• <small id="gggg8"></small>
    <nav id="gggg8"></nav>
    
    
  • 
    
    <nav id="gggg8"></nav>
    
    
  • <sup id="gggg8"></sup>
    <sup id="gggg8"></sup>
  • 无码不卡高清毛片一区,国产黑色丝袜在线,国产精品视频一区国模私拍,国产成人国拍亚洲精品

    您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)!

    深圳市烜芯微科技有限公司

    ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
    二極管、三極管、MOS管、橋堆

    全國(guó)服務(wù)熱線:18923864027

  • 熱門(mén)關(guān)鍵詞:
  • 橋堆
  • 場(chǎng)效應(yīng)管
  • 三極管
  • 二極管
  • 電子電路基礎(chǔ)知識(shí)介紹
    • 發(fā)布時(shí)間:2020-08-07 18:27:47
    • 來(lái)源:
    • 閱讀次數(shù):
    電子電路基礎(chǔ)知識(shí)介紹
    電子電路
    電路基礎(chǔ)知識(shí)(一)
    電路基礎(chǔ)知識(shí)(1)——電阻
    導(dǎo)電體對(duì)電流的阻礙作用稱著電阻,用符號(hào)R表示,單位為歐姆、千歐、兆歐,分別用Ω、KΩ、MΩ表示。
    一、電阻的型號(hào)命名方法:
    國(guó)產(chǎn)電阻器的型號(hào)由四部分組成(不適用敏感電阻)
    第一部分:主稱 ,用字母表示,表示產(chǎn)品的名字。如R表示電阻,W表示電位器。
    第二部分:材料 ,用字母表示,表示電阻體用什么材料組成,T-碳膜、H-合成碳膜、S-有機(jī)實(shí)心、N-無(wú)機(jī)實(shí)心、J-金屬膜、Y-氮化膜、C-沉積膜、I-玻璃釉膜、X-線繞。
    第三部分:分類,一般用數(shù)字表示,個(gè)別類型用字母表示,表示產(chǎn)品屬于什么類型。1-普通、2-普通、3-超高頻 、4-高阻、5-高溫、6-精密、7-精密、8-高壓、9-特殊、G-高功率、T-可調(diào)。
    第四部分:序號(hào),用數(shù)字表示,表示同類產(chǎn)品中不同品種,以區(qū)分產(chǎn)品的外型尺寸和性能指標(biāo)等
    例如:R T 1 1 型普通碳膜電阻a1}
    二、電阻器的分類              
    1、線繞電阻器:通用線繞電阻器、精密線繞電阻器、大功率線繞電阻器、高頻線繞電阻器。
    2、薄膜電阻器:碳膜電阻器、合成碳膜電阻器、金屬膜電阻器、金屬氧化膜電阻器、化學(xué)沉積膜電阻器、玻璃釉膜電阻器、金屬氮化膜電阻器。
    3、實(shí)心電阻器:無(wú)機(jī)合成實(shí)心碳質(zhì)電阻器、有機(jī)合成實(shí)心碳質(zhì)電阻器。
    4、敏感電阻器:壓敏電阻器、熱敏電阻器、光敏電阻器、力敏電阻器、氣敏電阻器、濕敏電阻器。
    三、主要特性參數(shù)
    1、標(biāo)稱阻值:電阻器上面所標(biāo)示的阻值。
    2、允許誤差:標(biāo)稱阻值與實(shí)際阻值的差值跟標(biāo)稱阻值之比的百分?jǐn)?shù)稱阻值偏差,它表示電阻器的精度。
    允許誤差與精度等級(jí)對(duì)應(yīng)關(guān)系如下:±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00)、±2%-0.2(或0)、±5%-Ⅰ級(jí)、±10%-Ⅱ級(jí)、±20%-Ⅲ級(jí)
    3、額定功率:在正常的大氣壓力90-106.6KPa及環(huán)境溫度為-55℃~+70℃的條件下,電阻器長(zhǎng)期工作所允許耗散的最大功率。
    線繞電阻器額定功率系列為(W):1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500
    非線繞電阻器額定功率系列為(W):1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100
    4、額定電壓:由阻值和額定功率換算出的電壓。
    5、最高工作電壓:允許的最大連續(xù)工作電壓。在低氣壓工作時(shí),最高工作電壓較低。
    6、溫度系數(shù):溫度每變化1℃所引起的電阻值的相對(duì)變化。溫度系數(shù)越小,電阻的穩(wěn)定性越好。阻值隨溫度升高而增大的為正溫度系數(shù),反之為負(fù)溫度系數(shù)。
    7、老化系數(shù):電阻器在額定功率長(zhǎng)期負(fù)荷下,阻值相對(duì)變化的百分?jǐn)?shù),它是表示電阻器壽命長(zhǎng)短的參數(shù)。
    8、電壓系數(shù):在規(guī)定的電壓范圍內(nèi),電壓每變化1伏,電阻器的相對(duì)變化量。
    9、噪聲:產(chǎn)生于電阻器中的一種不規(guī)則的電壓起伏,包括熱噪聲和電流噪聲兩部分,熱噪聲是由于導(dǎo)體內(nèi)部不規(guī)則的電子自由運(yùn)動(dòng),使導(dǎo)體任意兩點(diǎn)的電壓不規(guī)則變化。
    四、電阻器阻值標(biāo)示方法
    1、直標(biāo)法:用數(shù)字和單位符號(hào)在電阻器表面標(biāo)出阻值,其允許誤差直接用百分?jǐn)?shù)表示,若電阻上未注偏差,則均為±20%。
    2、文字符號(hào)法:用阿拉伯?dāng)?shù)字和文字符號(hào)兩者有規(guī)律的組合來(lái)表示標(biāo)稱阻值,其允許偏差也用文字符號(hào)表示。符號(hào)前面的數(shù)字表示整數(shù)阻值,后面的數(shù)字依次表示第一位小數(shù)阻值和第二位小數(shù)阻值。
    表示允許誤差的文字符號(hào)
    文字符號(hào) D F G J K M
    允許偏差 ±0.5% ±1% ±2% ±5% ±10% ±20%
    3、數(shù)碼法:在電阻器上用三位數(shù)碼表示標(biāo)稱值的標(biāo)志方法。數(shù)碼從左到右,第一、二位為有效值,第三位為指數(shù),即零的個(gè)數(shù),單位為歐。偏差通常采用文字符號(hào)表示。
    4、色標(biāo)法:用不同顏色的帶或點(diǎn)在電阻器表面標(biāo)出標(biāo)稱阻值和允許偏差。國(guó)外電阻大部分采用色標(biāo)法。
    黑-0、棕-1、紅-2、橙-3、黃-4、綠-5、藍(lán)-6、紫-7、灰-8、白-9、金-±5%、銀-±10%、無(wú)色-±20%
    當(dāng)電阻為四環(huán)時(shí),最后一環(huán)必為金色或銀色,前兩位為有效數(shù)字, 第三位為乘方數(shù),第四位為偏差。 當(dāng)電阻為五環(huán)時(shí),最後一環(huán)與前面四環(huán)距離較大。前三位為有效數(shù)字, 第四位為乘方數(shù), 第五位為偏差。
    五、常用電阻器
    1、電位器
    電位器是一種機(jī)電元件,他*電刷在電阻體上的滑動(dòng),取得與電刷位移成一定關(guān)系的輸出電壓。
    1.1 合成碳膜電位器
    電阻體是用經(jīng)過(guò)研磨的碳黑,石墨,石英等材料涂敷于基體表面而成,該工藝簡(jiǎn)單, 是目前應(yīng)用最廣泛的電位器。特點(diǎn)是分辯力高耐磨性好,壽命較長(zhǎng)。缺點(diǎn)是電流噪聲,非線性大, 耐潮性以及阻值穩(wěn)定性差。
    1.2 有機(jī)實(shí)心電位器
    有機(jī)實(shí)心電位器是一種新型電位器,它是用加熱塑壓的方法,將有機(jī)電阻粉壓在絕緣體的凹槽內(nèi)。有機(jī)實(shí)心電位器與碳膜電位器相比具有耐熱性好、功率大、可*性高、耐磨性好的優(yōu)點(diǎn)。但溫度系數(shù)大、動(dòng)噪聲大、耐潮性能差、制造工藝復(fù)雜、阻值精度較差。在小型化、高可*、高耐磨性的電子設(shè)備以及交、直流電路中用作調(diào)節(jié)電壓、電流。
    1.3 金屬玻璃鈾電位器
    用絲網(wǎng)印刷法按照一定圖形,將金屬玻璃鈾電阻漿料涂覆在陶瓷基體上,經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而成。特點(diǎn)是:阻值范圍寬,耐熱性好,過(guò)載能力強(qiáng),耐潮,耐磨等都很好, 是很有前途的電位器品種,缺點(diǎn)是接觸電阻和電流噪聲大。
    1.4 繞線電位器
    繞線電位器是將康銅絲或鎳鉻合金絲作為電阻體,并把它繞在絕緣骨架上制成。繞線電位器特點(diǎn)是接觸電阻小,精度高,溫度系數(shù)小,其缺點(diǎn)是分辨力差,阻值偏低,高頻特性差。主要用作分壓器、變阻器、儀器中調(diào)零和工作點(diǎn)等。
    1.5 金屬膜電位器
    金屬膜電位器的電阻體可由合金膜、金屬氧化膜、金屬箔等分別組成。特點(diǎn)是分辯力高、耐高溫、溫度系數(shù)小、動(dòng)噪聲小、平滑性好。
    1.6 導(dǎo)電塑料電位器
    用特殊工藝將DAP(鄰苯二甲酸二稀丙脂)電阻漿料覆在絕緣機(jī)體上,加熱聚合成電阻膜,或?qū)AP電阻粉熱塑壓在絕緣基體的凹槽內(nèi)形成的實(shí)心體作為電阻體。特點(diǎn)是:平滑性好、分辯力優(yōu)異耐磨性好、壽命長(zhǎng)、動(dòng)噪聲小、可*性極高、耐化學(xué)腐蝕。用于宇宙裝置、導(dǎo)彈、飛機(jī)雷達(dá)天線的伺服系統(tǒng)等。
    1.7 帶開(kāi)關(guān)的電位器
    有旋轉(zhuǎn)式開(kāi)關(guān)電位器、推拉式開(kāi)關(guān)電位器、推推開(kāi)關(guān)式電位器
    1.8 預(yù)調(diào)式電位器
    預(yù)調(diào)式電位器在電路中,一旦調(diào)試好,用蠟封住調(diào)節(jié)位置,在一般情況下不再調(diào)節(jié)。
    1.9 直滑式電位器
    采用直滑方式改變電阻值。
    1.10 雙連電位器
    有異軸雙連電位器和同軸雙連電位器
    1.11 無(wú)觸點(diǎn)電位器
    無(wú)觸點(diǎn)電位器消除了機(jī)械接觸,壽命長(zhǎng)、可*性高,分光電式電位器、磁敏式電位器等。
    2、實(shí)芯碳質(zhì)電阻器
    用碳質(zhì)顆粒壯導(dǎo)電物質(zhì)、填料和粘合劑混合制成一個(gè)實(shí)體的電阻器。
    特點(diǎn):價(jià)格低廉,但其阻值誤差、噪聲電壓都大,穩(wěn)定性差,目前較少用。
    3、繞線電阻器
    用高阻合金線繞在絕緣骨架上制成,外面涂有耐熱的釉絕緣層或絕緣漆。
    繞線電阻具有較低的溫度系數(shù),阻值精度高, 穩(wěn)定性好,耐熱耐腐蝕,主要做精密大功率電阻使用,缺點(diǎn)是高頻性能差,時(shí)間常數(shù)大。
    4、薄膜電阻器
    用蒸發(fā)的方法將一定電阻率材料蒸鍍于絕緣材料表面制成。主要如下:
    4.1 碳膜電阻器
    將結(jié)晶碳沉積在陶瓷棒骨架上制成。碳膜電阻器成本低、性能穩(wěn)定、阻值范圍寬、溫度系數(shù)和電壓系數(shù)低,是目前應(yīng)用最廣泛的電阻器。
    4.2 金屬膜電阻器。
    用真空蒸發(fā)的方法將合金材料蒸鍍于陶瓷棒骨架表面。
    金屬膜電阻比碳膜電阻的精度高,穩(wěn)定性好,噪聲, 溫度系數(shù)小。在儀器儀表及通訊設(shè)備中大量采用。
    4.3 金屬氧化膜電阻器
    在絕緣棒上沉積一層金屬氧化物。由于其本身即是氧化物,所以高溫下穩(wěn)定,耐熱沖擊,負(fù)載能力強(qiáng)。
    4.4 合成膜電阻
    將導(dǎo)電合成物懸浮液涂敷在基體上而得,因此也叫漆膜電阻。
    由于其導(dǎo)電層呈現(xiàn)顆粒狀結(jié)構(gòu),所以其噪聲大,精度低,主要用他制造高壓, 高阻, 小型電阻器。
    5、金屬玻璃鈾電阻器
    將金屬粉和玻璃鈾粉混合,采用絲網(wǎng)印刷法印在基板上。
    耐潮濕, 高溫, 溫度系數(shù)小,主要應(yīng)用于厚膜電路。
    6、貼片電阻SMT
    片狀電阻是金屬玻璃鈾電阻的一種形式,他的電阻體是高可*的釕系列玻璃鈾材料經(jīng)過(guò)高溫?zé)Y(jié)而成,電極采用銀鈀合金漿料。體積小,精度高,穩(wěn)定性好,由于其為片狀元件,所以高頻性能好。
    7、敏感電阻
    敏感電阻是指器件特性對(duì)溫度,電壓,濕度,光照,氣體, 磁場(chǎng),壓力等作用敏感的電阻器。
    敏感電阻的符號(hào)是在普通電阻的符號(hào)中加一斜線,并在旁標(biāo)注敏感電阻的類型,如:t. v等。
    7.1、壓敏電阻
    主要有碳化硅和氧化鋅壓敏電阻,氧化鋅具有更多的優(yōu)良特性。
    7.2、濕敏電阻
    由感濕層,電極, 絕緣體組成,濕敏電阻主要包括氯化鋰濕敏電阻,碳濕敏電阻,氧化物濕敏電阻。氯化鋰濕敏電阻隨濕度上升而電阻減小,缺點(diǎn)為測(cè)試范圍小,特性重復(fù)性不好,受溫度影響大。碳濕敏電阻缺點(diǎn)為低溫靈敏度低,阻值受溫度影響大,由老化特性, 較少使用。
    氧化物濕敏電阻性能較優(yōu)越,可長(zhǎng)期使用,溫度影響小,阻值與濕度變化呈線性關(guān)系。有氧化錫,鎳鐵酸鹽,等材料。
    7.3、光敏電阻
    光敏電阻是電導(dǎo)率隨著光量力的變化而變化的電子元件,當(dāng)某種物質(zhì)受到光照時(shí),載流子的濃度增加從而增加了電導(dǎo)率,這就是光電導(dǎo)效應(yīng)。
    7.4、氣敏電阻
    利用某些半導(dǎo)體吸收某種氣體后發(fā)生氧化還原反應(yīng)制成,主要成分是金屬氧化物,主要品種有:金屬氧化物氣敏電阻、復(fù)合氧化物氣敏電阻、陶瓷氣敏電阻等。
    7.5、力敏電阻
    力敏電阻是一種阻值隨壓力變化而變化的電阻,國(guó)外稱為壓電電阻器。所謂壓力電阻效應(yīng)即半導(dǎo)體材料的電阻率隨機(jī)械應(yīng)力的變化而變化的效應(yīng)。可制成各種力矩計(jì),半導(dǎo)體話筒,壓力傳感器等。主要品種有硅力敏電阻器,硒碲合金力敏電阻器,相對(duì)而言, 合金電阻器具有更高靈敏度。
    電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)(2)——電容
    電容是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一,廣泛應(yīng)用于隔直,耦合, 旁路,濾波,調(diào)諧回路, 能量轉(zhuǎn)換,控制電路等方面。用C表示電容,電容單位有法拉(F)、微法拉(uF)、皮法拉(pF),1F=10^6uF=10^12pF
    一、電容器的型號(hào)命名方法
    國(guó)產(chǎn)電容器的型號(hào)一般由四部分組成(不適用于壓敏、可變、真空電容器)。依次分別代表名稱、材料、分類和序號(hào)。
    第一部分:名稱,用字母表示,電容器用C。
    第二部分:材料,用字母表示。
    第三部分:分類,一般用數(shù)字表示,個(gè)別用字母表示。
    第四部分:序號(hào),用數(shù)字表示。
    用字母表示產(chǎn)品的材料:A-鉭電解、B-聚苯乙烯等非極性薄膜、C-高頻陶瓷、D-鋁電解、E-其它材料電解、G-合金電解、H-復(fù)合介質(zhì)、I-玻璃釉、J-金屬化紙、L-滌綸等極性有機(jī)薄膜、N-鈮電解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低頻陶瓷、V-云母紙、Y-云母、Z-紙介
     
    二、電容器的分類
    按照結(jié)構(gòu)分三大類:固定電容器、可變電容器和微調(diào)電容器。
    按電解質(zhì)分類有:有機(jī)介質(zhì)電容器、無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器、電解電容器和空氣介質(zhì)電容器等。
    按用途分有:高頻旁路、低頻旁路、濾波、調(diào)諧、高頻耦合、低頻耦合、小型電容器。
    高頻旁路:陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、滌綸電容器、玻璃釉電容器。
    低頻旁路:紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、滌綸電容器。
    濾 波:鋁電解電容器、紙介電容器、復(fù)合紙介電容器、液體鉭電容器。
    調(diào) 諧:陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、聚苯乙烯電容器。
    高頻耦合:陶瓷電容器、云母電容器、聚苯乙烯電容器。
    低頻耦合:紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、滌綸電容器、固體鉭電容器。
    小型電容:金屬化紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、聚苯乙烯電容器、固體鉭電容器、玻璃釉電容器、金屬化滌綸電容器、聚丙烯電容器、云母電容器。
     
    三、常用電容器
    1、鋁電解電容器
    用浸有糊狀電解質(zhì)的吸水紙夾在兩條鋁箔中間卷繞而成,薄的化氧化膜作介質(zhì)的電容器.因?yàn)檠趸び袉蜗驅(qū)щ娦再|(zhì),所以電解電容器具有極性.容量大,能耐受大的脈動(dòng)電流容量誤差大,泄漏電流大;普通的不適于在高頻和低溫下應(yīng)用,不宜使用在25kHz以上頻率低頻旁路、信號(hào)耦合、電源濾波
    2、鉭電解電容器
    用燒結(jié)的鉭塊作正極,電解質(zhì)使用固體二氧化錳溫度特性、頻率特性和可*性均優(yōu)于普通電解電容器,特別是漏電流極小,貯存性良好,壽命長(zhǎng),容量誤差小,而且體積小,單位體積下能得到最大的電容電壓乘積對(duì)脈動(dòng)電流的耐受能力差,若損壞易呈短路狀態(tài)超小型高可*機(jī)件中
    3、薄膜電容器
    結(jié)構(gòu)與紙質(zhì)電容器相似,但用聚脂、聚苯乙烯等低損耗塑材作介質(zhì)頻率特性好,介電損耗小不能做成大的容量,耐熱能力差濾波器、積分、振蕩、定時(shí)電路
    4、瓷介電容器
    穿心式或支柱式結(jié)構(gòu)瓷介電容器,它的一個(gè)電極就是安裝螺絲。引線電感極小,頻率特性好,介電損耗小,有溫度補(bǔ)償作用不能做成大的容量,受振動(dòng)會(huì)引起容量變化特別適于高頻旁路
    5、獨(dú)石電容器
    (多層陶瓷電容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以電極槳材料,疊合后一次繞結(jié)成一塊不可分割的整體,外面再用樹(shù)脂包封而成小體積、大容量、高可*和耐高溫的新型電容器,高介電常數(shù)的低頻獨(dú)石電容器也具有穩(wěn)定的性能,體積極小,Q值高容量誤差較大噪聲旁路、濾波器、積分、振蕩電路
    6、紙質(zhì)電容器
    一般是用兩條鋁箔作為電極,中間以厚度為0.008~0.012mm的電容器紙隔開(kāi)重疊卷繞而成。制造工藝簡(jiǎn)單,價(jià)格便宜,能得到較大的電容量 
    一般在低頻電路內(nèi),通常不能在高于3~4MHz的頻率上運(yùn)用。油浸電容器的耐壓比普通紙質(zhì)電容器高,穩(wěn)定性也好,適用于高壓電路
    7、微調(diào)電容器
    電容量可在某一小范圍內(nèi)調(diào)整,并可在調(diào)整后固定于某個(gè)電容值。
    瓷介微調(diào)電容器的Q值高,體積也小,通常可分為圓管式及圓片式兩種。
    8、云母和聚苯乙烯介質(zhì)的通常都采用彈簧式東,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,但穩(wěn)定性較差。
    線繞瓷介微調(diào)電容器是拆銅絲〈外電極〉來(lái)變動(dòng)電容量的,故容量只能變小,不適合在需反復(fù)調(diào)試的場(chǎng)合使用
    9、陶瓷電容器
    用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤(pán)作為介質(zhì),并用燒滲法將銀鍍?cè)谔沾缮献鳛殡姌O制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。
    具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器,用于高穩(wěn)定振蕩回路中,作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用,或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場(chǎng)合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中,因?yàn)樗鼈円子诒幻}沖電壓擊穿。高頻瓷介電容器適用于高頻電路
    云母電容器就結(jié)構(gòu)而言,可分為箔片式及被銀式。被銀式電極為直接在云母片上用真空蒸發(fā)法或燒滲法鍍上銀層而成,由于消除了空氣間隙,溫度系數(shù)大為下降,電容穩(wěn)定性也比箔片式高。頻率特性好,Q值高,溫度系數(shù)小不能做成大的容量廣泛應(yīng)用在高頻電器中,并可用作標(biāo)準(zhǔn)電容器
    10、玻璃釉電容器由一種濃度適于噴涂的特殊混合物噴涂成薄膜而成,介質(zhì)再以銀層電極經(jīng)燒結(jié)而成"獨(dú)石"結(jié)構(gòu)性能可與云母電容器媲美,能耐受各種氣候環(huán)境,一般可在200℃或更高溫度下工作,額定工作電壓可達(dá)500V,損耗tgδ0.0005~0.008 
     
    四、電容器主要特性參數(shù):
    1、標(biāo)稱電容量和允許偏差
    標(biāo)稱電容量是標(biāo)志在電容器上的電容量。
    電容器實(shí)際電容量與標(biāo)稱電容量的偏差稱誤差,在允許的偏差范圍稱精度。
    精度等級(jí)與允許誤差對(duì)應(yīng)關(guān)系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)
    一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級(jí),電解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ級(jí),根據(jù)用途選取。
    2、額定電壓
    在最低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的最高直流電壓有效值,一般直接標(biāo)注在電容器外殼上,如果工作電壓超過(guò)電容器的耐壓,電容器擊穿,造成不可修復(fù)的永久損壞。
    3、絕緣電阻
    直流電壓加在電容上,并產(chǎn)生漏電電流,兩者之比稱為絕緣電阻.
    當(dāng)電容較小時(shí),主要取決于電容的表面狀態(tài),容量〉0.1uf時(shí),主要取決于介質(zhì)的性能,絕緣電阻越小越好。
    電容的時(shí)間常數(shù):為恰當(dāng)?shù)脑u(píng)價(jià)大容量電容的絕緣情況而引入了時(shí)間常數(shù),他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。
    4、損耗
    電容在電場(chǎng)作用下,在單位時(shí)間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗允許值,電容的損耗主要由介質(zhì)損耗,電導(dǎo)損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。 
    在直流電場(chǎng)的作用下,電容器的損耗以漏導(dǎo)損耗的形式存在,一般較小,在交變電場(chǎng)的作用下,電容的損耗不僅與漏導(dǎo)有關(guān),而且與周期性的極化建立過(guò)程有關(guān)。
     
    5、頻率特性
    隨著頻率的上升,一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律。
     
    五、電容器容量標(biāo)示
    1、直標(biāo)法
    用數(shù)字和單位符號(hào)直接標(biāo)出。如01uF表示0.01微法,有些電容用“R”表示小數(shù)點(diǎn),如R56表示0.56微法。
    2、文字符號(hào)法
    用數(shù)字和文字符號(hào)有規(guī)律的組合來(lái)表示容量。如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF, 2u2表示2.2uF.
    3、色標(biāo)法
    用色環(huán)或色點(diǎn)表示電容器的主要參數(shù)。電容器的色標(biāo)法與電阻相同。
    電容器偏差標(biāo)志符號(hào):+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。
    電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)(3)——電感線圈
    電感線圈是由導(dǎo)線一圈*一圈地繞在絕緣管上,導(dǎo)線彼此互相絕緣,而絕緣管可以是空心的,也可以包含鐵芯或磁粉芯,簡(jiǎn)稱電感。用L表示,單位有亨利(H)、毫亨利 (mH)、微亨利(uH),1H=10^3mH=10^6uH。
    一、電感的分類
    按 電感形式 分類:固定電感、可變電感。
    按導(dǎo)磁體性質(zhì)分類:空芯線圈、鐵氧體線圈、鐵芯線圈、銅芯線圈。
    按 工作性質(zhì) 分類:天線線圈、振蕩線圈、扼流線圈、陷波線圈、偏轉(zhuǎn)線圈。
    按 繞線結(jié)構(gòu) 分類:?jiǎn)螌泳€圈、多層線圈、蜂房式線圈。
    二、電感線圈的主要特性參數(shù)
    1、電感量L
    電感量L表示線圈本身固有特性,與電流大小無(wú)關(guān)。除專門(mén)的電感線圈(色碼電感)外,電感量一般不專門(mén)標(biāo)注在線圈上,而以特定的名稱標(biāo)注。
    2、感抗XL
    電感線圈對(duì)交流電流阻礙作用的大小稱感抗XL,單位是歐姆。它與電感量L和交流電頻率f的關(guān)系為XL=2πfL
    3、品質(zhì)因素Q
    品質(zhì)因素Q是表示線圈質(zhì)量的一個(gè)物理量,Q為感抗XL與其等效的電阻的比值,即:Q=XL/R
    線圈的Q值愈高,回路的損耗愈小。線圈的Q值與導(dǎo)線的直流電阻,骨架的介質(zhì)損耗,屏蔽罩或鐵芯引起的損耗,高頻趨膚效應(yīng)的影響等因素有關(guān)。線圈的Q值通常為幾十到幾百。
    4、分布電容
    線圈的匝與匝間、線圈與屏蔽罩間、線圈與底版間存在的電容被稱為分布電容。分布電容的存在使線圈的Q值減小,穩(wěn)定性變差,因而線圈的分布電容越小越好。
    三、常用線圈
    1、單層線圈
    單層線圈是用絕緣導(dǎo)線一圈挨一圈地繞在紙筒或膠木骨架上。如晶體管收音機(jī)中波天線線圈。
    2、蜂房式線圈
    如果所繞制的線圈,其平面不與旋轉(zhuǎn)面平行,而是相交成一定的角度,這種線圈稱為蜂房式線圈。而其旋轉(zhuǎn)一周,導(dǎo)線來(lái)回彎折的次數(shù),常稱為折點(diǎn)數(shù)。蜂房式繞法的優(yōu)點(diǎn)是體積小,分布電容小,而且電感量大。蜂房式線圈都是利用蜂房繞線機(jī)來(lái)繞制,折點(diǎn)越多,分布電容越小
    3、鐵氧體磁芯和鐵粉芯線圈
    線圈的電感量大小與有無(wú)磁芯有關(guān)。在空芯線圈中插入鐵氧體磁芯,可增加電感量和提高線圈的品質(zhì)因素。
    4、銅芯線圈
    銅芯線圈在超短波范圍應(yīng)用較多,利用旋動(dòng)銅芯在線圈中的位置來(lái)改變電感量,這種調(diào)整比較方便、耐用。
    5、色碼電感器
    色碼電感器是具有固定電感量的電感器,其電感量標(biāo)志方法同電阻一樣以色環(huán)來(lái)標(biāo)記。
    6、阻流圈(扼流圈)
    限制交流電通過(guò)的線圈稱阻流圈,分高頻阻流圈和低頻阻流圈。
    7、偏轉(zhuǎn)線圈
    偏轉(zhuǎn)線圈是電視機(jī)掃描電路輸出級(jí)的負(fù)載,偏轉(zhuǎn)線圈要求:偏轉(zhuǎn)靈敏度高、磁場(chǎng)均勻、Q值高、體積小、價(jià)格低。
    變壓器
    變壓器是變換交流電壓、電流和阻抗的器件,當(dāng)初級(jí)線圈中通有交流電流時(shí),鐵芯(或磁芯)中便產(chǎn)生交流磁通,使次級(jí)線圈中感應(yīng)出電壓(或電流)。變壓器由鐵芯(或磁芯)和線圈組成,線圈有兩個(gè)或兩個(gè)以上的繞組,其中接電源的繞組叫初級(jí)線圈,其余的繞組叫次級(jí)線圈。
    一、分類
    按冷卻方式分類:干式(自冷)變壓器、油浸(自冷)變壓器、氟化物(蒸發(fā)冷卻)變壓器。
    按防潮方式分類:開(kāi)放式變壓器、灌封式變壓器、密封式變壓器。
    按鐵芯或線圈結(jié)構(gòu)分類:芯式變壓器(插片鐵芯、C型鐵芯、鐵氧體鐵芯)、殼式變壓器(插片鐵芯、C型鐵芯、鐵氧體鐵芯)、環(huán)型變壓器、金屬箔變壓器。
    按電源相數(shù)分類:?jiǎn)蜗嘧儔浩鳌⑷嘧儔浩鳌⒍嘞嘧儔浩鳌?/div>
    按用途分類:電源變壓器、調(diào)壓變壓器、音頻變壓器、中頻變壓器、高頻變壓器、脈沖變壓器。
    二、電源變壓器的特性參數(shù)
    1 工作頻率
    變壓器鐵芯損耗與頻率關(guān)系很大,故應(yīng)根據(jù)使用頻率來(lái)設(shè)計(jì)和使用,這種頻率稱工作頻率。
    2 額定功率
    在規(guī)定的頻率和電壓下,變壓器能長(zhǎng)期工作,而不超過(guò)規(guī)定溫升的輸出功率。
    3 額定電壓
    指在變壓器的線圈上所允許施加的電壓,工作時(shí)不得大于規(guī)定值。
    4 電壓比
    指變壓器初級(jí)電壓和次級(jí)電壓的比值,有空載電壓比和負(fù)載電壓比的區(qū)別。
    5 空載電流
    變壓器次級(jí)開(kāi)路時(shí),初級(jí)仍有一定的電流,這部分電流稱為空載電流。空載電流由磁化電流(產(chǎn)生磁通)和鐵損電流(由鐵芯損耗引起)組成。對(duì)于50Hz電源變壓器而言,空載電流基本上等于磁化電流。
    6 空載損耗:指變壓器次級(jí)開(kāi)路時(shí),在初級(jí)測(cè)得功率損耗。主要損耗是鐵芯損耗,其次是空載電流在初級(jí)線圈銅阻上產(chǎn)生的損耗(銅損),這部分損耗很小。
    7 效率
    指次級(jí)功率P2與初級(jí)功率P1比值的百分比。通常變壓器的額定功率愈大,效率就愈高。
    8 絕緣電阻
    表示變壓器各線圈之間、各線圈與鐵芯之間的絕緣性能。絕緣電阻的高低與所使用的絕緣材料的性能、溫度高低和潮濕程度有關(guān)。
    三、音頻變壓器和高頻變壓器特性參數(shù)
    1 頻率響應(yīng)
    指變壓器次級(jí)輸出電壓隨工作頻率變化的特性。
    2 通頻帶
    如果變壓器在中間頻率的輸出電壓為U0,當(dāng)輸出電壓(輸入電壓保持不變)下降到0.707U0時(shí)的頻率范圍,稱為變壓器的通頻帶B。
    3 初、次級(jí)阻抗比
    變壓器初、次級(jí)接入適當(dāng)?shù)淖杩筊o和Ri,使變壓器初、次級(jí)阻抗匹配,則Ro和Ri的比值稱為初、次級(jí)阻抗比。在阻抗匹配的情況下,變壓器工作在最佳狀態(tài),傳輸效率最高。
     
    電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)(二)
    一、 中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法
    半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分(場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分)組成。五個(gè)部分意義如下:
    第一部分:用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管
    第二部分:用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí):A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí):A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
    第三部分:用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開(kāi)關(guān)管、X-低頻小功率管(F3MHz,Pc1W)、A-高頻大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半導(dǎo)體晶閘管(可控整流器)、Y-體效應(yīng)器件、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管、CS-場(chǎng)效應(yīng)管、BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
    第四部分:用數(shù)字表示序號(hào)
    第五部分:用漢語(yǔ)拼音字母表示規(guī)格號(hào)
    例如:3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管
    日本半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法
    二、日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件,由五至七部分組成。通常只用到前五個(gè)部分,其各部分的符號(hào)意義如下:
    第一部分:用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電(即光敏)二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個(gè)pn結(jié)的其他器件、3-具有四個(gè)有效電極或具有三個(gè)pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類推。
    第二部分:日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)標(biāo)志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)登記的半導(dǎo)體分立器件。
    第三部分:用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結(jié)晶體管、J-P溝道場(chǎng)效應(yīng)管、K-N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管、M-雙向可控硅。
    第四部分:用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號(hào)。兩位以上的整數(shù)-從“11”開(kāi)始,表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號(hào);不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號(hào);數(shù)字越大,越是近期產(chǎn)品。
    第五部分: 用字母表示同一型號(hào)的改進(jìn)型產(chǎn)品標(biāo)志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號(hào)產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品。
    美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法
    三、美國(guó)晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下:
    第一部分:用符號(hào)表示器件用途的類型。JAN-軍級(jí)、JANTX-特軍級(jí)、JANTXV-超特軍級(jí)、JANS-宇航級(jí)、(無(wú))-非軍用品。
    第二部分:用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1-二極管、2=三極管、3-三個(gè)pn結(jié)器件、n-n個(gè)pn結(jié)器件。
    第三部分:美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)注冊(cè)標(biāo)志。N-該器件已在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)注冊(cè)登記。
    第四部分:美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記順序號(hào)。多位數(shù)字-該器件在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記的順序號(hào)。
    第五部分:用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號(hào)器件的不同檔別。如:JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開(kāi)關(guān)三極管,JAN-軍級(jí)、2-三極管、N-EIA 注冊(cè)標(biāo)志、3251-EIA登記順序號(hào)、A-2N3251A檔。
    四、 國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法
    德國(guó)、法國(guó)、意大利、荷蘭、比利時(shí)等歐洲國(guó)家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國(guó)家,大都采用國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法。這種命名方法由四個(gè)基本部分組成,各部分的符號(hào)及意義如下:
    第一部分:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV 如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg0.6eV 如銻化銦、E-器件使用復(fù)合材料及光電池使用的材料
    第二部分:用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開(kāi)關(guān)混頻二極管、B-變?nèi)荻O管、C-低頻小功率三極管、D-低頻大功率三極管、E-隧道二極管、F-高頻小功率三極管、G-復(fù)合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-開(kāi)放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極管、M-封閉磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發(fā)光器件、R-小功率晶閘管、S-小功率開(kāi)關(guān)管、T-大功率晶閘管、U-大功率開(kāi)關(guān)管、X-倍增二極管、Y-整流二極管、Z-穩(wěn)壓二極管。
    第三部分:用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號(hào)。三位數(shù)字-代表通用半導(dǎo)體器件的登記序號(hào)、一個(gè)字母加二位數(shù)字-表示專用半導(dǎo)體器件的登記序號(hào)。
    第四部分:用字母對(duì)同一類型號(hào)器件進(jìn)行分檔。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型號(hào)的器件按某一參數(shù)進(jìn)行分檔的標(biāo)志。
    除四個(gè)基本部分外,有時(shí)還加后綴,以區(qū)別特性或進(jìn)一步分類。常見(jiàn)后綴如下:
    1、穩(wěn)壓二極管型號(hào)的后綴。其后綴的第一部分是一個(gè)字母,表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍,字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;其后綴第二部分是數(shù)字,表示標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值;后綴的第三部分是字母V,代表小數(shù)點(diǎn),字母V之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的小數(shù)值。
    2、整流二極管后綴是數(shù)字,表示器件的最大反向峰值耐壓值,單位是伏特。
    3、晶閘管型號(hào)的后綴也是數(shù)字,通常標(biāo)出最大反向峰值耐壓值和最大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個(gè)電壓值。
    如:BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管,AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。
    五、歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名法
    歐洲有些國(guó)家,如德國(guó)、荷蘭采用如下命名方法。
    第一部分:O-表示半導(dǎo)體器件
    第二部分:A-二極管、C-三極管、AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩(wěn)壓管、RP-光電器件。
    第三部分:多位數(shù)字-表示器件的登記序號(hào)。
    第四部分:A、B、C┄┄-表示同一型號(hào)器件的變型產(chǎn)品。
    俄羅斯半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法由于使用少,在此不介紹。
    一、半導(dǎo)體二極管參數(shù)符號(hào)及其意義
    CT---勢(shì)壘電容
    Cj---結(jié)(極間)電容, 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下,鍺檢波二極管的總電容
    Cjv---偏壓結(jié)電容
    Co---零偏壓電容
    Cjo---零偏壓結(jié)電容
    Cjo/Cjn---結(jié)電容變化
    Cs---管殼電容或封裝電容
    Ct---總電容
    CTV---電壓溫度系數(shù)。在測(cè)試電流下,穩(wěn)定電壓的相對(duì)變化與環(huán)境溫度的絕對(duì)變化之比
    CTC---電容溫度系數(shù)
    Cvn---標(biāo)稱電容
    IF---正向直流電流(正向測(cè)試電流)。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下,通過(guò)極間的電流;硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下,在正弦半波中允許連續(xù)通過(guò)的最大工作電流(平均值),硅開(kāi)關(guān)二極管在額定功率下允許通過(guò)的最大正向直流電流;測(cè)穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時(shí)給定的電流
    IF(AV)---正向平均電流
    IFM(IM)---正向峰值電流(正向最大電流)。在額定功率下,允許通過(guò)二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。
    IH---恒定電流、維持電流。
    Ii--- 發(fā)光二極管起輝電流
    IFRM---正向重復(fù)峰值電流
    IFSM---正向不重復(fù)峰值電流(浪涌電流)
    Io---整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過(guò)的工作電流
    IF(ov)---正向過(guò)載電流
    IL---光電流或穩(wěn)流二極管極限電流
    ID---暗電流
    IB2---單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流
    IEM---發(fā)射極峰值電流
    IEB10---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流
    IEB20---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流
    ICM---最大輸出平均電流
    IFMP---正向脈沖電流
    IP---峰點(diǎn)電流
    IV---谷點(diǎn)電流
    IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流
    IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流
    IGFM---控制極正向峰值電流
    IR(AV)---反向平均電流
    IR(In)---反向直流電流(反向漏電流)。在測(cè)反向特性時(shí),給定的反向電流;硅堆在正弦半波電阻性負(fù)載電路中,加反向電壓規(guī)定值時(shí),所通過(guò)的電流;硅開(kāi)關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時(shí)所通過(guò)的電流;穩(wěn)壓二極管在反向電壓下,產(chǎn)生的漏電流;整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
    IRM---反向峰值電流
    IRR---晶閘管反向重復(fù)平均電流
    IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流
    IRRM---反向重復(fù)峰值電流
    IRSM---反向不重復(fù)峰值電流(反向浪涌電流)
    Irp---反向恢復(fù)電流
    Iz---穩(wěn)定電壓電流(反向測(cè)試電流)。測(cè)試反向電參數(shù)時(shí),給定的反向電流
    Izk---穩(wěn)壓管膝點(diǎn)電流
    IOM---最大正向(整流)電流。在規(guī)定條件下,能承受的正向最大瞬時(shí)電流;在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過(guò)鍺檢波二極管的最大工作電流
    IZSM---穩(wěn)壓二極管浪涌電流
    IZM---最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過(guò)的電流
    iF---正向總瞬時(shí)電流
    iR---反向總瞬時(shí)電流
    ir---反向恢復(fù)電流
    Iop---工作電流
    Is---穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流
    f---頻率
    n---電容變化指數(shù);電容比
    Q---優(yōu)值(品質(zhì)因素)
    δvz---穩(wěn)壓管電壓漂移
    di/dt---通態(tài)電流臨界上升率
    dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率
    PB---承受脈沖燒毀功率
    PFT(AV)---正向?qū)ㄆ骄纳⒐β?/div>
    PFTM---正向峰值耗散功率
    PFT---正向?qū)偹矔r(shí)耗散功率
    Pd---耗散功率
    PG---門(mén)極平均功率
    PGM---門(mén)極峰值功率
    PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
    Pi---輸入功率
    PK---最大開(kāi)關(guān)功率
    PM---額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率
    PMP---最大漏過(guò)脈沖功率
    PMS---最大承受脈沖功率
    Po---輸出功率
    PR---反向浪涌功率
    Ptot---總耗散功率
    Pomax---最大輸出功率
    Psc---連續(xù)輸出功率
    PSM---不重復(fù)浪涌功率
    PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下,穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率
    RF(r)---正向微分電阻。在正向?qū)〞r(shí),電流隨電壓指數(shù)的增加,呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下,電壓增加微小量△V,正向電流相應(yīng)增加△I,則△V/△I稱微分電阻
    RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
    RE---射頻電阻
    RL---負(fù)載電阻
    Rs(rs)----串聯(lián)電阻
    Rth----熱阻
    R(th)ja----結(jié)到環(huán)境的熱阻
    Rz(ru)---動(dòng)態(tài)電阻
    R(th)jc---結(jié)到殼的熱阻
    r δ---衰減電阻
    r(th)---瞬態(tài)電阻
    Ta---環(huán)境溫度
    Tc---殼溫
    td---延遲時(shí)間
    tf---下降時(shí)間
    tfr---正向恢復(fù)時(shí)間
    tg---電路換向關(guān)斷時(shí)間
    tgt---門(mén)極控制極開(kāi)通時(shí)間
    Tj---結(jié)溫
    Tjm---最高結(jié)溫
    ton---開(kāi)通時(shí)間
    toff---關(guān)斷時(shí)間
    tr---上升時(shí)間
    trr---反向恢復(fù)時(shí)間
    ts---存儲(chǔ)時(shí)間
    tstg---溫度補(bǔ)償二極管的貯成溫度
    a---溫度系數(shù)
    λp---發(fā)光峰值波長(zhǎng)
    △ λ---光譜半寬度
    η---單結(jié)晶體管分壓比或效率
    VB---反向峰值擊穿電壓
    Vc---整流輸入電壓
    VB2B1---基極間電壓
    VBE10---發(fā)射極與第一基極反向電壓
    VEB---飽和壓降
    VFM---最大正向壓降(正向峰值電壓)
    VF---正向壓降(正向直流電壓)
    △VF---正向壓降差
    VDRM---斷態(tài)重復(fù)峰值電壓
    VGT---門(mén)極觸發(fā)電壓
    VGD---門(mén)極不觸發(fā)電壓
    VGFM---門(mén)極正向峰值電壓
    VGRM---門(mén)極反向峰值電壓
    VF(AV)---正向平均電壓
    Vo---交流輸入電壓
    VOM---最大輸出平均電壓
    Vop---工作電壓
    Vn---中心電壓
    Vp---峰點(diǎn)電壓
    VR---反向工作電壓(反向直流電壓)
    VRM---反向峰值電壓(最高測(cè)試電壓)
    V(BR)---擊穿電壓
    Vth---閥電壓(門(mén)限電壓)
    VRRM---反向重復(fù)峰值電壓(反向浪涌電壓)
    VRWM---反向工作峰值電壓
    V v---谷點(diǎn)電壓
    Vz---穩(wěn)定電壓
    △Vz---穩(wěn)壓范圍電壓增量
    Vs---通向電壓(信號(hào)電壓)或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓
    av---電壓溫度系數(shù)
    Vk---膝點(diǎn)電壓(穩(wěn)流二極管)
    VL ---極限電壓
    二、雙極型晶體管參數(shù)符號(hào)及其意義
    Cc---集電極電容
    Ccb---集電極與基極間電容
    Cce---發(fā)射極接地輸出電容
    Ci---輸入電容
    Cib---共基極輸入電容
    Cie---共發(fā)射極輸入電容
    Cies---共發(fā)射極短路輸入電容
    Cieo---共發(fā)射極開(kāi)路輸入電容
    Cn---中和電容(外電路參數(shù))
    Co---輸出電容
    Cob---共基極輸出電容。在基極電路中,集電極與基極間輸出電容
    Coe---共發(fā)射極輸出電容
    Coeo---共發(fā)射極開(kāi)路輸出電容
    Cre---共發(fā)射極反饋電容
    Cic---集電結(jié)勢(shì)壘電容
    CL---負(fù)載電容(外電路參數(shù))
    Cp---并聯(lián)電容(外電路參數(shù))
    BVcbo---發(fā)射極開(kāi)路,集電極與基極間擊穿電壓
    BVceo---基極開(kāi)路,CE結(jié)擊穿電壓
    BVebo--- 集電極開(kāi)路EB結(jié)擊穿電壓
    BVces---基極與發(fā)射極短路CE結(jié)擊穿電壓
    BV cer---基極與發(fā)射極串接一電阻,CE結(jié)擊穿電壓
    D---占空比
    fT---特征頻率
    fmax---最高振蕩頻率。當(dāng)三極管功率增益等于1時(shí)的工作頻率
    hFE---共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數(shù)
    hIE---共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗
    hOE---共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導(dǎo)
    h RE---共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數(shù)
    hie---共發(fā)射極小信號(hào)短路輸入阻抗
    hre---共發(fā)射極小信號(hào)開(kāi)路電壓反饋系數(shù)
    hfe---共發(fā)射極小信號(hào)短路電壓放大系數(shù)
    hoe---共發(fā)射極小信號(hào)開(kāi)路輸出導(dǎo)納
    IB---基極直流電流或交流電流的平均值
    Ic---集電極直流電流或交流電流的平均值
    IE---發(fā)射極直流電流或交流電流的平均值
    Icbo---基極接地,發(fā)射極對(duì)地開(kāi)路,在規(guī)定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流
    Iceo---發(fā)射極接地,基極對(duì)地開(kāi)路,在規(guī)定的反向電壓VCE條件下,集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
    Iebo---基極接地,集電極對(duì)地開(kāi)路,在規(guī)定的反向電壓VEB條件下,發(fā)射極與基極之間的反向截止電流
    Icer---基極與發(fā)射極間串聯(lián)電阻R,集電極與發(fā)射極間的電壓VCE為規(guī)定值時(shí),集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
    Ices---發(fā)射極接地,基極對(duì)地短路,在規(guī)定的反向電壓VCE條件下,集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
    Icex---發(fā)射極接地,基極與發(fā)射極間加指定偏壓,在規(guī)定的反向偏壓VCE下,集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
    ICM---集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。
    IBM---在集電極允許耗散功率的范圍內(nèi),能連續(xù)地通過(guò)基極的直流電流的最大值,或交流電流的最大平均值
    ICMP---集電極最大允許脈沖電流
    ISB---二次擊穿電流
    IAGC---正向自動(dòng)控制電流
    Pc---集電極耗散功率
    PCM---集電極最大允許耗散功率
    Pi---輸入功率
    Po---輸出功率
    Posc---振蕩功率
    Pn---噪聲功率
    Ptot---總耗散功率
    ESB---二次擊穿能量
    rbb''---基區(qū)擴(kuò)展電阻(基區(qū)本征電阻)
    rbb''Cc---基極-集電極時(shí)間常數(shù),即基極擴(kuò)展電阻與集電結(jié)電容量的乘積
    rie---發(fā)射極接地,交流輸出短路時(shí)的輸入電阻
    roe---發(fā)射極接地,在規(guī)定VCE、Ic或IE、頻率條件下測(cè)定的交流輸入短路時(shí)的輸出電阻
    RE---外接發(fā)射極電阻(外電路參數(shù))
    RB---外接基極電阻(外電路參數(shù))
    Rc ---外接集電極電阻(外電路參數(shù))
    RBE---外接基極-發(fā)射極間電阻(外電路參數(shù))
    RL---負(fù)載電阻(外電路參數(shù))
    RG---信號(hào)源內(nèi)阻
    Rth---熱阻
    Ta---環(huán)境溫度
    Tc---管殼溫度
    Ts---結(jié)溫
    Tjm---最大允許結(jié)溫
    Tstg---貯存溫度
    td----延遲時(shí)間
    tr---上升時(shí)間
    ts---存貯時(shí)間
    tf---下降時(shí)間
    ton---開(kāi)通時(shí)間
    toff---關(guān)斷時(shí)間
    VCB---集電極-基極(直流)電壓
    VCE---集電極-發(fā)射極(直流)電壓
    VBE---基極發(fā)射極(直流)電壓
    VCBO---基極接地,發(fā)射極對(duì)地開(kāi)路,集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
    VEBO---基極接地,集電極對(duì)地開(kāi)路,發(fā)射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
    VCEO---發(fā)射極接地,基極對(duì)地開(kāi)路,集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓
    VCER---發(fā)射極接地,基極與發(fā)射極間串接電阻R,集電極與發(fā)射極間在指定條件下的最高耐壓
    VCES---發(fā)射極接地,基極對(duì)地短路,集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓
    VCEX---發(fā)射極接地,基極與發(fā)射極之間加規(guī)定的偏壓,集電極與發(fā)射極之間在規(guī)定條件下的最高耐壓
    Vp---穿通電壓。
    VSB---二次擊穿電壓
    VBB---基極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
    Vcc---集電極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
    VEE---發(fā)射極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
    VCE(sat)---發(fā)射極接地,規(guī)定Ic、IB條件下的集電極-發(fā)射極間飽和壓降
    VBE(sat)---發(fā)射極接地,規(guī)定Ic、IB條件下,基極-發(fā)射極飽和壓降(前向壓降)
    VAGC---正向自動(dòng)增益控制電壓
    Vn(p-p)---輸入端等效噪聲電壓峰值
    V n---噪聲電壓
    Cj---結(jié)(極間)電容, 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下,鍺檢波二極管的總電容
    Cjv---偏壓結(jié)電容
    Co---零偏壓電容
    Cjo---零偏壓結(jié)電容
    Cjo/Cjn---結(jié)電容變化
    Cs---管殼電容或封裝電容
    Ct---總電容
    CTV---電壓溫度系數(shù)。在測(cè)試電流下,穩(wěn)定電壓的相對(duì)變化與環(huán)境溫度的絕對(duì)變化之比
    CTC---電容溫度系數(shù)
    Cvn---標(biāo)稱電容
    IF---正向直流電流(正向測(cè)試電流)。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下,通過(guò)極間的電流;硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下,在正弦半波中允許連續(xù)通過(guò)的最大工作電流(平均值),硅開(kāi)關(guān)二極管在額定功率下允許通過(guò)的最大正向直流電流;測(cè)穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時(shí)給定的電流
    IF(AV)---正向平均電流
    IFM(IM)---正向峰值電流(正向最大電流)。在額定功率下,允許通過(guò)二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。
    IH---恒定電流、維持電流。
    Ii--- 發(fā)光二極管起輝電流
    IFRM---正向重復(fù)峰值電流
    IFSM---正向不重復(fù)峰值電流(浪涌電流)
    Io---整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過(guò)的工作電流
    IF(ov)---正向過(guò)載電流
    IL---光電流或穩(wěn)流二極管極限電流
    ID---暗電流
    IB2---單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流
    IEM---發(fā)射極峰值電流
    IEB10---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流
    IEB20---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流
    ICM---最大輸出平均電流
    IFMP---正向脈沖電流
    IP---峰點(diǎn)電流
    IV---谷點(diǎn)電流
    IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流
    IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流
    IGFM---控制極正向峰值電流
    IR(AV)---反向平均電流
    IR(In)---反向直流電流(反向漏電流)。在測(cè)反向特性時(shí),給定的反向電流;硅堆在正弦半波電阻性負(fù)載電路中,加反向電壓規(guī)定值時(shí),所通過(guò)的電流;硅開(kāi)關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時(shí)所通過(guò)的電流;穩(wěn)壓二極管在反向電壓下,產(chǎn)生的漏電流;整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
    IRM---反向峰值電流
    IRR---晶閘管反向重復(fù)平均電流
    IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流
    IRRM---反向重復(fù)峰值電流
    IRSM---反向不重復(fù)峰值電流(反向浪涌電流)
    Irp---反向恢復(fù)電流
    Iz---穩(wěn)定電壓電流(反向測(cè)試電流)。測(cè)試反向電參數(shù)時(shí),給定的反向電流
    Izk---穩(wěn)壓管膝點(diǎn)電流
    IOM---最大正向(整流)電流。在規(guī)定條件下,能承受的正向最大瞬時(shí)電流;在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過(guò)鍺檢波二極管的最大工作電流
    IZSM---穩(wěn)壓二極管浪涌電流
    IZM---最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過(guò)的電流
    iF---正向總瞬時(shí)電流
    iR---反向總瞬時(shí)電流
    ir---反向恢復(fù)電流
    Iop---工作電流
    Is---穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流
    f---頻率
    n---電容變化指數(shù);電容比
    Q---優(yōu)值(品質(zhì)因素)
    δvz---穩(wěn)壓管電壓漂移
    di/dt---通態(tài)電流臨界上升率
    dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率
    PB---承受脈沖燒毀功率
    PFT(AV)---正向?qū)ㄆ骄纳⒐β?/div>
    PFTM---正向峰值耗散功率
    PFT---正向?qū)偹矔r(shí)耗散功率
    Pd---耗散功率
    PG---門(mén)極平均功率
    PGM---門(mén)極峰值功率
    PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
    Pi---輸入功率
    PK---最大開(kāi)關(guān)功率
    PM---額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率
    PMP---最大漏過(guò)脈沖功率
    PMS---最大承受脈沖功率
    Po---輸出功率
    PR---反向浪涌功率
    Ptot---總耗散功率
    Pomax---最大輸出功率
    Psc---連續(xù)輸出功率
    PSM---不重復(fù)浪涌功率
    PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下,穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率
    RF(r)---正向微分電阻。在正向?qū)〞r(shí),電流隨電壓指數(shù)的增加,呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下,電壓增加微小量△V,正向電流相應(yīng)增加△I,則△V/△I稱微分電阻
    RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
    RE---射頻電阻
    RL---負(fù)載電阻
    Rs(rs)----串聯(lián)電阻
    Rth----熱阻
    R(th)ja----結(jié)到環(huán)境的熱阻
    Rz(ru)---動(dòng)態(tài)電阻
    R(th)jc---結(jié)到殼的熱阻
    r δ---衰減電阻
    r(th)---瞬態(tài)電阻
    Ta---環(huán)境溫度
    Tc---殼溫
    td---延遲時(shí)間
    tf---下降時(shí)間
    tfr---正向恢復(fù)時(shí)間
    tg---電路換向關(guān)斷時(shí)間
    tgt---門(mén)極控制極開(kāi)通時(shí)間
    Tj---結(jié)溫
    Tjm---最高結(jié)溫
    ton---開(kāi)通時(shí)間
    toff---關(guān)斷時(shí)間
    tr---上升時(shí)間
    trr---反向恢復(fù)時(shí)間
    ts---存儲(chǔ)時(shí)間
    tstg---溫度補(bǔ)償二極管的貯成溫度
    a---溫度系數(shù)
    λp---發(fā)光峰值波長(zhǎng)
    △ λ---光譜半寬度
    η---單結(jié)晶體管分壓比或效率
    VB---反向峰值擊穿電壓
    Vc---整流輸入電壓
    VB2B1---基極間電壓
    VBE10---發(fā)射極與第一基極反向電壓
    VEB---飽和壓降
    VFM---最大正向壓降(正向峰值電壓)
    VF---正向壓降(正向直流電壓)
    △VF---正向壓降差
    VDRM---斷態(tài)重復(fù)峰值電壓
    VGT---門(mén)極觸發(fā)電壓
    VGD---門(mén)極不觸發(fā)電壓
    VGFM---門(mén)極正向峰值電壓
    VGRM---門(mén)極反向峰值電壓
    VF(AV)---正向平均電壓
    Vo---交流輸入電壓
    VOM---最大輸出平均電壓
    Vop---工作電壓
    Vn---中心電壓
    Vp---峰點(diǎn)電壓
    VR---反向工作電壓(反向直流電壓)
    VRM---反向峰值電壓(最高測(cè)試電壓)
    V(BR)---擊穿電壓
    Vth---閥電壓(門(mén)限電壓)
    VRRM---反向重復(fù)峰值電壓(反向浪涌電壓)
    VRWM---反向工作峰值電壓
    V v---谷點(diǎn)電壓
    Vz---穩(wěn)定電壓
    △Vz---穩(wěn)壓范圍電壓增量
    Vs---通向電壓(信號(hào)電壓)或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓
    av---電壓溫度系數(shù)
    Vk---膝點(diǎn)電壓(穩(wěn)流二極管)
    VL ---極限電壓
    三、場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)符號(hào)意義
    Cds---漏-源電容
    Cdu---漏-襯底電容
    Cgd---柵-源電容
    Cgs---漏-源電容
    Ciss---柵短路共源輸入電容
    Coss---柵短路共源輸出電容
    Crss---柵短路共源反向傳輸電容
    D---占空比(占空系數(shù),外電路參數(shù))
    di/dt---電流上升率(外電路參數(shù))
    dv/dt---電壓上升率(外電路參數(shù))
    ID---漏極電流(直流)
    IDM---漏極脈沖電流
    ID(on)---通態(tài)漏極電流
    IDQ---靜態(tài)漏極電流(射頻功率管)
    IDS---漏源電流
    IDSM---最大漏源電流
    IDSS---柵-源短路時(shí),漏極電流
    IDS(sat)---溝道飽和電流(漏源飽和電流)
    IG---柵極電流(直流)
    IGF---正向柵電流
    IGR---反向柵電流
    IGDO---源極開(kāi)路時(shí),截止柵電流
    IGSO---漏極開(kāi)路時(shí),截止柵電流
    IGM---柵極脈沖電流
    IGP---柵極峰值電流
    IF---二極管正向電流
    IGSS---漏極短路時(shí)截止柵電流
    IDSS1---對(duì)管第一管漏源飽和電流
    IDSS2---對(duì)管第二管漏源飽和電流
    Iu---襯底電流
    Ipr---電流脈沖峰值(外電路參數(shù))
    gfs---正向跨導(dǎo)
    Gp---功率增益
    Gps---共源極中和高頻功率增益
    GpG---共柵極中和高頻功率增益
    GPD---共漏極中和高頻功率增益
    ggd---柵漏電導(dǎo)
    gds---漏源電導(dǎo)
    K---失調(diào)電壓溫度系數(shù)
    Ku---傳輸系數(shù)
    L---負(fù)載電感(外電路參數(shù))
    LD---漏極電感
    Ls---源極電感
    rDS---漏源電阻
    rDS(on)---漏源通態(tài)電阻
    rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻
    rGD---柵漏電阻
    rGS---柵源電阻
    Rg---柵極外接電阻(外電路參數(shù))
    RL---負(fù)載電阻(外電路參數(shù))
    R(th)jc---結(jié)殼熱阻
    R(th)ja---結(jié)環(huán)熱阻
    PD---漏極耗散功率
    PDM---漏極最大允許耗散功率
    PIN--輸入功率
    POUT---輸出功率
    PPK---脈沖功率峰值(外電路參數(shù))
    to(on)---開(kāi)通延遲時(shí)間
    td(off)---關(guān)斷延遲時(shí)間
    ti---上升時(shí)間
    ton---開(kāi)通時(shí)間
    toff---關(guān)斷時(shí)間
    tf---下降時(shí)間
    trr---反向恢復(fù)時(shí)間
    Tj---結(jié)溫
    Tjm---最大允許結(jié)溫
    Ta---環(huán)境溫度
    Tc---管殼溫度
    Tstg---貯成溫度
    VDS---漏源電壓(直流)
    VGS---柵源電壓(直流)
    VGSF--正向柵源電壓(直流)
    VGSR---反向柵源電壓(直流)
    VDD---漏極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
    VGG---柵極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
    Vss---源極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
    VGS(th)---開(kāi)啟電壓或閥電壓
    V(BR)DSS---漏源擊穿電壓
    V(BR)GSS---漏源短路時(shí)柵源擊穿電壓
    VDS(on)---漏源通態(tài)電壓
    VDS(sat)---漏源飽和電壓
    VGD---柵漏電壓(直流)
    Vsu---源襯底電壓(直流)
    VDu---漏襯底電壓(直流)
    VGu---柵襯底電壓(直流)
    Zo---驅(qū)動(dòng)源內(nèi)阻
    η---漏極效率(射頻功率管)
    Vn---噪聲電壓
    aID---漏極電流溫度系數(shù)
    ards---漏源電阻溫度系數(shù)
    電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)(5)——繼電器
     
    一、繼電器的工作原理和特性   
    繼電器是一種電子控制器件,它具有控制系統(tǒng)(又稱輸入回路)和被控制系統(tǒng)(又稱輸出回路),通常應(yīng)用于自動(dòng)控制電路中,它實(shí)際上是用較小的電流去控制較大電流的一種“自動(dòng)開(kāi)關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。
    1、電磁繼電器的工作原理和特性
    電磁式繼電器一般由鐵芯、線圈、銜鐵、觸點(diǎn)簧片等組成的。只要在線圈兩端加上一定的電壓,線圈中就會(huì)流過(guò)一定的電流,從而產(chǎn)生電磁效應(yīng),銜鐵就會(huì)在電磁力吸引的作用下克服返回彈簧的拉力吸向鐵芯,從而帶動(dòng)銜鐵的動(dòng)觸點(diǎn)與靜觸點(diǎn)(常開(kāi)觸點(diǎn))吸合。當(dāng)線圈斷電后,電磁的吸力也隨之消失,銜鐵就會(huì)在彈簧的反作用力返回原來(lái)的位置,使動(dòng)觸點(diǎn)與原來(lái)的靜觸點(diǎn)(常閉觸點(diǎn))吸合。這樣吸合、釋放,從而達(dá)到了在電路中的導(dǎo)通、切斷的目的。對(duì)于繼電器的“常開(kāi)、常閉”觸點(diǎn),可以這樣來(lái)區(qū)分:繼電器線圈未通電時(shí)處于斷開(kāi)狀態(tài)的靜觸點(diǎn),稱為“常開(kāi)觸點(diǎn)”;處于接通狀態(tài)的靜觸點(diǎn)稱為“常閉觸點(diǎn)”。
    2、熱敏干簧繼電器的工作原理和特性
    熱敏干簧繼電器是一種利用熱敏磁性材料檢測(cè)和控制溫度的新型熱敏開(kāi)關(guān)。它由感溫磁環(huán)、恒磁環(huán)、干簧管、導(dǎo)熱安裝片、塑料襯底及其他一些附件組成。熱敏干簧繼電器不用線圈勵(lì)磁,而由恒磁環(huán)產(chǎn)生的磁力驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)動(dòng)作。恒磁環(huán)能否向干簧管提供磁力是由感溫磁環(huán)的溫控特性決定的。
    3、固態(tài)繼電器(SSR)的工作原理和特性
    固態(tài)繼電器是一種兩個(gè)接線端為輸入端,另兩個(gè)接線端為輸出端的四端器件,中間采用隔離器件實(shí)現(xiàn)輸入輸出的電隔離。
    固態(tài)繼電器按負(fù)載電源類型可分為交流型和直流型。按開(kāi)關(guān)型式可分為常開(kāi)型和常閉型。按隔離型式可分為混合型、變壓器隔離型和光電隔離型,以光電隔離型為最多。.
    二、繼電器主要產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)
    1、額定工作電壓
      是指繼電器正常工作時(shí)線圈所需要的電壓。根據(jù)繼電器的型號(hào)不同,可以是交流電壓,也可以是直流電壓。
    2、直流電阻
      是指繼電器中線圈的直流電阻,可以通過(guò)萬(wàn)能表測(cè)量。
    3、吸合電流
      是指繼電器能夠產(chǎn)生吸合動(dòng)作的最小電流。在正常使用時(shí),給定的電流必須略大于吸合電流,這樣繼電器才能穩(wěn)定地工作。而對(duì)于線圈所加的工作電壓,一般不要超過(guò)額定工作電壓的1.5倍,否則會(huì)產(chǎn)生較大的電流而把線圈燒毀。
    4、釋放電流
     是指繼電器產(chǎn)生釋放動(dòng)作的最大電流。當(dāng)繼電器吸合狀態(tài)的電流減小到一定程度時(shí),繼電器就會(huì)恢復(fù)到未通電的釋放狀態(tài)。這時(shí)的電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于吸合電流。
    5、觸點(diǎn)切換電壓和電流
     是指繼電器允許加載的電壓和電流。它決定了繼電器能控制電壓和電流的大小,使用時(shí)不能超過(guò)此值,否則很容易損壞繼電器的觸點(diǎn)。
    三、繼電器測(cè)試
    1、測(cè)觸點(diǎn)電阻
      用萬(wàn)能表的電阻檔,測(cè)量常閉觸點(diǎn)與動(dòng)點(diǎn)電阻,其阻值應(yīng)為0;而常開(kāi)觸點(diǎn)與動(dòng)點(diǎn)的阻值就為無(wú)窮大。由此可以區(qū)別出那個(gè)是常閉觸點(diǎn),那個(gè)是常開(kāi)觸點(diǎn)。
    2、測(cè)線圈電阻
      可用萬(wàn)能表R×10Ω檔測(cè)量繼電器線圈的阻值,從而判斷該線圈是否存在著開(kāi)路現(xiàn)象。
    3、測(cè)量吸合電壓和吸合電流
      找來(lái)可調(diào)穩(wěn)壓電源和電流表,給繼電器輸入一組電壓,且在供電回路中串入電流表進(jìn)行監(jiān)測(cè)。慢慢調(diào)高電源電壓,聽(tīng)到繼電器吸合聲時(shí),記下該吸合電壓和吸合電流。為求準(zhǔn)確,可以試多幾次而求平均值。
    4、測(cè)量釋放電壓和釋放電流
      也是像上述那樣連接測(cè)試,當(dāng)繼電器發(fā)生吸合后,再逐漸降低供電電壓,當(dāng)聽(tīng)到繼電器再次發(fā)生釋放聲音時(shí),記下此時(shí)的電壓和電流,亦可嘗試多幾次而取得平均的釋放電壓和釋放電流。一般情況下,繼電器的釋放電壓約在吸合電壓的10~50%,如果釋放電壓太小(小于1/10的吸合電壓),則不能正常使用了,這樣會(huì)對(duì)電路的穩(wěn)定性造成威脅,工作不可*。
    四、繼電器的電符號(hào)和觸點(diǎn)形式
    繼電器線圈在電路中用一個(gè)長(zhǎng)方框符號(hào)表示,如果繼電器有兩個(gè)線圈,就畫(huà)兩個(gè)并列的長(zhǎng)方框。同時(shí)在長(zhǎng)方框內(nèi)或長(zhǎng)方框旁標(biāo)上繼電器的文字符號(hào)“J”。繼電器的觸點(diǎn)有兩種表示方法:一種是把它們直接畫(huà)在長(zhǎng)方框一側(cè),這種表示法較為直觀。另一種是按照電路連接的需要,把各個(gè)觸點(diǎn)分別畫(huà)到各自的控制電路中,通常在同一繼電器的觸點(diǎn)與線圈旁分別標(biāo)注上相同的文字符號(hào),并將觸點(diǎn)組編上號(hào)碼,以示區(qū)別。繼電器的觸點(diǎn)有三種基本形式:
    1.動(dòng)合型(H型)線圈不通電時(shí)兩觸點(diǎn)是斷開(kāi)的,通電后,兩個(gè)觸點(diǎn)就閉合。以合字的拼音字頭“H”表示。
    2.動(dòng)斷型(D型)線圈不通電時(shí)兩觸點(diǎn)是閉合的,通電后兩個(gè)觸點(diǎn)就斷開(kāi)。用斷字的拼音字頭“D”表示。
    3.轉(zhuǎn)換型(Z型)這是觸點(diǎn)組型。這種觸點(diǎn)組共有三個(gè)觸點(diǎn),即中間是動(dòng)觸點(diǎn),上下各一個(gè)靜觸點(diǎn)。線圈不通電時(shí),動(dòng)觸點(diǎn)和其中一個(gè)靜觸點(diǎn)斷開(kāi)和另一個(gè)閉合,線圈通電后,動(dòng)觸點(diǎn)就移動(dòng),使原來(lái)斷開(kāi)的成閉合,原來(lái)閉合的成斷開(kāi)狀態(tài),達(dá)到轉(zhuǎn)換的目的。這樣的觸點(diǎn)組稱為轉(zhuǎn)換觸點(diǎn)。用“轉(zhuǎn)”字的拼音字頭“z”表示。
    五、繼電器的選用
    1.先了解必要的條件:①控制電路的電源電壓,能提供的最大電流;②被控制電路中的電壓和電流;③被控電路需要幾組、什么形式的觸點(diǎn)。選用繼電器時(shí),一般控制電路的電源電壓可作為選用的依據(jù)。控制電路應(yīng)能給繼電器提供足夠的工作電流,否則繼電器吸合是不穩(wěn)定的。
    2.查閱有關(guān)資料確定使用條件后,可查找相關(guān)資料,找出需要的繼電器的型號(hào)和規(guī)格號(hào)。若手頭已有繼電器,可依據(jù)資料核對(duì)是否可以利用。最后考慮尺寸是否合適。
    3.注意器具的容積。若是用于一般用電器,除考慮機(jī)箱容積外,小型繼電器主要考慮電路板安裝布局。對(duì)于小型電器,如玩具、遙控裝置則應(yīng)選用超小型繼電器產(chǎn)品。電子電路基礎(chǔ)知識(shí)
    電路基礎(chǔ)知識(shí)(一)
    電路基礎(chǔ)知識(shí)(1)——電阻
    導(dǎo)電體對(duì)電流的阻礙作用稱著電阻,用符號(hào)R表示,單位為歐姆、千歐、兆歐,分別用Ω、KΩ、MΩ表示。
    一、電阻的型號(hào)命名方法:
    國(guó)產(chǎn)電阻器的型號(hào)由四部分組成(不適用敏感電阻)
    第一部分:主稱 ,用字母表示,表示產(chǎn)品的名字。如R表示電阻,W表示電位器。
    第二部分:材料 ,用字母表示,表示電阻體用什么材料組成,T-碳膜、H-合成碳膜、S-有機(jī)實(shí)心、N-無(wú)機(jī)實(shí)心、J-金屬膜、Y-氮化膜、C-沉積膜、I-玻璃釉膜、X-線繞。
    第三部分:分類,一般用數(shù)字表示,個(gè)別類型用字母表示,表示產(chǎn)品屬于什么類型。1-普通、2-普通、3-超高頻 、4-高阻、5-高溫、6-精密、7-精密、8-高壓、9-特殊、G-高功率、T-可調(diào)。
    第四部分:序號(hào),用數(shù)字表示,表示同類產(chǎn)品中不同品種,以區(qū)分產(chǎn)品的外型尺寸和性能指標(biāo)等
    例如:R T 1 1 型普通碳膜電阻a1}
    二、電阻器的分類              
    1、線繞電阻器:通用線繞電阻器、精密線繞電阻器、大功率線繞電阻器、高頻線繞電阻器。
    2、薄膜電阻器:碳膜電阻器、合成碳膜電阻器、金屬膜電阻器、金屬氧化膜電阻器、化學(xué)沉積膜電阻器、玻璃釉膜電阻器、金屬氮化膜電阻器。
    3、實(shí)心電阻器:無(wú)機(jī)合成實(shí)心碳質(zhì)電阻器、有機(jī)合成實(shí)心碳質(zhì)電阻器。
    4、敏感電阻器:壓敏電阻器、熱敏電阻器、光敏電阻器、力敏電阻器、氣敏電阻器、濕敏電阻器。
    三、主要特性參數(shù)
    1、標(biāo)稱阻值:電阻器上面所標(biāo)示的阻值。
    2、允許誤差:標(biāo)稱阻值與實(shí)際阻值的差值跟標(biāo)稱阻值之比的百分?jǐn)?shù)稱阻值偏差,它表示電阻器的精度。
    允許誤差與精度等級(jí)對(duì)應(yīng)關(guān)系如下:±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00)、±2%-0.2(或0)、±5%-Ⅰ級(jí)、±10%-Ⅱ級(jí)、±20%-Ⅲ級(jí)
    3、額定功率:在正常的大氣壓力90-106.6KPa及環(huán)境溫度為-55℃~+70℃的條件下,電阻器長(zhǎng)期工作所允許耗散的最大功率。
    線繞電阻器額定功率系列為(W):1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500
    非線繞電阻器額定功率系列為(W):1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100
    4、額定電壓:由阻值和額定功率換算出的電壓。
    5、最高工作電壓:允許的最大連續(xù)工作電壓。在低氣壓工作時(shí),最高工作電壓較低。
    6、溫度系數(shù):溫度每變化1℃所引起的電阻值的相對(duì)變化。溫度系數(shù)越小,電阻的穩(wěn)定性越好。阻值隨溫度升高而增大的為正溫度系數(shù),反之為負(fù)溫度系數(shù)。
    7、老化系數(shù):電阻器在額定功率長(zhǎng)期負(fù)荷下,阻值相對(duì)變化的百分?jǐn)?shù),它是表示電阻器壽命長(zhǎng)短的參數(shù)。
    8、電壓系數(shù):在規(guī)定的電壓范圍內(nèi),電壓每變化1伏,電阻器的相對(duì)變化量。
    9、噪聲:產(chǎn)生于電阻器中的一種不規(guī)則的電壓起伏,包括熱噪聲和電流噪聲兩部分,熱噪聲是由于導(dǎo)體內(nèi)部不規(guī)則的電子自由運(yùn)動(dòng),使導(dǎo)體任意兩點(diǎn)的電壓不規(guī)則變化。
    四、電阻器阻值標(biāo)示方法
    1、直標(biāo)法:用數(shù)字和單位符號(hào)在電阻器表面標(biāo)出阻值,其允許誤差直接用百分?jǐn)?shù)表示,若電阻上未注偏差,則均為±20%。
    2、文字符號(hào)法:用阿拉伯?dāng)?shù)字和文字符號(hào)兩者有規(guī)律的組合來(lái)表示標(biāo)稱阻值,其允許偏差也用文字符號(hào)表示。符號(hào)前面的數(shù)字表示整數(shù)阻值,后面的數(shù)字依次表示第一位小數(shù)阻值和第二位小數(shù)阻值。
    表示允許誤差的文字符號(hào)
    文字符號(hào) D F G J K M
    允許偏差 ±0.5% ±1% ±2% ±5% ±10% ±20%
    3、數(shù)碼法:在電阻器上用三位數(shù)碼表示標(biāo)稱值的標(biāo)志方法。數(shù)碼從左到右,第一、二位為有效值,第三位為指數(shù),即零的個(gè)數(shù),單位為歐。偏差通常采用文字符號(hào)表示。
    4、色標(biāo)法:用不同顏色的帶或點(diǎn)在電阻器表面標(biāo)出標(biāo)稱阻值和允許偏差。國(guó)外電阻大部分采用色標(biāo)法。
    黑-0、棕-1、紅-2、橙-3、黃-4、綠-5、藍(lán)-6、紫-7、灰-8、白-9、金-±5%、銀-±10%、無(wú)色-±20%
    當(dāng)電阻為四環(huán)時(shí),最后一環(huán)必為金色或銀色,前兩位為有效數(shù)字, 第三位為乘方數(shù),第四位為偏差。 當(dāng)電阻為五環(huán)時(shí),最後一環(huán)與前面四環(huán)距離較大。前三位為有效數(shù)字, 第四位為乘方數(shù), 第五位為偏差。
    五、常用電阻器
    1、電位器
    電位器是一種機(jī)電元件,他*電刷在電阻體上的滑動(dòng),取得與電刷位移成一定關(guān)系的輸出電壓。
    1.1 合成碳膜電位器
    電阻體是用經(jīng)過(guò)研磨的碳黑,石墨,石英等材料涂敷于基體表面而成,該工藝簡(jiǎn)單, 是目前應(yīng)用最廣泛的電位器。特點(diǎn)是分辯力高耐磨性好,壽命較長(zhǎng)。缺點(diǎn)是電流噪聲,非線性大, 耐潮性以及阻值穩(wěn)定性差。
    1.2 有機(jī)實(shí)心電位器
    有機(jī)實(shí)心電位器是一種新型電位器,它是用加熱塑壓的方法,將有機(jī)電阻粉壓在絕緣體的凹槽內(nèi)。有機(jī)實(shí)心電位器與碳膜電位器相比具有耐熱性好、功率大、可*性高、耐磨性好的優(yōu)點(diǎn)。但溫度系數(shù)大、動(dòng)噪聲大、耐潮性能差、制造工藝復(fù)雜、阻值精度較差。在小型化、高可*、高耐磨性的電子設(shè)備以及交、直流電路中用作調(diào)節(jié)電壓、電流。
    1.3 金屬玻璃鈾電位器
    用絲網(wǎng)印刷法按照一定圖形,將金屬玻璃鈾電阻漿料涂覆在陶瓷基體上,經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而成。特點(diǎn)是:阻值范圍寬,耐熱性好,過(guò)載能力強(qiáng),耐潮,耐磨等都很好, 是很有前途的電位器品種,缺點(diǎn)是接觸電阻和電流噪聲大。
    1.4 繞線電位器
    繞線電位器是將康銅絲或鎳鉻合金絲作為電阻體,并把它繞在絕緣骨架上制成。繞線電位器特點(diǎn)是接觸電阻小,精度高,溫度系數(shù)小,其缺點(diǎn)是分辨力差,阻值偏低,高頻特性差。主要用作分壓器、變阻器、儀器中調(diào)零和工作點(diǎn)等。
    1.5 金屬膜電位器
    金屬膜電位器的電阻體可由合金膜、金屬氧化膜、金屬箔等分別組成。特點(diǎn)是分辯力高、耐高溫、溫度系數(shù)小、動(dòng)噪聲小、平滑性好。
    1.6 導(dǎo)電塑料電位器
    用特殊工藝將DAP(鄰苯二甲酸二稀丙脂)電阻漿料覆在絕緣機(jī)體上,加熱聚合成電阻膜,或?qū)AP電阻粉熱塑壓在絕緣基體的凹槽內(nèi)形成的實(shí)心體作為電阻體。特點(diǎn)是:平滑性好、分辯力優(yōu)異耐磨性好、壽命長(zhǎng)、動(dòng)噪聲小、可*性極高、耐化學(xué)腐蝕。用于宇宙裝置、導(dǎo)彈、飛機(jī)雷達(dá)天線的伺服系統(tǒng)等。
    1.7 帶開(kāi)關(guān)的電位器
    有旋轉(zhuǎn)式開(kāi)關(guān)電位器、推拉式開(kāi)關(guān)電位器、推推開(kāi)關(guān)式電位器
    1.8 預(yù)調(diào)式電位器
    預(yù)調(diào)式電位器在電路中,一旦調(diào)試好,用蠟封住調(diào)節(jié)位置,在一般情況下不再調(diào)節(jié)。
    1.9 直滑式電位器
    采用直滑方式改變電阻值。
    1.10 雙連電位器
    有異軸雙連電位器和同軸雙連電位器
    1.11 無(wú)觸點(diǎn)電位器
    無(wú)觸點(diǎn)電位器消除了機(jī)械接觸,壽命長(zhǎng)、可*性高,分光電式電位器、磁敏式電位器等。
    2、實(shí)芯碳質(zhì)電阻器
    用碳質(zhì)顆粒壯導(dǎo)電物質(zhì)、填料和粘合劑混合制成一個(gè)實(shí)體的電阻器。
    特點(diǎn):價(jià)格低廉,但其阻值誤差、噪聲電壓都大,穩(wěn)定性差,目前較少用。
    3、繞線電阻器
    用高阻合金線繞在絕緣骨架上制成,外面涂有耐熱的釉絕緣層或絕緣漆。
    繞線電阻具有較低的溫度系數(shù),阻值精度高, 穩(wěn)定性好,耐熱耐腐蝕,主要做精密大功率電阻使用,缺點(diǎn)是高頻性能差,時(shí)間常數(shù)大。
    4、薄膜電阻器
    用蒸發(fā)的方法將一定電阻率材料蒸鍍于絕緣材料表面制成。主要如下:
    4.1 碳膜電阻器
    將結(jié)晶碳沉積在陶瓷棒骨架上制成。碳膜電阻器成本低、性能穩(wěn)定、阻值范圍寬、溫度系數(shù)和電壓系數(shù)低,是目前應(yīng)用最廣泛的電阻器。
    4.2 金屬膜電阻器。
    用真空蒸發(fā)的方法將合金材料蒸鍍于陶瓷棒骨架表面。
    金屬膜電阻比碳膜電阻的精度高,穩(wěn)定性好,噪聲, 溫度系數(shù)小。在儀器儀表及通訊設(shè)備中大量采用。
    4.3 金屬氧化膜電阻器
    在絕緣棒上沉積一層金屬氧化物。由于其本身即是氧化物,所以高溫下穩(wěn)定,耐熱沖擊,負(fù)載能力強(qiáng)。
    4.4 合成膜電阻
    將導(dǎo)電合成物懸浮液涂敷在基體上而得,因此也叫漆膜電阻。
    由于其導(dǎo)電層呈現(xiàn)顆粒狀結(jié)構(gòu),所以其噪聲大,精度低,主要用他制造高壓, 高阻, 小型電阻器。
    5、金屬玻璃鈾電阻器
    將金屬粉和玻璃鈾粉混合,采用絲網(wǎng)印刷法印在基板上。
    耐潮濕, 高溫, 溫度系數(shù)小,主要應(yīng)用于厚膜電路。
    6、貼片電阻SMT
    片狀電阻是金屬玻璃鈾電阻的一種形式,他的電阻體是高可*的釕系列玻璃鈾材料經(jīng)過(guò)高溫?zé)Y(jié)而成,電極采用銀鈀合金漿料。體積小,精度高,穩(wěn)定性好,由于其為片狀元件,所以高頻性能好。
    7、敏感電阻
    敏感電阻是指器件特性對(duì)溫度,電壓,濕度,光照,氣體, 磁場(chǎng),壓力等作用敏感的電阻器。
    敏感電阻的符號(hào)是在普通電阻的符號(hào)中加一斜線,并在旁標(biāo)注敏感電阻的類型,如:t. v等。
    7.1、壓敏電阻
    主要有碳化硅和氧化鋅壓敏電阻,氧化鋅具有更多的優(yōu)良特性。
    7.2、濕敏電阻
    由感濕層,電極, 絕緣體組成,濕敏電阻主要包括氯化鋰濕敏電阻,碳濕敏電阻,氧化物濕敏電阻。氯化鋰濕敏電阻隨濕度上升而電阻減小,缺點(diǎn)為測(cè)試范圍小,特性重復(fù)性不好,受溫度影響大。碳濕敏電阻缺點(diǎn)為低溫靈敏度低,阻值受溫度影響大,由老化特性, 較少使用。
    氧化物濕敏電阻性能較優(yōu)越,可長(zhǎng)期使用,溫度影響小,阻值與濕度變化呈線性關(guān)系。有氧化錫,鎳鐵酸鹽,等材料。
    7.3、光敏電阻
    光敏電阻是電導(dǎo)率隨著光量力的變化而變化的電子元件,當(dāng)某種物質(zhì)受到光照時(shí),載流子的濃度增加從而增加了電導(dǎo)率,這就是光電導(dǎo)效應(yīng)。
    7.4、氣敏電阻
    利用某些半導(dǎo)體吸收某種氣體后發(fā)生氧化還原反應(yīng)制成,主要成分是金屬氧化物,主要品種有:金屬氧化物氣敏電阻、復(fù)合氧化物氣敏電阻、陶瓷氣敏電阻等。
    7.5、力敏電阻
    力敏電阻是一種阻值隨壓力變化而變化的電阻,國(guó)外稱為壓電電阻器。所謂壓力電阻效應(yīng)即半導(dǎo)體材料的電阻率隨機(jī)械應(yīng)力的變化而變化的效應(yīng)。可制成各種力矩計(jì),半導(dǎo)體話筒,壓力傳感器等。主要品種有硅力敏電阻器,硒碲合金力敏電阻器,相對(duì)而言, 合金電阻器具有更高靈敏度。
    電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)(2)——電容
    電容是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一,廣泛應(yīng)用于隔直,耦合, 旁路,濾波,調(diào)諧回路, 能量轉(zhuǎn)換,控制電路等方面。用C表示電容,電容單位有法拉(F)、微法拉(uF)、皮法拉(pF),1F=10^6uF=10^12pF
    一、電容器的型號(hào)命名方法
    國(guó)產(chǎn)電容器的型號(hào)一般由四部分組成(不適用于壓敏、可變、真空電容器)。依次分別代表名稱、材料、分類和序號(hào)。
    第一部分:名稱,用字母表示,電容器用C。
    第二部分:材料,用字母表示。
    第三部分:分類,一般用數(shù)字表示,個(gè)別用字母表示。
    第四部分:序號(hào),用數(shù)字表示。
    用字母表示產(chǎn)品的材料:A-鉭電解、B-聚苯乙烯等非極性薄膜、C-高頻陶瓷、D-鋁電解、E-其它材料電解、G-合金電解、H-復(fù)合介質(zhì)、I-玻璃釉、J-金屬化紙、L-滌綸等極性有機(jī)薄膜、N-鈮電解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低頻陶瓷、V-云母紙、Y-云母、Z-紙介
     
    二、電容器的分類
    按照結(jié)構(gòu)分三大類:固定電容器、可變電容器和微調(diào)電容器。
    按電解質(zhì)分類有:有機(jī)介質(zhì)電容器、無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器、電解電容器和空氣介質(zhì)電容器等。
    按用途分有:高頻旁路、低頻旁路、濾波、調(diào)諧、高頻耦合、低頻耦合、小型電容器。
    高頻旁路:陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、滌綸電容器、玻璃釉電容器。
    低頻旁路:紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、滌綸電容器。
    濾 波:鋁電解電容器、紙介電容器、復(fù)合紙介電容器、液體鉭電容器。
    調(diào) 諧:陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、聚苯乙烯電容器。
    高頻耦合:陶瓷電容器、云母電容器、聚苯乙烯電容器。
    低頻耦合:紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、滌綸電容器、固體鉭電容器。
    小型電容:金屬化紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、聚苯乙烯電容器、固體鉭電容器、玻璃釉電容器、金屬化滌綸電容器、聚丙烯電容器、云母電容器。
     
    三、常用電容器
    1、鋁電解電容器
    用浸有糊狀電解質(zhì)的吸水紙夾在兩條鋁箔中間卷繞而成,薄的化氧化膜作介質(zhì)的電容器.因?yàn)檠趸び袉蜗驅(qū)щ娦再|(zhì),所以電解電容器具有極性.容量大,能耐受大的脈動(dòng)電流容量誤差大,泄漏電流大;普通的不適于在高頻和低溫下應(yīng)用,不宜使用在25kHz以上頻率低頻旁路、信號(hào)耦合、電源濾波
    2、鉭電解電容器
    用燒結(jié)的鉭塊作正極,電解質(zhì)使用固體二氧化錳溫度特性、頻率特性和可*性均優(yōu)于普通電解電容器,特別是漏電流極小,貯存性良好,壽命長(zhǎng),容量誤差小,而且體積小,單位體積下能得到最大的電容電壓乘積對(duì)脈動(dòng)電流的耐受能力差,若損壞易呈短路狀態(tài)超小型高可*機(jī)件中
    3、薄膜電容器
    結(jié)構(gòu)與紙質(zhì)電容器相似,但用聚脂、聚苯乙烯等低損耗塑材作介質(zhì)頻率特性好,介電損耗小不能做成大的容量,耐熱能力差濾波器、積分、振蕩、定時(shí)電路
    4、瓷介電容器
    穿心式或支柱式結(jié)構(gòu)瓷介電容器,它的一個(gè)電極就是安裝螺絲。引線電感極小,頻率特性好,介電損耗小,有溫度補(bǔ)償作用不能做成大的容量,受振動(dòng)會(huì)引起容量變化特別適于高頻旁路
    5、獨(dú)石電容器
    (多層陶瓷電容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以電極槳材料,疊合后一次繞結(jié)成一塊不可分割的整體,外面再用樹(shù)脂包封而成小體積、大容量、高可*和耐高溫的新型電容器,高介電常數(shù)的低頻獨(dú)石電容器也具有穩(wěn)定的性能,體積極小,Q值高容量誤差較大噪聲旁路、濾波器、積分、振蕩電路
    6、紙質(zhì)電容器
    一般是用兩條鋁箔作為電極,中間以厚度為0.008~0.012mm的電容器紙隔開(kāi)重疊卷繞而成。制造工藝簡(jiǎn)單,價(jià)格便宜,能得到較大的電容量 
    一般在低頻電路內(nèi),通常不能在高于3~4MHz的頻率上運(yùn)用。油浸電容器的耐壓比普通紙質(zhì)電容器高,穩(wěn)定性也好,適用于高壓電路
    7、微調(diào)電容器
    電容量可在某一小范圍內(nèi)調(diào)整,并可在調(diào)整后固定于某個(gè)電容值。
    瓷介微調(diào)電容器的Q值高,體積也小,通常可分為圓管式及圓片式兩種。
    8、云母和聚苯乙烯介質(zhì)的通常都采用彈簧式東,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,但穩(wěn)定性較差。
    線繞瓷介微調(diào)電容器是拆銅絲〈外電極〉來(lái)變動(dòng)電容量的,故容量只能變小,不適合在需反復(fù)調(diào)試的場(chǎng)合使用
    9、陶瓷電容器
    用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤(pán)作為介質(zhì),并用燒滲法將銀鍍?cè)谔沾缮献鳛殡姌O制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。
    具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器,用于高穩(wěn)定振蕩回路中,作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用,或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場(chǎng)合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中,因?yàn)樗鼈円子诒幻}沖電壓擊穿。高頻瓷介電容器適用于高頻電路
    云母電容器就結(jié)構(gòu)而言,可分為箔片式及被銀式。被銀式電極為直接在云母片上用真空蒸發(fā)法或燒滲法鍍上銀層而成,由于消除了空氣間隙,溫度系數(shù)大為下降,電容穩(wěn)定性也比箔片式高。頻率特性好,Q值高,溫度系數(shù)小不能做成大的容量廣泛應(yīng)用在高頻電器中,并可用作標(biāo)準(zhǔn)電容器
    10、玻璃釉電容器由一種濃度適于噴涂的特殊混合物噴涂成薄膜而成,介質(zhì)再以銀層電極經(jīng)燒結(jié)而成"獨(dú)石"結(jié)構(gòu)性能可與云母電容器媲美,能耐受各種氣候環(huán)境,一般可在200℃或更高溫度下工作,額定工作電壓可達(dá)500V,損耗tgδ0.0005~0.008 
     
    四、電容器主要特性參數(shù):
    1、標(biāo)稱電容量和允許偏差
    標(biāo)稱電容量是標(biāo)志在電容器上的電容量。
    電容器實(shí)際電容量與標(biāo)稱電容量的偏差稱誤差,在允許的偏差范圍稱精度。
    精度等級(jí)與允許誤差對(duì)應(yīng)關(guān)系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)
    一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級(jí),電解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ級(jí),根據(jù)用途選取。
    2、額定電壓
    在最低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的最高直流電壓有效值,一般直接標(biāo)注在電容器外殼上,如果工作電壓超過(guò)電容器的耐壓,電容器擊穿,造成不可修復(fù)的永久損壞。
    3、絕緣電阻
    直流電壓加在電容上,并產(chǎn)生漏電電流,兩者之比稱為絕緣電阻.
    當(dāng)電容較小時(shí),主要取決于電容的表面狀態(tài),容量〉0.1uf時(shí),主要取決于介質(zhì)的性能,絕緣電阻越小越好。
    電容的時(shí)間常數(shù):為恰當(dāng)?shù)脑u(píng)價(jià)大容量電容的絕緣情況而引入了時(shí)間常數(shù),他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。
    4、損耗
    電容在電場(chǎng)作用下,在單位時(shí)間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗允許值,電容的損耗主要由介質(zhì)損耗,電導(dǎo)損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。 
    在直流電場(chǎng)的作用下,電容器的損耗以漏導(dǎo)損耗的形式存在,一般較小,在交變電場(chǎng)的作用下,電容的損耗不僅與漏導(dǎo)有關(guān),而且與周期性的極化建立過(guò)程有關(guān)。
     
    5、頻率特性
    隨著頻率的上升,一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律。
     
    五、電容器容量標(biāo)示
    1、直標(biāo)法
    用數(shù)字和單位符號(hào)直接標(biāo)出。如01uF表示0.01微法,有些電容用“R”表示小數(shù)點(diǎn),如R56表示0.56微法。
    2、文字符號(hào)法
    用數(shù)字和文字符號(hào)有規(guī)律的組合來(lái)表示容量。如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF, 2u2表示2.2uF.
    3、色標(biāo)法
    用色環(huán)或色點(diǎn)表示電容器的主要參數(shù)。電容器的色標(biāo)法與電阻相同。
    電容器偏差標(biāo)志符號(hào):+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。
    電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)(3)——電感線圈
    電感線圈是由導(dǎo)線一圈*一圈地繞在絕緣管上,導(dǎo)線彼此互相絕緣,而絕緣管可以是空心的,也可以包含鐵芯或磁粉芯,簡(jiǎn)稱電感。用L表示,單位有亨利(H)、毫亨利 (mH)、微亨利(uH),1H=10^3mH=10^6uH。
    一、電感的分類
    按 電感形式 分類:固定電感、可變電感。
    按導(dǎo)磁體性質(zhì)分類:空芯線圈、鐵氧體線圈、鐵芯線圈、銅芯線圈。
    按 工作性質(zhì) 分類:天線線圈、振蕩線圈、扼流線圈、陷波線圈、偏轉(zhuǎn)線圈。
    按 繞線結(jié)構(gòu) 分類:?jiǎn)螌泳€圈、多層線圈、蜂房式線圈。
    二、電感線圈的主要特性參數(shù)
    1、電感量L
    電感量L表示線圈本身固有特性,與電流大小無(wú)關(guān)。除專門(mén)的電感線圈(色碼電感)外,電感量一般不專門(mén)標(biāo)注在線圈上,而以特定的名稱標(biāo)注。
    2、感抗XL
    電感線圈對(duì)交流電流阻礙作用的大小稱感抗XL,單位是歐姆。它與電感量L和交流電頻率f的關(guān)系為XL=2πfL
    3、品質(zhì)因素Q
    品質(zhì)因素Q是表示線圈質(zhì)量的一個(gè)物理量,Q為感抗XL與其等效的電阻的比值,即:Q=XL/R
    線圈的Q值愈高,回路的損耗愈小。線圈的Q值與導(dǎo)線的直流電阻,骨架的介質(zhì)損耗,屏蔽罩或鐵芯引起的損耗,高頻趨膚效應(yīng)的影響等因素有關(guān)。線圈的Q值通常為幾十到幾百。
    4、分布電容
    線圈的匝與匝間、線圈與屏蔽罩間、線圈與底版間存在的電容被稱為分布電容。分布電容的存在使線圈的Q值減小,穩(wěn)定性變差,因而線圈的分布電容越小越好。
    三、常用線圈
    1、單層線圈
    單層線圈是用絕緣導(dǎo)線一圈挨一圈地繞在紙筒或膠木骨架上。如晶體管收音機(jī)中波天線線圈。
    2、蜂房式線圈
    如果所繞制的線圈,其平面不與旋轉(zhuǎn)面平行,而是相交成一定的角度,這種線圈稱為蜂房式線圈。而其旋轉(zhuǎn)一周,導(dǎo)線來(lái)回彎折的次數(shù),常稱為折點(diǎn)數(shù)。蜂房式繞法的優(yōu)點(diǎn)是體積小,分布電容小,而且電感量大。蜂房式線圈都是利用蜂房繞線機(jī)來(lái)繞制,折點(diǎn)越多,分布電容越小
    3、鐵氧體磁芯和鐵粉芯線圈
    線圈的電感量大小與有無(wú)磁芯有關(guān)。在空芯線圈中插入鐵氧體磁芯,可增加電感量和提高線圈的品質(zhì)因素。
    4、銅芯線圈
    銅芯線圈在超短波范圍應(yīng)用較多,利用旋動(dòng)銅芯在線圈中的位置來(lái)改變電感量,這種調(diào)整比較方便、耐用。
    5、色碼電感器
    色碼電感器是具有固定電感量的電感器,其電感量標(biāo)志方法同電阻一樣以色環(huán)來(lái)標(biāo)記。
    6、阻流圈(扼流圈)
    限制交流電通過(guò)的線圈稱阻流圈,分高頻阻流圈和低頻阻流圈。
    7、偏轉(zhuǎn)線圈
    偏轉(zhuǎn)線圈是電視機(jī)掃描電路輸出級(jí)的負(fù)載,偏轉(zhuǎn)線圈要求:偏轉(zhuǎn)靈敏度高、磁場(chǎng)均勻、Q值高、體積小、價(jià)格低。
    變壓器
    變壓器是變換交流電壓、電流和阻抗的器件,當(dāng)初級(jí)線圈中通有交流電流時(shí),鐵芯(或磁芯)中便產(chǎn)生交流磁通,使次級(jí)線圈中感應(yīng)出電壓(或電流)。變壓器由鐵芯(或磁芯)和線圈組成,線圈有兩個(gè)或兩個(gè)以上的繞組,其中接電源的繞組叫初級(jí)線圈,其余的繞組叫次級(jí)線圈。
    一、分類
    按冷卻方式分類:干式(自冷)變壓器、油浸(自冷)變壓器、氟化物(蒸發(fā)冷卻)變壓器。
    按防潮方式分類:開(kāi)放式變壓器、灌封式變壓器、密封式變壓器。
    按鐵芯或線圈結(jié)構(gòu)分類:芯式變壓器(插片鐵芯、C型鐵芯、鐵氧體鐵芯)、殼式變壓器(插片鐵芯、C型鐵芯、鐵氧體鐵芯)、環(huán)型變壓器、金屬箔變壓器。
    按電源相數(shù)分類:?jiǎn)蜗嘧儔浩鳌⑷嘧儔浩鳌⒍嘞嘧儔浩鳌?/div>
    按用途分類:電源變壓器、調(diào)壓變壓器、音頻變壓器、中頻變壓器、高頻變壓器、脈沖變壓器。
    二、電源變壓器的特性參數(shù)
    1 工作頻率
    變壓器鐵芯損耗與頻率關(guān)系很大,故應(yīng)根據(jù)使用頻率來(lái)設(shè)計(jì)和使用,這種頻率稱工作頻率。
    2 額定功率
    在規(guī)定的頻率和電壓下,變壓器能長(zhǎng)期工作,而不超過(guò)規(guī)定溫升的輸出功率。
    3 額定電壓
    指在變壓器的線圈上所允許施加的電壓,工作時(shí)不得大于規(guī)定值。
    4 電壓比
    指變壓器初級(jí)電壓和次級(jí)電壓的比值,有空載電壓比和負(fù)載電壓比的區(qū)別。
    5 空載電流
    變壓器次級(jí)開(kāi)路時(shí),初級(jí)仍有一定的電流,這部分電流稱為空載電流。空載電流由磁化電流(產(chǎn)生磁通)和鐵損電流(由鐵芯損耗引起)組成。對(duì)于50Hz電源變壓器而言,空載電流基本上等于磁化電流。
    6 空載損耗:指變壓器次級(jí)開(kāi)路時(shí),在初級(jí)測(cè)得功率損耗。主要損耗是鐵芯損耗,其次是空載電流在初級(jí)線圈銅阻上產(chǎn)生的損耗(銅損),這部分損耗很小。
    7 效率
    指次級(jí)功率P2與初級(jí)功率P1比值的百分比。通常變壓器的額定功率愈大,效率就愈高。
    8 絕緣電阻
    表示變壓器各線圈之間、各線圈與鐵芯之間的絕緣性能。絕緣電阻的高低與所使用的絕緣材料的性能、溫度高低和潮濕程度有關(guān)。
    三、音頻變壓器和高頻變壓器特性參數(shù)
    1 頻率響應(yīng)
    指變壓器次級(jí)輸出電壓隨工作頻率變化的特性。
    2 通頻帶
    如果變壓器在中間頻率的輸出電壓為U0,當(dāng)輸出電壓(輸入電壓保持不變)下降到0.707U0時(shí)的頻率范圍,稱為變壓器的通頻帶B。
    3 初、次級(jí)阻抗比
    變壓器初、次級(jí)接入適當(dāng)?shù)淖杩筊o和Ri,使變壓器初、次級(jí)阻抗匹配,則Ro和Ri的比值稱為初、次級(jí)阻抗比。在阻抗匹配的情況下,變壓器工作在最佳狀態(tài),傳輸效率最高。
     
    電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)(二)
    一、 中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法
    半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分(場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分)組成。五個(gè)部分意義如下:
    第一部分:用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管
    第二部分:用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí):A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí):A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
    第三部分:用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開(kāi)關(guān)管、X-低頻小功率管(F3MHz,Pc1W)、A-高頻大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半導(dǎo)體晶閘管(可控整流器)、Y-體效應(yīng)器件、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管、CS-場(chǎng)效應(yīng)管、BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
    第四部分:用數(shù)字表示序號(hào)
    第五部分:用漢語(yǔ)拼音字母表示規(guī)格號(hào)
    例如:3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管
    日本半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法
    二、日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件,由五至七部分組成。通常只用到前五個(gè)部分,其各部分的符號(hào)意義如下:
    第一部分:用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電(即光敏)二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個(gè)pn結(jié)的其他器件、3-具有四個(gè)有效電極或具有三個(gè)pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類推。
    第二部分:日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)標(biāo)志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)登記的半導(dǎo)體分立器件。
    第三部分:用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結(jié)晶體管、J-P溝道場(chǎng)效應(yīng)管、K-N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管、M-雙向可控硅。
    第四部分:用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號(hào)。兩位以上的整數(shù)-從“11”開(kāi)始,表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號(hào);不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號(hào);數(shù)字越大,越是近期產(chǎn)品。
    第五部分: 用字母表示同一型號(hào)的改進(jìn)型產(chǎn)品標(biāo)志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號(hào)產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品。
    美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法
    三、美國(guó)晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下:
    第一部分:用符號(hào)表示器件用途的類型。JAN-軍級(jí)、JANTX-特軍級(jí)、JANTXV-超特軍級(jí)、JANS-宇航級(jí)、(無(wú))-非軍用品。
    第二部分:用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1-二極管、2=三極管、3-三個(gè)pn結(jié)器件、n-n個(gè)pn結(jié)器件。
    第三部分:美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)注冊(cè)標(biāo)志。N-該器件已在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)注冊(cè)登記。
    第四部分:美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記順序號(hào)。多位數(shù)字-該器件在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記的順序號(hào)。
    第五部分:用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號(hào)器件的不同檔別。如:JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開(kāi)關(guān)三極管,JAN-軍級(jí)、2-三極管、N-EIA 注冊(cè)標(biāo)志、3251-EIA登記順序號(hào)、A-2N3251A檔。
    四、 國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法
    德國(guó)、法國(guó)、意大利、荷蘭、比利時(shí)等歐洲國(guó)家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國(guó)家,大都采用國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法。這種命名方法由四個(gè)基本部分組成,各部分的符號(hào)及意義如下:
    第一部分:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV 如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg0.6eV 如銻化銦、E-器件使用復(fù)合材料及光電池使用的材料
    第二部分:用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開(kāi)關(guān)混頻二極管、B-變?nèi)荻O管、C-低頻小功率三極管、D-低頻大功率三極管、E-隧道二極管、F-高頻小功率三極管、G-復(fù)合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-開(kāi)放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極管、M-封閉磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發(fā)光器件、R-小功率晶閘管、S-小功率開(kāi)關(guān)管、T-大功率晶閘管、U-大功率開(kāi)關(guān)管、X-倍增二極管、Y-整流二極管、Z-穩(wěn)壓二極管。
    第三部分:用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號(hào)。三位數(shù)字-代表通用半導(dǎo)體器件的登記序號(hào)、一個(gè)字母加二位數(shù)字-表示專用半導(dǎo)體器件的登記序號(hào)。
    第四部分:用字母對(duì)同一類型號(hào)器件進(jìn)行分檔。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型號(hào)的器件按某一參數(shù)進(jìn)行分檔的標(biāo)志。
    除四個(gè)基本部分外,有時(shí)還加后綴,以區(qū)別特性或進(jìn)一步分類。常見(jiàn)后綴如下:
    1、穩(wěn)壓二極管型號(hào)的后綴。其后綴的第一部分是一個(gè)字母,表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍,字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;其后綴第二部分是數(shù)字,表示標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值;后綴的第三部分是字母V,代表小數(shù)點(diǎn),字母V之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的小數(shù)值。
    2、整流二極管后綴是數(shù)字,表示器件的最大反向峰值耐壓值,單位是伏特。
    3、晶閘管型號(hào)的后綴也是數(shù)字,通常標(biāo)出最大反向峰值耐壓值和最大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個(gè)電壓值。
    如:BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管,AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。
    五、歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名法
    歐洲有些國(guó)家,如德國(guó)、荷蘭采用如下命名方法。
    第一部分:O-表示半導(dǎo)體器件
    第二部分:A-二極管、C-三極管、AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩(wěn)壓管、RP-光電器件。
    第三部分:多位數(shù)字-表示器件的登記序號(hào)。
    第四部分:A、B、C┄┄-表示同一型號(hào)器件的變型產(chǎn)品。
    俄羅斯半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法由于使用少,在此不介紹。
    一、半導(dǎo)體二極管參數(shù)符號(hào)及其意義
    CT---勢(shì)壘電容
    Cj---結(jié)(極間)電容, 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下,鍺檢波二極管的總電容
    Cjv---偏壓結(jié)電容
    Co---零偏壓電容
    Cjo---零偏壓結(jié)電容
    Cjo/Cjn---結(jié)電容變化
    Cs---管殼電容或封裝電容
    Ct---總電容
    CTV---電壓溫度系數(shù)。在測(cè)試電流下,穩(wěn)定電壓的相對(duì)變化與環(huán)境溫度的絕對(duì)變化之比
    CTC---電容溫度系數(shù)
    Cvn---標(biāo)稱電容
    IF---正向直流電流(正向測(cè)試電流)。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下,通過(guò)極間的電流;硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下,在正弦半波中允許連續(xù)通過(guò)的最大工作電流(平均值),硅開(kāi)關(guān)二極管在額定功率下允許通過(guò)的最大正向直流電流;測(cè)穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時(shí)給定的電流
    IF(AV)---正向平均電流
    IFM(IM)---正向峰值電流(正向最大電流)。在額定功率下,允許通過(guò)二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。
    IH---恒定電流、維持電流。
    Ii--- 發(fā)光二極管起輝電流
    IFRM---正向重復(fù)峰值電流
    IFSM---正向不重復(fù)峰值電流(浪涌電流)
    Io---整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過(guò)的工作電流
    IF(ov)---正向過(guò)載電流
    IL---光電流或穩(wěn)流二極管極限電流
    ID---暗電流
    IB2---單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流
    IEM---發(fā)射極峰值電流
    IEB10---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流
    IEB20---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流
    ICM---最大輸出平均電流
    IFMP---正向脈沖電流
    IP---峰點(diǎn)電流
    IV---谷點(diǎn)電流
    IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流
    IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流
    IGFM---控制極正向峰值電流
    IR(AV)---反向平均電流
    IR(In)---反向直流電流(反向漏電流)。在測(cè)反向特性時(shí),給定的反向電流;硅堆在正弦半波電阻性負(fù)載電路中,加反向電壓規(guī)定值時(shí),所通過(guò)的電流;硅開(kāi)關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時(shí)所通過(guò)的電流;穩(wěn)壓二極管在反向電壓下,產(chǎn)生的漏電流;整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
    IRM---反向峰值電流
    IRR---晶閘管反向重復(fù)平均電流
    IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流
    IRRM---反向重復(fù)峰值電流
    IRSM---反向不重復(fù)峰值電流(反向浪涌電流)
    Irp---反向恢復(fù)電流
    Iz---穩(wěn)定電壓電流(反向測(cè)試電流)。測(cè)試反向電參數(shù)時(shí),給定的反向電流
    Izk---穩(wěn)壓管膝點(diǎn)電流
    IOM---最大正向(整流)電流。在規(guī)定條件下,能承受的正向最大瞬時(shí)電流;在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過(guò)鍺檢波二極管的最大工作電流
    IZSM---穩(wěn)壓二極管浪涌電流
    IZM---最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過(guò)的電流
    iF---正向總瞬時(shí)電流
    iR---反向總瞬時(shí)電流
    ir---反向恢復(fù)電流
    Iop---工作電流
    Is---穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流
    f---頻率
    n---電容變化指數(shù);電容比
    Q---優(yōu)值(品質(zhì)因素)
    δvz---穩(wěn)壓管電壓漂移
    di/dt---通態(tài)電流臨界上升率
    dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率
    PB---承受脈沖燒毀功率
    PFT(AV)---正向?qū)ㄆ骄纳⒐β?/div>
    PFTM---正向峰值耗散功率
    PFT---正向?qū)偹矔r(shí)耗散功率
    Pd---耗散功率
    PG---門(mén)極平均功率
    PGM---門(mén)極峰值功率
    PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
    Pi---輸入功率
    PK---最大開(kāi)關(guān)功率
    PM---額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率
    PMP---最大漏過(guò)脈沖功率
    PMS---最大承受脈沖功率
    Po---輸出功率
    PR---反向浪涌功率
    Ptot---總耗散功率
    Pomax---最大輸出功率
    Psc---連續(xù)輸出功率
    PSM---不重復(fù)浪涌功率
    PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下,穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率
    RF(r)---正向微分電阻。在正向?qū)〞r(shí),電流隨電壓指數(shù)的增加,呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下,電壓增加微小量△V,正向電流相應(yīng)增加△I,則△V/△I稱微分電阻
    RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
    RE---射頻電阻
    RL---負(fù)載電阻
    Rs(rs)----串聯(lián)電阻
    Rth----熱阻
    R(th)ja----結(jié)到環(huán)境的熱阻
    Rz(ru)---動(dòng)態(tài)電阻
    R(th)jc---結(jié)到殼的熱阻
    r δ---衰減電阻
    r(th)---瞬態(tài)電阻
    Ta---環(huán)境溫度
    Tc---殼溫
    td---延遲時(shí)間
    tf---下降時(shí)間
    tfr---正向恢復(fù)時(shí)間
    tg---電路換向關(guān)斷時(shí)間
    tgt---門(mén)極控制極開(kāi)通時(shí)間
    Tj---結(jié)溫
    Tjm---最高結(jié)溫
    ton---開(kāi)通時(shí)間
    toff---關(guān)斷時(shí)間
    tr---上升時(shí)間
    trr---反向恢復(fù)時(shí)間
    ts---存儲(chǔ)時(shí)間
    tstg---溫度補(bǔ)償二極管的貯成溫度
    a---溫度系數(shù)
    λp---發(fā)光峰值波長(zhǎng)
    △ λ---光譜半寬度
    η---單結(jié)晶體管分壓比或效率
    VB---反向峰值擊穿電壓
    Vc---整流輸入電壓
    VB2B1---基極間電壓
    VBE10---發(fā)射極與第一基極反向電壓
    VEB---飽和壓降
    VFM---最大正向壓降(正向峰值電壓)
    VF---正向壓降(正向直流電壓)
    △VF---正向壓降差
    VDRM---斷態(tài)重復(fù)峰值電壓
    VGT---門(mén)極觸發(fā)電壓
    VGD---門(mén)極不觸發(fā)電壓
    VGFM---門(mén)極正向峰值電壓
    VGRM---門(mén)極反向峰值電壓
    VF(AV)---正向平均電壓
    Vo---交流輸入電壓
    VOM---最大輸出平均電壓
    Vop---工作電壓
    Vn---中心電壓
    Vp---峰點(diǎn)電壓
    VR---反向工作電壓(反向直流電壓)
    VRM---反向峰值電壓(最高測(cè)試電壓)
    V(BR)---擊穿電壓
    Vth---閥電壓(門(mén)限電壓)
    VRRM---反向重復(fù)峰值電壓(反向浪涌電壓)
    VRWM---反向工作峰值電壓
    V v---谷點(diǎn)電壓
    Vz---穩(wěn)定電壓
    △Vz---穩(wěn)壓范圍電壓增量
    Vs---通向電壓(信號(hào)電壓)或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓
    av---電壓溫度系數(shù)
    Vk---膝點(diǎn)電壓(穩(wěn)流二極管)
    VL ---極限電壓
    二、雙極型晶體管參數(shù)符號(hào)及其意義
    Cc---集電極電容
    Ccb---集電極與基極間電容
    Cce---發(fā)射極接地輸出電容
    Ci---輸入電容
    Cib---共基極輸入電容
    Cie---共發(fā)射極輸入電容
    Cies---共發(fā)射極短路輸入電容
    Cieo---共發(fā)射極開(kāi)路輸入電容
    Cn---中和電容(外電路參數(shù))
    Co---輸出電容
    Cob---共基極輸出電容。在基極電路中,集電極與基極間輸出電容
    Coe---共發(fā)射極輸出電容
    Coeo---共發(fā)射極開(kāi)路輸出電容
    Cre---共發(fā)射極反饋電容
    Cic---集電結(jié)勢(shì)壘電容
    CL---負(fù)載電容(外電路參數(shù))
    Cp---并聯(lián)電容(外電路參數(shù))
    BVcbo---發(fā)射極開(kāi)路,集電極與基極間擊穿電壓
    BVceo---基極開(kāi)路,CE結(jié)擊穿電壓
    BVebo--- 集電極開(kāi)路EB結(jié)擊穿電壓
    BVces---基極與發(fā)射極短路CE結(jié)擊穿電壓
    BV cer---基極與發(fā)射極串接一電阻,CE結(jié)擊穿電壓
    D---占空比
    fT---特征頻率
    fmax---最高振蕩頻率。當(dāng)三極管功率增益等于1時(shí)的工作頻率
    hFE---共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數(shù)
    hIE---共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗
    hOE---共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導(dǎo)
    h RE---共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數(shù)
    hie---共發(fā)射極小信號(hào)短路輸入阻抗
    hre---共發(fā)射極小信號(hào)開(kāi)路電壓反饋系數(shù)
    hfe---共發(fā)射極小信號(hào)短路電壓放大系數(shù)
    hoe---共發(fā)射極小信號(hào)開(kāi)路輸出導(dǎo)納
    IB---基極直流電流或交流電流的平均值
    Ic---集電極直流電流或交流電流的平均值
    IE---發(fā)射極直流電流或交流電流的平均值
    Icbo---基極接地,發(fā)射極對(duì)地開(kāi)路,在規(guī)定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流
    Iceo---發(fā)射極接地,基極對(duì)地開(kāi)路,在規(guī)定的反向電壓VCE條件下,集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
    Iebo---基極接地,集電極對(duì)地開(kāi)路,在規(guī)定的反向電壓VEB條件下,發(fā)射極與基極之間的反向截止電流
    Icer---基極與發(fā)射極間串聯(lián)電阻R,集電極與發(fā)射極間的電壓VCE為規(guī)定值時(shí),集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
    Ices---發(fā)射極接地,基極對(duì)地短路,在規(guī)定的反向電壓VCE條件下,集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
    Icex---發(fā)射極接地,基極與發(fā)射極間加指定偏壓,在規(guī)定的反向偏壓VCE下,集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
    ICM---集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。
    IBM---在集電極允許耗散功率的范圍內(nèi),能連續(xù)地通過(guò)基極的直流電流的最大值,或交流電流的最大平均值
    ICMP---集電極最大允許脈沖電流
    ISB---二次擊穿電流
    IAGC---正向自動(dòng)控制電流
    Pc---集電極耗散功率
    PCM---集電極最大允許耗散功率
    Pi---輸入功率
    Po---輸出功率
    Posc---振蕩功率
    Pn---噪聲功率
    Ptot---總耗散功率
    ESB---二次擊穿能量
    rbb''---基區(qū)擴(kuò)展電阻(基區(qū)本征電阻)
    rbb''Cc---基極-集電極時(shí)間常數(shù),即基極擴(kuò)展電阻與集電結(jié)電容量的乘積
    rie---發(fā)射極接地,交流輸出短路時(shí)的輸入電阻
    roe---發(fā)射極接地,在規(guī)定VCE、Ic或IE、頻率條件下測(cè)定的交流輸入短路時(shí)的輸出電阻
    RE---外接發(fā)射極電阻(外電路參數(shù))
    RB---外接基極電阻(外電路參數(shù))
    Rc ---外接集電極電阻(外電路參數(shù))
    RBE---外接基極-發(fā)射極間電阻(外電路參數(shù))
    RL---負(fù)載電阻(外電路參數(shù))
    RG---信號(hào)源內(nèi)阻
    Rth---熱阻
    Ta---環(huán)境溫度
    Tc---管殼溫度
    Ts---結(jié)溫
    Tjm---最大允許結(jié)溫
    Tstg---貯存溫度
    td----延遲時(shí)間
    tr---上升時(shí)間
    ts---存貯時(shí)間
    tf---下降時(shí)間
    ton---開(kāi)通時(shí)間
    toff---關(guān)斷時(shí)間
    VCB---集電極-基極(直流)電壓
    VCE---集電極-發(fā)射極(直流)電壓
    VBE---基極發(fā)射極(直流)電壓
    VCBO---基極接地,發(fā)射極對(duì)地開(kāi)路,集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
    VEBO---基極接地,集電極對(duì)地開(kāi)路,發(fā)射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
    VCEO---發(fā)射極接地,基極對(duì)地開(kāi)路,集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓
    VCER---發(fā)射極接地,基極與發(fā)射極間串接電阻R,集電極與發(fā)射極間在指定條件下的最高耐壓
    VCES---發(fā)射極接地,基極對(duì)地短路,集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓
    VCEX---發(fā)射極接地,基極與發(fā)射極之間加規(guī)定的偏壓,集電極與發(fā)射極之間在規(guī)定條件下的最高耐壓
    Vp---穿通電壓。
    VSB---二次擊穿電壓
    VBB---基極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
    Vcc---集電極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
    VEE---發(fā)射極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
    VCE(sat)---發(fā)射極接地,規(guī)定Ic、IB條件下的集電極-發(fā)射極間飽和壓降
    VBE(sat)---發(fā)射極接地,規(guī)定Ic、IB條件下,基極-發(fā)射極飽和壓降(前向壓降)
    VAGC---正向自動(dòng)增益控制電壓
    Vn(p-p)---輸入端等效噪聲電壓峰值
    V n---噪聲電壓
    Cj---結(jié)(極間)電容, 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下,鍺檢波二極管的總電容
    Cjv---偏壓結(jié)電容
    Co---零偏壓電容
    Cjo---零偏壓結(jié)電容
    Cjo/Cjn---結(jié)電容變化
    Cs---管殼電容或封裝電容
    Ct---總電容
    CTV---電壓溫度系數(shù)。在測(cè)試電流下,穩(wěn)定電壓的相對(duì)變化與環(huán)境溫度的絕對(duì)變化之比
    CTC---電容溫度系數(shù)
    Cvn---標(biāo)稱電容
    IF---正向直流電流(正向測(cè)試電流)。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下,通過(guò)極間的電流;硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下,在正弦半波中允許連續(xù)通過(guò)的最大工作電流(平均值),硅開(kāi)關(guān)二極管在額定功率下允許通過(guò)的最大正向直流電流;測(cè)穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時(shí)給定的電流
    IF(AV)---正向平均電流
    IFM(IM)---正向峰值電流(正向最大電流)。在額定功率下,允許通過(guò)二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。
    IH---恒定電流、維持電流。
    Ii--- 發(fā)光二極管起輝電流
    IFRM---正向重復(fù)峰值電流
    IFSM---正向不重復(fù)峰值電流(浪涌電流)
    Io---整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過(guò)的工作電流
    IF(ov)---正向過(guò)載電流
    IL---光電流或穩(wěn)流二極管極限電流
    ID---暗電流
    IB2---單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流
    IEM---發(fā)射極峰值電流
    IEB10---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流
    IEB20---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流
    ICM---最大輸出平均電流
    IFMP---正向脈沖電流
    IP---峰點(diǎn)電流
    IV---谷點(diǎn)電流
    IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流
    IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流
    IGFM---控制極正向峰值電流
    IR(AV)---反向平均電流
    IR(In)---反向直流電流(反向漏電流)。在測(cè)反向特性時(shí),給定的反向電流;硅堆在正弦半波電阻性負(fù)載電路中,加反向電壓規(guī)定值時(shí),所通過(guò)的電流;硅開(kāi)關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時(shí)所通過(guò)的電流;穩(wěn)壓二極管在反向電壓下,產(chǎn)生的漏電流;整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
    IRM---反向峰值電流
    IRR---晶閘管反向重復(fù)平均電流
    IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流
    IRRM---反向重復(fù)峰值電流
    IRSM---反向不重復(fù)峰值電流(反向浪涌電流)
    Irp---反向恢復(fù)電流
    Iz---穩(wěn)定電壓電流(反向測(cè)試電流)。測(cè)試反向電參數(shù)時(shí),給定的反向電流
    Izk---穩(wěn)壓管膝點(diǎn)電流
    IOM---最大正向(整流)電流。在規(guī)定條件下,能承受的正向最大瞬時(shí)電流;在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過(guò)鍺檢波二極管的最大工作電流
    IZSM---穩(wěn)壓二極管浪涌電流
    IZM---最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過(guò)的電流
    iF---正向總瞬時(shí)電流
    iR---反向總瞬時(shí)電流
    ir---反向恢復(fù)電流
    Iop---工作電流
    Is---穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流
    f---頻率
    n---電容變化指數(shù);電容比
    Q---優(yōu)值(品質(zhì)因素)
    δvz---穩(wěn)壓管電壓漂移
    di/dt---通態(tài)電流臨界上升率
    dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率
    PB---承受脈沖燒毀功率
    PFT(AV)---正向?qū)ㄆ骄纳⒐β?/div>
    PFTM---正向峰值耗散功率
    PFT---正向?qū)偹矔r(shí)耗散功率
    Pd---耗散功率
    PG---門(mén)極平均功率
    PGM---門(mén)極峰值功率
    PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
    Pi---輸入功率
    PK---最大開(kāi)關(guān)功率
    PM---額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率
    PMP---最大漏過(guò)脈沖功率
    PMS---最大承受脈沖功率
    Po---輸出功率
    PR---反向浪涌功率
    Ptot---總耗散功率
    Pomax---最大輸出功率
    Psc---連續(xù)輸出功率
    PSM---不重復(fù)浪涌功率
    PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下,穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率
    RF(r)---正向微分電阻。在正向?qū)〞r(shí),電流隨電壓指數(shù)的增加,呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下,電壓增加微小量△V,正向電流相應(yīng)增加△I,則△V/△I稱微分電阻
    RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
    RE---射頻電阻
    RL---負(fù)載電阻
    Rs(rs)----串聯(lián)電阻
    Rth----熱阻
    R(th)ja----結(jié)到環(huán)境的熱阻
    Rz(ru)---動(dòng)態(tài)電阻
    R(th)jc---結(jié)到殼的熱阻
    r δ---衰減電阻
    r(th)---瞬態(tài)電阻
    Ta---環(huán)境溫度
    Tc---殼溫
    td---延遲時(shí)間
    tf---下降時(shí)間
    tfr---正向恢復(fù)時(shí)間
    tg---電路換向關(guān)斷時(shí)間
    tgt---門(mén)極控制極開(kāi)通時(shí)間
    Tj---結(jié)溫
    Tjm---最高結(jié)溫
    ton---開(kāi)通時(shí)間
    toff---關(guān)斷時(shí)間
    tr---上升時(shí)間
    trr---反向恢復(fù)時(shí)間
    ts---存儲(chǔ)時(shí)間
    tstg---溫度補(bǔ)償二極管的貯成溫度
    a---溫度系數(shù)
    λp---發(fā)光峰值波長(zhǎng)
    △ λ---光譜半寬度
    η---單結(jié)晶體管分壓比或效率
    VB---反向峰值擊穿電壓
    Vc---整流輸入電壓
    VB2B1---基極間電壓
    VBE10---發(fā)射極與第一基極反向電壓
    VEB---飽和壓降
    VFM---最大正向壓降(正向峰值電壓)
    VF---正向壓降(正向直流電壓)
    △VF---正向壓降差
    VDRM---斷態(tài)重復(fù)峰值電壓
    VGT---門(mén)極觸發(fā)電壓
    VGD---門(mén)極不觸發(fā)電壓
    VGFM---門(mén)極正向峰值電壓
    VGRM---門(mén)極反向峰值電壓
    VF(AV)---正向平均電壓
    Vo---交流輸入電壓
    VOM---最大輸出平均電壓
    Vop---工作電壓
    Vn---中心電壓
    Vp---峰點(diǎn)電壓
    VR---反向工作電壓(反向直流電壓)
    VRM---反向峰值電壓(最高測(cè)試電壓)
    V(BR)---擊穿電壓
    Vth---閥電壓(門(mén)限電壓)
    VRRM---反向重復(fù)峰值電壓(反向浪涌電壓)
    VRWM---反向工作峰值電壓
    V v---谷點(diǎn)電壓
    Vz---穩(wěn)定電壓
    △Vz---穩(wěn)壓范圍電壓增量
    Vs---通向電壓(信號(hào)電壓)或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓
    av---電壓溫度系數(shù)
    Vk---膝點(diǎn)電壓(穩(wěn)流二極管)
    VL ---極限電壓
    三、場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)符號(hào)意義
    Cds---漏-源電容
    Cdu---漏-襯底電容
    Cgd---柵-源電容
    Cgs---漏-源電容
    Ciss---柵短路共源輸入電容
    Coss---柵短路共源輸出電容
    Crss---柵短路共源反向傳輸電容
    D---占空比(占空系數(shù),外電路參數(shù))
    di/dt---電流上升率(外電路參數(shù))
    dv/dt---電壓上升率(外電路參數(shù))
    ID---漏極電流(直流)
    IDM---漏極脈沖電流
    ID(on)---通態(tài)漏極電流
    IDQ---靜態(tài)漏極電流(射頻功率管)
    IDS---漏源電流
    IDSM---最大漏源電流
    IDSS---柵-源短路時(shí),漏極電流
    IDS(sat)---溝道飽和電流(漏源飽和電流)
    IG---柵極電流(直流)
    IGF---正向柵電流
    IGR---反向柵電流
    IGDO---源極開(kāi)路時(shí),截止柵電流
    IGSO---漏極開(kāi)路時(shí),截止柵電流
    IGM---柵極脈沖電流
    IGP---柵極峰值電流
    IF---二極管正向電流
    IGSS---漏極短路時(shí)截止柵電流
    IDSS1---對(duì)管第一管漏源飽和電流
    IDSS2---對(duì)管第二管漏源飽和電流
    Iu---襯底電流
    Ipr---電流脈沖峰值(外電路參數(shù))
    gfs---正向跨導(dǎo)
    Gp---功率增益
    Gps---共源極中和高頻功率增益
    GpG---共柵極中和高頻功率增益
    GPD---共漏極中和高頻功率增益
    ggd---柵漏電導(dǎo)
    gds---漏源電導(dǎo)
    K---失調(diào)電壓溫度系數(shù)
    Ku---傳輸系數(shù)
    L---負(fù)載電感(外電路參數(shù))
    LD---漏極電感
    Ls---源極電感
    rDS---漏源電阻
    rDS(on)---漏源通態(tài)電阻
    rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻
    rGD---柵漏電阻
    rGS---柵源電阻
    Rg---柵極外接電阻(外電路參數(shù))
    RL---負(fù)載電阻(外電路參數(shù))
    R(th)jc---結(jié)殼熱阻
    R(th)ja---結(jié)環(huán)熱阻
    PD---漏極耗散功率
    PDM---漏極最大允許耗散功率
    PIN--輸入功率
    POUT---輸出功率
    PPK---脈沖功率峰值(外電路參數(shù))
    to(on)---開(kāi)通延遲時(shí)間
    td(off)---關(guān)斷延遲時(shí)間
    ti---上升時(shí)間
    ton---開(kāi)通時(shí)間
    toff---關(guān)斷時(shí)間
    tf---下降時(shí)間
    trr---反向恢復(fù)時(shí)間
    Tj---結(jié)溫
    Tjm---最大允許結(jié)溫
    Ta---環(huán)境溫度
    Tc---管殼溫度
    Tstg---貯成溫度
    VDS---漏源電壓(直流)
    VGS---柵源電壓(直流)
    VGSF--正向柵源電壓(直流)
    VGSR---反向柵源電壓(直流)
    VDD---漏極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
    VGG---柵極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
    Vss---源極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
    VGS(th)---開(kāi)啟電壓或閥電壓
    V(BR)DSS---漏源擊穿電壓
    V(BR)GSS---漏源短路時(shí)柵源擊穿電壓
    VDS(on)---漏源通態(tài)電壓
    VDS(sat)---漏源飽和電壓
    VGD---柵漏電壓(直流)
    Vsu---源襯底電壓(直流)
    VDu---漏襯底電壓(直流)
    VGu---柵襯底電壓(直流)
    Zo---驅(qū)動(dòng)源內(nèi)阻
    η---漏極效率(射頻功率管)
    Vn---噪聲電壓
    aID---漏極電流溫度系數(shù)
    ards---漏源電阻溫度系數(shù)
    電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)(5)——繼電器
     
    一、繼電器的工作原理和特性   
    繼電器是一種電子控制器件,它具有控制系統(tǒng)(又稱輸入回路)和被控制系統(tǒng)(又稱輸出回路),通常應(yīng)用于自動(dòng)控制電路中,它實(shí)際上是用較小的電流去控制較大電流的一種“自動(dòng)開(kāi)關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。
    1、電磁繼電器的工作原理和特性
    電磁式繼電器一般由鐵芯、線圈、銜鐵、觸點(diǎn)簧片等組成的。只要在線圈兩端加上一定的電壓,線圈中就會(huì)流過(guò)一定的電流,從而產(chǎn)生電磁效應(yīng),銜鐵就會(huì)在電磁力吸引的作用下克服返回彈簧的拉力吸向鐵芯,從而帶動(dòng)銜鐵的動(dòng)觸點(diǎn)與靜觸點(diǎn)(常開(kāi)觸點(diǎn))吸合。當(dāng)線圈斷電后,電磁的吸力也隨之消失,銜鐵就會(huì)在彈簧的反作用力返回原來(lái)的位置,使動(dòng)觸點(diǎn)與原來(lái)的靜觸點(diǎn)(常閉觸點(diǎn))吸合。這樣吸合、釋放,從而達(dá)到了在電路中的導(dǎo)通、切斷的目的。對(duì)于繼電器的“常開(kāi)、常閉”觸點(diǎn),可以這樣來(lái)區(qū)分:繼電器線圈未通電時(shí)處于斷開(kāi)狀態(tài)的靜觸點(diǎn),稱為“常開(kāi)觸點(diǎn)”;處于接通狀態(tài)的靜觸點(diǎn)稱為“常閉觸點(diǎn)”。
    2、熱敏干簧繼電器的工作原理和特性
    熱敏干簧繼電器是一種利用熱敏磁性材料檢測(cè)和控制溫度的新型熱敏開(kāi)關(guān)。它由感溫磁環(huán)、恒磁環(huán)、干簧管、導(dǎo)熱安裝片、塑料襯底及其他一些附件組成。熱敏干簧繼電器不用線圈勵(lì)磁,而由恒磁環(huán)產(chǎn)生的磁力驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)動(dòng)作。恒磁環(huán)能否向干簧管提供磁力是由感溫磁環(huán)的溫控特性決定的。
    3、固態(tài)繼電器(SSR)的工作原理和特性
    固態(tài)繼電器是一種兩個(gè)接線端為輸入端,另兩個(gè)接線端為輸出端的四端器件,中間采用隔離器件實(shí)現(xiàn)輸入輸出的電隔離。
    固態(tài)繼電器按負(fù)載電源類型可分為交流型和直流型。按開(kāi)關(guān)型式可分為常開(kāi)型和常閉型。按隔離型式可分為混合型、變壓器隔離型和光電隔離型,以光電隔離型為最多。.
    二、繼電器主要產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)
    1、額定工作電壓
      是指繼電器正常工作時(shí)線圈所需要的電壓。根據(jù)繼電器的型號(hào)不同,可以是交流電壓,也可以是直流電壓。
    2、直流電阻
      是指繼電器中線圈的直流電阻,可以通過(guò)萬(wàn)能表測(cè)量。
    3、吸合電流
      是指繼電器能夠產(chǎn)生吸合動(dòng)作的最小電流。在正常使用時(shí),給定的電流必須略大于吸合電流,這樣繼電器才能穩(wěn)定地工作。而對(duì)于線圈所加的工作電壓,一般不要超過(guò)額定工作電壓的1.5倍,否則會(huì)產(chǎn)生較大的電流而把線圈燒毀。
    4、釋放電流
     是指繼電器產(chǎn)生釋放動(dòng)作的最大電流。當(dāng)繼電器吸合狀態(tài)的電流減小到一定程度時(shí),繼電器就會(huì)恢復(fù)到未通電的釋放狀態(tài)。這時(shí)的電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于吸合電流。
    5、觸點(diǎn)切換電壓和電流
     是指繼電器允許加載的電壓和電流。它決定了繼電器能控制電壓和電流的大小,使用時(shí)不能超過(guò)此值,否則很容易損壞繼電器的觸點(diǎn)。
    三、繼電器測(cè)試
    1、測(cè)觸點(diǎn)電阻
      用萬(wàn)能表的電阻檔,測(cè)量常閉觸點(diǎn)與動(dòng)點(diǎn)電阻,其阻值應(yīng)為0;而常開(kāi)觸點(diǎn)與動(dòng)點(diǎn)的阻值就為無(wú)窮大。由此可以區(qū)別出那個(gè)是常閉觸點(diǎn),那個(gè)是常開(kāi)觸點(diǎn)。
    2、測(cè)線圈電阻
      可用萬(wàn)能表R×10Ω檔測(cè)量繼電器線圈的阻值,從而判斷該線圈是否存在著開(kāi)路現(xiàn)象。
    3、測(cè)量吸合電壓和吸合電流
      找來(lái)可調(diào)穩(wěn)壓電源和電流表,給繼電器輸入一組電壓,且在供電回路中串入電流表進(jìn)行監(jiān)測(cè)。慢慢調(diào)高電源電壓,聽(tīng)到繼電器吸合聲時(shí),記下該吸合電壓和吸合電流。為求準(zhǔn)確,可以試多幾次而求平均值。
    4、測(cè)量釋放電壓和釋放電流
      也是像上述那樣連接測(cè)試,當(dāng)繼電器發(fā)生吸合后,再逐漸降低供電電壓,當(dāng)聽(tīng)到繼電器再次發(fā)生釋放聲音時(shí),記下此時(shí)的電壓和電流,亦可嘗試多幾次而取得平均的釋放電壓和釋放電流。一般情況下,繼電器的釋放電壓約在吸合電壓的10~50%,如果釋放電壓太小(小于1/10的吸合電壓),則不能正常使用了,這樣會(huì)對(duì)電路的穩(wěn)定性造成威脅,工作不可*。
    四、繼電器的電符號(hào)和觸點(diǎn)形式
    繼電器線圈在電路中用一個(gè)長(zhǎng)方框符號(hào)表示,如果繼電器有兩個(gè)線圈,就畫(huà)兩個(gè)并列的長(zhǎng)方框。同時(shí)在長(zhǎng)方框內(nèi)或長(zhǎng)方框旁標(biāo)上繼電器的文字符號(hào)“J”。繼電器的觸點(diǎn)有兩種表示方法:一種是把它們直接畫(huà)在長(zhǎng)方框一側(cè),這種表示法較為直觀。另一種是按照電路連接的需要,把各個(gè)觸點(diǎn)分別畫(huà)到各自的控制電路中,通常在同一繼電器的觸點(diǎn)與線圈旁分別標(biāo)注上相同的文字符號(hào),并將觸點(diǎn)組編上號(hào)碼,以示區(qū)別。繼電器的觸點(diǎn)有三種基本形式:
    1.動(dòng)合型(H型)線圈不通電時(shí)兩觸點(diǎn)是斷開(kāi)的,通電后,兩個(gè)觸點(diǎn)就閉合。以合字的拼音字頭“H”表示。
    2.動(dòng)斷型(D型)線圈不通電時(shí)兩觸點(diǎn)是閉合的,通電后兩個(gè)觸點(diǎn)就斷開(kāi)。用斷字的拼音字頭“D”表示。
    3.轉(zhuǎn)換型(Z型)這是觸點(diǎn)組型。這種觸點(diǎn)組共有三個(gè)觸點(diǎn),即中間是動(dòng)觸點(diǎn),上下各一個(gè)靜觸點(diǎn)。線圈不通電時(shí),動(dòng)觸點(diǎn)和其中一個(gè)靜觸點(diǎn)斷開(kāi)和另一個(gè)閉合,線圈通電后,動(dòng)觸點(diǎn)就移動(dòng),使原來(lái)斷開(kāi)的成閉合,原來(lái)閉合的成斷開(kāi)狀態(tài),達(dá)到轉(zhuǎn)換的目的。這樣的觸點(diǎn)組稱為轉(zhuǎn)換觸點(diǎn)。用“轉(zhuǎn)”字的拼音字頭“z”表示。
    五、繼電器的選用
    1.先了解必要的條件:①控制電路的電源電壓,能提供的最大電流;②被控制電路中的電壓和電流;③被控電路需要幾組、什么形式的觸點(diǎn)。選用繼電器時(shí),一般控制電路的電源電壓可作為選用的依據(jù)。控制電路應(yīng)能給繼電器提供足夠的工作電流,否則繼電器吸合是不穩(wěn)定的。
    2.查閱有關(guān)資料確定使用條件后,可查找相關(guān)資料,找出需要的繼電器的型號(hào)和規(guī)格號(hào)。若手頭已有繼電器,可依據(jù)資料核對(duì)是否可以利用。最后考慮尺寸是否合適。
    3.注意器具的容積。若是用于一般用電器,除考慮機(jī)箱容積外,小型繼電器主要考慮電路板安裝布局。對(duì)于小型電器,如玩具、遙控裝置則應(yīng)選用超小型繼電器產(chǎn)品。
    電子電路
    烜芯微專業(yè)制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等20年,工廠直銷省20%,4000家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用,專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點(diǎn)擊右邊的工程師,或者點(diǎn)擊銷售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報(bào)價(jià)以及產(chǎn)品介紹
    相關(guān)閱讀
    无码不卡高清毛片一区
    • <small id="gggg8"></small>
      <nav id="gggg8"></nav>
      
      
    • 
      
      <nav id="gggg8"></nav>
        
        
      • <sup id="gggg8"></sup>
          <sup id="gggg8"></sup>