碳化硅（SiC）是一種高性能的半導(dǎo)體材料，基于SiC的肖特基二極管（SiC Schottky Diode）具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為新能源及電力電子的首選器件。
肖特基二極管原理圖示例
FFSH30120ADN碳化硅肖特基二極管沒有開關(guān)損耗，利用新的半導(dǎo)體材料 —— 碳化硅（SiC）提升了硅二極管的系統(tǒng)效率，支持更高的工作頻率，并且有助于提高功率密度，降低系統(tǒng)尺寸/成本。
碳化硅肖特基二極管參數(shù)表
FFSH30120ADN碳化硅肖特基二極管可工作于1200V/30A環(huán)境，最大結(jié)溫175°C，雪崩額定值145mJ，高浪涌電流容量，正溫度系數(shù)，無(wú)反向恢復(fù)/無(wú)正向恢復(fù)，具有高可靠性，確保了在浪涌或過(guò)壓條件期間的可靠運(yùn)行。
作為一種高壓二極管，F(xiàn)FSH30120ADN采用表面貼裝，主要用于開關(guān)電源、太陽(yáng)能逆變器、UPS，以及電源開關(guān)電路等。
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