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  • 常見的全橋逆變電路介紹
    • 發(fā)布時間:2021-06-28 16:49:22
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    常見的全橋逆變電路介紹
    全橋在電路當(dāng)中的展現(xiàn)形式是將連接好的整流電路中四個二極管封裝在一起,所以在使用全橋時要考慮到整流電路以及工作電壓等因素,需要進(jìn)行全方位的分析才能使電路順利的運行。本文以IR2110為基礎(chǔ),介紹常用的全橋逆變電源。
    首先,我們先來看一下逆變變壓器鐵芯。雙端工作的方波逆變變壓器鐵芯面積乘積公式為:
    AeAc=Po(1+η)/(ηDKjfKeKcBm)
    式中:Ae(m2)為鐵心橫截面積;Ac(m2)為鐵心的窗口面積;Po為變壓器的輸出功率;η為轉(zhuǎn)換效率;δ為占空比;K是波形系數(shù);j(A/m2)為導(dǎo)線的平均電流密度;f為逆變頻率;Ke為鐵心截面的有效系數(shù);Kc為鐵心的窗口利用系數(shù);Bm為最大磁通量。
    如圖1所示,DC-AC變換采用單相輸出,全橋逆變形式,為減小逆變電源的體積,降低成本,輸出使用工頻LC濾波。由4個IRF740構(gòu)成橋式逆變電路,IRF740最高耐壓400V,電流10A,功耗125W,利用半橋驅(qū)動器IR2110提供驅(qū)動信號,其輸入波形由SG3524提供,同理可調(diào)節(jié)該SG3524的輸出驅(qū)動波形的D<50%,保證逆變的驅(qū)動方波有共同的死區(qū)時間。
    全橋逆變電路
    圖1 DC-AC逆變電路結(jié)構(gòu)
    IR2110是IR公司生產(chǎn)的大功率MOSFET和IGBT專用驅(qū)動集成電路,可以實現(xiàn)對MOSFET和IGBT的最優(yōu)驅(qū)動,同時還具有快速完整的保護(hù)功能,因而它可以提高控制系統(tǒng)的可靠性,減少電路的復(fù)雜程度。
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