晶振，是電路中重要的電子元件，控制著系統(tǒng)運(yùn)行的節(jié)拍。基于不同的應(yīng)用場(chǎng)景，晶振有多種類型，無(wú)源晶振是其中價(jià)格便宜而又應(yīng)用廣泛的一種。在使用示波器測(cè)量無(wú)源晶振輸出頻率時(shí)，常常會(huì)發(fā)現(xiàn)晶振有輸出無(wú)信號(hào)、晶振不起振等異常情況。本文就此情況略談一二。
1.無(wú)源晶振簡(jiǎn)介
無(wú)源晶振，準(zhǔn)確來(lái)說(shuō)應(yīng)叫Crystal(晶體)，有源晶振則叫Oscillator(振蕩器)。無(wú)源晶振是在石英晶片的兩端鍍上電極而成，其兩管腳是無(wú)極性的。無(wú)源晶振自身無(wú)法震蕩，在工作時(shí)需要搭配外圍電路。在一定條件下，石英晶片會(huì)產(chǎn)生壓電效應(yīng)：晶片兩端的電場(chǎng)與機(jī)械形變會(huì)互相轉(zhuǎn)化。當(dāng)外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率相等時(shí)，晶體產(chǎn)生的振動(dòng)和電場(chǎng)強(qiáng)度最大，這稱為壓電諧振，類似與LC回路的諧振。
圖 1 石英晶體的電路符號(hào)、等效電路、電抗特性及外圍電路圖
由于晶體為無(wú)源器件，其對(duì)外圍電路的參數(shù)較為敏感，尤其為負(fù)載電容。根據(jù)晶體的手冊(cè)，我們得知測(cè)試電路中有推薦電容，此電容對(duì)晶體是否起振大有關(guān)聯(lián)：
Cg、Cg稱作匹配電容，是接在晶振的兩個(gè)腳上的對(duì)地電容，其作用就是調(diào)節(jié)負(fù)載電容使其與晶振的要求相一致，需要注意的是Cg、Cg串聯(lián)后的總電容值(
)才是有效的負(fù)載電容部分。Cic：芯片引腳分布電容以及芯片內(nèi)部電容。△C：PCB走線分布電容，經(jīng)驗(yàn)值為3至5pF。
)才是有效的負(fù)載電容部分。Cic：芯片引腳分布電容以及芯片內(nèi)部電容。△C：PCB走線分布電容，經(jīng)驗(yàn)值為3至5pF。在某項(xiàng)目上使用到的一款32.768kHz無(wú)源晶振，手冊(cè)中負(fù)載電容推薦值為12.5pF。可見此值較為細(xì)小，微小的變化足以影響電路特性。
2.探頭的影響
探頭，其實(shí)跟示波器一樣，都是測(cè)量系統(tǒng)的一部分，其正確使用與否很大影響著測(cè)試結(jié)果。當(dāng)探頭的探針點(diǎn)擊測(cè)量點(diǎn)時(shí)，探頭的接入會(huì)對(duì)被測(cè)電路造成影響，這被稱為探頭的負(fù)載效應(yīng)。這種負(fù)載效應(yīng)一般簡(jiǎn)化為電阻與電容的并聯(lián)。在帶寬500MHz以下的示波器，一般標(biāo)配是1倍衰減或10倍衰減的無(wú)源探頭，某些探頭的衰減比可手動(dòng)選擇。不同衰減比的探頭在帶寬、輸入電阻、輸入電容上面都有差異：
圖 2 ZP1025SA 1倍、10倍衰減時(shí)的參數(shù)差異
可見探頭的輸入電容，比晶體手冊(cè)的負(fù)載電容要大。探頭的介入，必定大大影響到原已參數(shù)優(yōu)化好的電路，從而嚴(yán)重影響晶體電路的起振。兩害相權(quán)取其輕，測(cè)量無(wú)源晶振時(shí)應(yīng)優(yōu)先選用10倍衰減探頭。若10倍衰減探頭的寄生參數(shù)還是過(guò)大，可以考慮選用有源高壓差分探頭，其負(fù)載參數(shù)優(yōu)化得非常小，如Lecroy的ZP1000探頭，輸入阻抗可達(dá)0.9pF、1M歐姆。
3.選擇合適的測(cè)量點(diǎn)
既然晶體兩端非常敏感，不便于接上探頭測(cè)量，那可以換一種思路，在其他地方測(cè)量該信號(hào)。
某些時(shí)鐘芯片帶clock out功能，此功能是buffer晶體的信號(hào)，其管腳的輸出是有很強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力的，因此可以直接使用探頭測(cè)量。
晶體發(fā)出的時(shí)鐘輸入到處理器中，可以使用計(jì)時(shí)器對(duì)此信號(hào)作分頻處理，然后將分頻后的信號(hào)輸出到管腳。這樣我們只需測(cè)量分頻后的信號(hào)，即可計(jì)算出原有時(shí)鐘的頻率。
這種間接測(cè)試的方法，只能測(cè)試晶體的頻率，不能測(cè)量晶體輸出信號(hào)的幅度。若能在設(shè)備的工況范圍都測(cè)試其頻率的準(zhǔn)確性，那晶體電路的工作就是OK的。
圖 3 使用芯片的緩沖功能、計(jì)數(shù)器功能來(lái)測(cè)量
若信號(hào)驅(qū)動(dòng)能力很強(qiáng)，可以考慮非接觸的測(cè)試方案：近場(chǎng)探頭。近場(chǎng)探頭配合頻譜儀，或示波器的FFT分析功能，即可測(cè)得峰值電壓處的頻率。由于為非接觸方案，不存在探頭的負(fù)載效應(yīng)，不過(guò)需注意此時(shí)頻譜儀、FFT分析的頻率分辨率，這會(huì)影響測(cè)量結(jié)果的步進(jìn)、精度。
4.Tip：如何測(cè)量頻率
在捕捉到晶體的輸出信號(hào)后，該如何測(cè)量其頻率呢?在我司的ZDS系列示波器中，可以選擇硬件頻率計(jì)、頻率參數(shù)測(cè)量、上升沿參數(shù)測(cè)量等方法。
硬件頻率計(jì)在實(shí)現(xiàn)時(shí)，有測(cè)周期與測(cè)脈沖數(shù)的算法。這兩種不同的測(cè)試方法，是會(huì)因應(yīng)輸入信號(hào)的頻率大小而選擇的，以期待測(cè)量值更準(zhǔn)確。當(dāng)信號(hào)頻率小時(shí)，會(huì)選用測(cè)周期的方法，把信號(hào)的周期測(cè)好了，周期的倒數(shù)就是頻率，此方法誤差源在于測(cè)周期的計(jì)時(shí)時(shí)鐘的頻率;當(dāng)信號(hào)頻率大時(shí)，會(huì)選用測(cè)脈沖數(shù)的方法，在標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間內(nèi)測(cè)出信號(hào)上升沿的個(gè)數(shù)，此方法的誤差是標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間內(nèi)的選定問(wèn)題。
在參數(shù)測(cè)量的時(shí)間參數(shù)中，有“頻率”這測(cè)試項(xiàng)。此測(cè)試項(xiàng)是求得兩上升沿之間的時(shí)間差，再求倒數(shù)得到頻率。此測(cè)試項(xiàng)的誤差在于上升沿的判定與周期計(jì)時(shí)頻率，受限于當(dāng)前采樣點(diǎn)的采樣率。
在參數(shù)測(cè)量的統(tǒng)計(jì)參數(shù)中，有“上升沿計(jì)數(shù)”的方法，其原理是測(cè)量上升沿的個(gè)數(shù)。在測(cè)試中，可以將測(cè)量范圍選擇光標(biāo)區(qū)域，而光標(biāo)范圍設(shè)為200ms，這樣測(cè)得的上升沿乘以5，即為信號(hào)頻率。
圖 4 頻率、上升沿計(jì)數(shù)測(cè)量界面圖
選用信號(hào)發(fā)生器輸出不同頻率的信號(hào)，使用上述三種方法測(cè)得頻率如表 1所示。
表 1 不同測(cè)量方法測(cè)出的頻率對(duì)比表
可見三者測(cè)量結(jié)果差異不大，硬件頻率計(jì)的分辨率更高，而參數(shù)測(cè)量中有效位數(shù)只有5位。此信號(hào)發(fā)生器輸出頻率的準(zhǔn)確度為±1ppm，示波器內(nèi)部晶振的頻率準(zhǔn)確度為±2ppm，在上述的24MHz硬件頻率計(jì)中，測(cè)量的準(zhǔn)確度為80Hz/24MHz=3.33ppm，基本在儀器的測(cè)量精度內(nèi)。參數(shù)測(cè)量值在某些情況下顯得更接近真實(shí)值，這是因?yàn)槠溆行粩?shù)不夠而四舍五入的原因，準(zhǔn)確度更高的還是硬件頻率計(jì)。
5.小結(jié)
本文就對(duì)負(fù)載敏感的無(wú)源晶振信號(hào)的測(cè)量做了簡(jiǎn)約的分析，闡述了探頭的接入對(duì)電路負(fù)載效應(yīng)的影響，這種影響同樣也適用于輸出阻抗很大的電路。
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