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  • 場效應(yīng)晶體管和雙極性晶體管的關(guān)系與區(qū)別
    • 發(fā)布時(shí)間:2020-01-04 14:14:46
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    場效應(yīng)晶體管和雙極性晶體管的關(guān)系與區(qū)別
    場效應(yīng)管不等于MOS管,MOS管只是場效應(yīng)管的一種;而場效應(yīng)管只是晶體管的一種,晶體管又分為單極性和雙極性晶體管;具體是怎么區(qū)分的,請看下面的介紹。
    場效應(yīng)晶體管
    場效應(yīng)管(Field Effect Transistor—FET)是單極型晶體管,與雙極型晶體管 BJT 都屬于晶體管(Transistor)。在雙極型晶體管中,載流子包含電子運(yùn)動,也包含空穴運(yùn)動,像雙重合力一般流向兩個(gè)極;而在場效應(yīng)管中,只有一種載流子運(yùn)動,或者電子或者空穴,流向一個(gè)極,因此叫單極型晶體管。
    單極型的場效應(yīng)管雖然誕生較晚,但從它一出世,就以其自身固有的優(yōu)點(diǎn),比如低噪
    聲、高阻低功耗、熱穩(wěn)定性好等,展開了與雙極型管的殊死搏斗,兩者都能實(shí)現(xiàn)放大功能和開關(guān)功能,因此在哪些場合用什么,就成了必須討論的問題。首先在處理器中,也就是數(shù)字領(lǐng)域,F(xiàn)ET 中的一類叫 MOSFET,以其極低的功耗吸引了科學(xué)家和投資者,這使得MOSFET 在初選中就贏得了先機(jī),它的缺點(diǎn)也就被科學(xué)家和投資者一一克服。現(xiàn)在的處理器,全部使用 MOSFET 實(shí)現(xiàn),在此領(lǐng)域 FET 完勝對手。在運(yùn)算放大器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器、電源模塊等模擬器件中,原本屬于雙極型晶體管的陣地,現(xiàn)在也開始逐步拱手想讓。因此,越來越多的用人單位,開始要求高校加大對 FET 的講解力度。
    雖然如此,雙極性晶體管仍有其固守陣地的資本,比如超高頻、電流放大能力強(qiáng)、價(jià)格便宜、電路成熟、會用的人多,以及其它細(xì)微的特點(diǎn)。總之,我們固有的觀念一天天被打破——小個(gè)子跳高得了冠軍——我們不斷見到一個(gè)個(gè)原本屬于雙極型晶體管優(yōu)勢應(yīng)用的場合,被 FET 占領(lǐng)。但至少現(xiàn)在,仍不是宣布 BJT 消亡的時(shí)刻。
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