有必要注意其作業(yè)頻率受MOS管的最高作業(yè)頻率的約束（即電路的工作頻率，如高于MOS管的最高作業(yè)頻率時，電路不能正常工作）。
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