如何保護(hù)Cmos IC設(shè)備
Cmos IC保護(hù)電路
所有MOS管器件都具有絕緣柵極，可能會發(fā)生電壓擊穿。例如，用于摩托羅拉CMOS器件的柵極氧化物厚度約為900 A，并且在柵極 - 源極電位約為100伏時發(fā)生擊穿。為了防止這種由靜態(tài)放電或其他電壓瞬態(tài)引起的擊穿，使用圖中所示的保護(hù)網(wǎng)絡(luò)在CMOS器件的每個輸入端。
靜電損壞設(shè)備的行為方式不同，具體取決于損壞的嚴(yán)重程度。最嚴(yán)重?fù)p壞的輸入是最容易檢測的，因為輸入已被完全破壞，并且短路VDD，短路至Vgs或開路。效果是該裝置不再響應(yīng)信號存在于受損的輸入。較不嚴(yán)重的情況更難以檢測，因為它們表示間歇性故障或性能下降 。靜態(tài)損壞的另一個影響是輸入通常具有增加的泄漏電流。
盡管輸入保護(hù)網(wǎng)絡(luò)提供了大量保護(hù)，但CMOS器件工作并不能免受在處理期間可能產(chǎn)生的大靜電壓放電的影響。例如，在4-15kV范圍內(nèi)（取決于濕度，表面條件等）測量了在蠟地板上行走的人產(chǎn)生的靜電電壓。
保護(hù)/安全防護(hù)Cmos設(shè)備的重要預(yù)防措施
1. 不要超過數(shù)據(jù)表中規(guī)定的最大額定值 。
2. 所有未使用的設(shè)備輸入應(yīng)連接到VDD 或Vss 。
3. 只有在器件通電后，所有低阻抗設(shè)備（脈沖發(fā)生器等）才應(yīng)連接到CMOS輸入。同樣，在關(guān)閉電源之前應(yīng)斷開此類設(shè)備。
4. 包含CMOS器件的電路板僅僅是器件的擴(kuò)展，并且適用相同的處理預(yù)防措施。 接觸直接連接到設(shè)備輸入的邊緣連接器可能會導(dǎo)致?lián)p壞。應(yīng)避免塑料包裝。雖然與PC板的外部連接連接到CMOS器件的輸入，但應(yīng)使用與輸入串聯(lián)的電阻。如果取下PC板并使其與靜電產(chǎn)生材料接觸，該串聯(lián)電阻有助于限制意外損壞。串聯(lián)電阻的限制因素是增加的延遲。這是由串聯(lián)電阻和輸入電容形成的時間常數(shù)引起的。請注意，不應(yīng)超過最大輸入上升和下降時間。在圖中 使用串聯(lián)電阻顯示兩個可能的網(wǎng)絡(luò)，以減少ESD（靜電放電）損壞。
這些網(wǎng)絡(luò)對保護(hù)有用
· 數(shù)字輸入和輸出
· 模擬輸入和輸出
· 3狀態(tài)輸出
· bidiSrectional（I / O）端口。
5. 所有CMOS器件都應(yīng)采用抗靜電材料儲存或運輸。CMOS設(shè)備不得插入傳統(tǒng)的塑料“雪”，塑料泡沫或塑料托盤中，但應(yīng)留在原始容器中直到準(zhǔn)備使用。
6. 所有CMOS器件應(yīng)放置在地面工作臺表面上，操作人員應(yīng)在操作設(shè)備之前將其自身接地，因為工人可以相對于工作臺表面靜電。強(qiáng)烈建議使用與皮膚接觸的腕帶。
7. 尼龍或其他靜電產(chǎn)生材料不應(yīng)與CMOS器件接觸。
8. 如果使用自動處理器，則設(shè)備，皮帶或板的移動可能會產(chǎn)生大量靜電。使用電離式鼓風(fēng)機(jī)或室內(nèi)加濕器減少靜電積聚。與IC封裝的頂部，底部或側(cè)面接觸的所有機(jī)器部件必須接地到金屬或其他導(dǎo)電材料。
9. 使用CO2 進(jìn)行冷卻的冷室應(yīng)配備擋板，CMOS器件必須包含在導(dǎo)電材料上或?qū)щ姴牧现小?/div>
10. 當(dāng)需要進(jìn)行引線矯直或手工焊接時，請為所用設(shè)備提供接地帶，并確保焊接接頭接地。
11. 強(qiáng)烈建議使用靜電檢測儀進(jìn)行生產(chǎn)線監(jiān)測。
12. 設(shè)備規(guī)格應(yīng)提醒用戶存在CMOS設(shè)備，并且在執(zhí)行任何類型的維護(hù)或更換設(shè)備或模塊之前需要熟悉本規(guī)范。
13. 請勿在接通電源的情況下從測試插座插入或移除CMOS器件。檢查用于測試設(shè)備的所有電源，確保沒有電壓瞬變。
14. 在進(jìn)行參數(shù)或功能測試之前，請仔細(xì)檢查測試設(shè)備的設(shè)置，確保VDD 和Vss 的極性正確。
15. 不要回收運輸導(dǎo)軌或托盤。反復(fù)使用會導(dǎo)致其抗靜電涂層變質(zhì)。
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