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  • 驅(qū)動輸入端負(fù)壓抑制與尖峰形成原因介紹
    • 發(fā)布時間:2022-03-21 15:12:47
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    驅(qū)動輸入端負(fù)壓抑制與尖峰形成原因介紹
    許多高性能、高頻率的PWM控制芯片,無論是數(shù)字類型還是模擬類型,都不具備或只有有限的直接驅(qū)動功率MOSFET的能力。
    因?yàn)楣β蔒OSFET對柵極驅(qū)動電流有較高的要求,驅(qū)動芯片就相當(dāng)于PWM開關(guān)控制芯片與功率MOSFET之間的橋梁,用來將開關(guān)信號電流和電壓放大,同時具備一定的故障隔離能力。
    一旦確定了選用某種開關(guān)電源方案后,接下來就要選擇合適的驅(qū)動IC,而選好驅(qū)動芯片,就需要硬件工程師對電路特性有一定的了解。
    MOSFET 驅(qū)動 負(fù)壓 尖峰
    以典型的AC/DC開關(guān)電源系統(tǒng)為例,PFC部分采用無橋升壓拓?fù)洌蛇x用一顆NSD1025同時驅(qū)動兩路開關(guān)MOSFET,LLC的原邊可用一顆半橋隔離驅(qū)動芯片NSi6602同時驅(qū)動上下橋臂MOSFET,副邊用一顆NSD1025驅(qū)動全波同步整流MOSFET。選用高速高可靠性的驅(qū)動IC,可以幫助電源系統(tǒng)提升效率和功率密度。
    以典型的AC/DC開關(guān)電源系統(tǒng)為例,PFC部分采用無橋升壓拓?fù)洌蛇x用一顆NSD1025同時驅(qū)動兩路開關(guān)MOSFET,LLC的原邊可用一顆半橋隔離驅(qū)動芯片NSi6602同時驅(qū)動上下橋臂MOSFET,副邊用一顆NSD1025驅(qū)動全波同步整流MOSFET。選用高速高可靠性的驅(qū)動IC,可以幫助電源系統(tǒng)提升效率和功率密度。
    由于開關(guān)電源經(jīng)常需要硬開關(guān)驅(qū)動大功率負(fù)載,在硬開關(guān)以及布局限制的情況下,功率MOSFET往往會對驅(qū)動芯片的輸入和輸出端形成較大的地彈電壓和振蕩尖峰電壓。
    地彈電壓會造成驅(qū)動器輸入端等效出現(xiàn)負(fù)電壓,因?yàn)閮?nèi)部等效體二極管,大多數(shù)柵極驅(qū)動器能夠承受一定的負(fù)壓脈沖。然而,亦有必要采取預(yù)防措施,以防止驅(qū)動器輸入端的過沖和欠壓尖峰過大,而對驅(qū)動芯片造成損壞,或產(chǎn)生誤動作。
    驅(qū)動輸入端負(fù)壓尖峰的形成原因
    仍以PFC拓?fù)錇槔瓦咈?qū)動器用在控制芯片與功率MOSFET之間,以幫助減小開關(guān)損耗,并為MOSFET提供足夠的驅(qū)動電流,以跨過米勒平臺區(qū)域,實(shí)現(xiàn)快速打開。
    在開關(guān)MOSFET的時候,有一個高di/dt的脈沖產(chǎn)生,這種快速變化與寄生電感共同作用,產(chǎn)生了負(fù)電壓峰值,可以用Vn = Lss* di/dt公式估算。
    Lss代表寄生電感。寄生電感值約等于功率MOSFET的內(nèi)部鍵合線和PCB回線接地回路中的電感量之和,其值可以從幾nH至十幾nH不等,寄生電感大小主要取決于PCB布局布線。
    從上面等式可以看出,負(fù)向電壓與寄生電感和電流變化率均成正比。在典型的低邊柵極驅(qū)動電路中,雖然控制器和功率MOSFET使用同一個直流地平面作為參考,但一些情況下,由于驅(qū)動器和控制器有一定距離,所以總會存在寄生電感。
    高di/dt的電流在流經(jīng)MOSFET及其板級回路時,寄生電感存在會導(dǎo)致驅(qū)動器的地電位相對于控制器地電位瞬間抬升,驅(qū)動器的輸入和地之間就相當(dāng)于出現(xiàn)一個瞬間負(fù)壓。在極端情況下,可能造成驅(qū)動器內(nèi)部輸入ESD器件受損,驅(qū)動器出現(xiàn)失效。
    MOSFET 驅(qū)動 負(fù)壓 尖峰
    另一個常見的出現(xiàn)輸入負(fù)壓的場景與對MOSFET進(jìn)行電流采樣相關(guān)。為了實(shí)現(xiàn)更精確的控制,有時在功率MOSFET和大地之間會接一個采樣電阻,用這個采樣電阻來檢測流過MOSFET的電流,從而使控制器能快速做出響應(yīng)。
    而為了使MOSFET的驅(qū)動環(huán)路足夠小,會將驅(qū)動器的GND引腳與MOSFET的源極連接在一起,而控制芯片的GND與真正的地平面在一起,這樣驅(qū)動器的GND和控制芯片GND之間就會存在一個偏置電壓,因此控制芯片輸出低電平時,相對于驅(qū)動器的輸入端,則有一個負(fù)向的偏置電壓。
    MOSFET 驅(qū)動 負(fù)壓 尖峰
    如何應(yīng)對輸入端負(fù)壓
    對于寄生電感引起的輸入瞬間負(fù)壓,一般有三種應(yīng)對方案。首先,可以通過減小開關(guān)速度來降低影響,減小開關(guān)速度能降低電流變化速率di/dt,瞬間負(fù)壓幅度也就會下降。但這樣處理有副作用,降低開關(guān)速度就會增加轉(zhuǎn)換時間,所以會增加開關(guān)損耗,而在一些應(yīng)用中如果對響應(yīng)時間有要求,降低開關(guān)速度的方法就未必適合。
    第二種方法是盡可能優(yōu)化PCB布局布線,減小寄生參數(shù),從而減小負(fù)壓峰值,這是系統(tǒng)設(shè)計中常見的方法,但需要硬件工程師有非常豐富的設(shè)計經(jīng)驗(yàn),而在一些設(shè)計條件限制下,也可能無法優(yōu)化PCB布局布線。
    第三種方法是選擇抗干擾能力強(qiáng)的器件。
    經(jīng)驗(yàn)豐富的工程師通常會同時考慮三種抗擾方案,然后根據(jù)應(yīng)用約束來達(dá)到最優(yōu)選擇。
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