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  • 開關(guān)知識|模擬多路開關(guān)-MOSFET|概述與工作原理
    • 發(fā)布時間:2020-11-26 16:52:17
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    開關(guān)知識|模擬多路開關(guān)-MOSFET|概述與工作原理
    多路開關(guān)-MOSFET:概述
    多路開關(guān):在多路被測信號共用一路A/D轉(zhuǎn)換器的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中,用來將多路被測信號分別傳送到A/D轉(zhuǎn)換器進行轉(zhuǎn)換,以便計算機能對多路被測信號進行處理。
    多路開關(guān)-MOSFET
    類型:機電式:用于大電流、高電壓,低速切換場所;電子式:用于小電流、低電壓,高速切換場所。
    多路開關(guān)-MOSFET
    電子多路開關(guān)由于是-種集成化無觸點開關(guān),不僅壽命長、體積小,而且對系統(tǒng)的干擾小。
    電子多路開關(guān)根據(jù)結(jié)構(gòu)可分為:
    雙極性晶體管開關(guān)
    多路開關(guān)-MOSFET
    場效應(yīng)晶體管開關(guān)-結(jié)型;絕緣柵型(MOS)
    多路開關(guān)-MOSFET
    多路開關(guān)-MOSFET
    集成電路開關(guān)
    PMOS和NMOS結(jié)合可以構(gòu)成CMOS (互補對稱MOS:Complementary Metal-Oxide-SemiconductorTransistor 互補型金屬氧化物半導(dǎo)體)
    CMOS型場效應(yīng)管開關(guān)的優(yōu)點:
    導(dǎo)通電阻RoN隨信號電壓變化波動小;
    多路開關(guān)-MOSFET
    開關(guān)接通時間短,小于100ns;
    功耗低;
    工作電壓范圍寬
    抗干擾能力強
    溫度穩(wěn)定性能好
    易于和驅(qū)動電路集成
    集成電路開關(guān)是將場效應(yīng)管、地址計數(shù)器、譯碼器及控制電路等集成制造在一塊芯片上而構(gòu)成的器件。
    特點:除了具有場效應(yīng)管的特性之外,還具有體積小、使用方便等優(yōu)點。
    多路開關(guān)-MOSFET:工作原理
    雙極型晶體管開關(guān):設(shè)選擇第1路模擬信號。則令通道控制信號Uc1=0,晶體管T′1截止,集電極為高電平,晶體管T1導(dǎo)通,輸入信號電壓Ui1被選中。同理,當令通道控制信號Uc2=0時, 則選中第2路模擬信號,Uo= Ui2。
    多路開關(guān)-MOSFET
    注意:在控制信號Uc1~ Uc8中不能同時有兩個或兩個以上為0。
    優(yōu)點:開關(guān)速度快。
    缺點:漏電流大,開路電阻小,導(dǎo)通電阻大。電流控制器件,功耗大,集成度低,一個方向傳送信號。
    場效應(yīng)管開關(guān):①結(jié)型場效應(yīng)管開關(guān)
    設(shè)選擇第1路信號。則令通道控制信號Uc1=1,開關(guān)控制管T′1導(dǎo)通,集電極為低電平,場效應(yīng)管T1導(dǎo)通,Uo=Ui1。當Uc1=0時,T′1截止,T1也截止,第1路輸入信號被切斷。其他各路操作與第一路相同。
    多路開關(guān)-MOSFET
    優(yōu)點:開關(guān)切換速度快,導(dǎo)通電阻小,可兩個方向傳送信號。
    缺點:為分立元件,需專門的電平轉(zhuǎn)換電路驅(qū)動,使用不方便。
    ②絕緣柵場效應(yīng)管開關(guān)
    其工作原理與結(jié)型場效應(yīng)管多路開關(guān)類似。
    多路開關(guān)-MOSFET
    優(yōu)點:開關(guān)切換速度快,導(dǎo)通電阻小,且隨信號電壓變化波動小;易于和驅(qū)動電路集成。
    缺點:襯底要有保護電壓,P溝道加正電壓,N溝道加負電壓。
    集成電路開關(guān):
    設(shè)選擇第1路信號。則計算機輸出一個4位二進制碼,把計數(shù)器置成0001狀態(tài),經(jīng)四-十六線譯碼器后,第1根線輸出高電平,場效應(yīng)管T1導(dǎo)通,Uo=Ui1,選中第1路信號。如果要連續(xù)選通第1路到第3路的信號,可以在計數(shù)器加入計數(shù)脈沖,每加入一次脈沖,計數(shù)器加1,狀態(tài)依次變?yōu)?001,0010,0011 。
    多路開關(guān)-MOSFET
    多路開關(guān)-MOSFET:主要指標
    RoN:導(dǎo)通電阻;
    多路開關(guān)的導(dǎo)通電阻RoN (一-般為數(shù)10Ω至1kΩ左右)比機械開關(guān)的接觸電阻(一般為mΩ量級)大得多,對自動數(shù)據(jù)采集的信號傳輸精度或程控制增益放大的增益影響較明顯。
    而且RoN隨電源電壓高低、傳輸信號的幅度等的變化而變化,因而其影響難以進行后期修正。
    實踐中一般是設(shè)法減小RoN來降低其影響。
    RoN:導(dǎo)通電阻;
    RoNvs:導(dǎo)通電阻溫度漂移;
    Ic:開關(guān)接通電流;
    Is:開關(guān)斷開時的泄漏電流;
    Cs:開關(guān)斷開時,開關(guān)對地電容;
    COUT:開關(guān)斷開時,輸出端對地電容;
    tON:選通信號EN達到50%這一點時到開關(guān)接通時的延遲時間;
    tOFF:選通信號EN達到50%這一點時到開關(guān)斷開時的延遲時間;
    tOPEN:開關(guān)切換時間,即當兩個通道均為斷開時,開關(guān)從一個通道的接通狀態(tài)轉(zhuǎn)到另一個通道的接通狀態(tài)并達到穩(wěn)定所用的時間。
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