可以使用數(shù)字萬用表進行判斷，通過測量MOS管漏極和源極的電阻可以簡單的判斷出內(nèi)部是否擊穿短路，下面我們來看具體的測量步驟。
MOS管有三個電極，即柵極G，漏極D和源極S，大多數(shù)情況下，帶有絲印的一面面向我們，從左至右依次為柵極，漏極，源極（有例外），所以我們只要根據(jù)以下方法進行測量就可以了，無需分辨腳位（多數(shù)情況下）。
如上圖所示為一個N溝道增強型MOS管，下面我們以此為例，說明一下測量方法，如下：
將萬用表撥至二極管檔位，紅表筆接源極極，黑表筆接漏極，應該會顯示零點幾伏的數(shù)值，這是MOS管內(nèi)部二極管的導通壓降值，反向測量則無讀數(shù)顯示，說明MOS管正常，如正反測量都有讀數(shù)則視為損壞（測量前需對三腳進行短路）。
將紅表筆接柵極，黑表筆接源極，無讀數(shù)顯示為正常，此時黑表筆不動，紅表筆接漏極，萬用表應會有一定的讀數(shù)為正常。此步驟是通過對柵源電容充電，來使漏源兩極導通。
再將MOS管三個腳短路，紅表筆接漏極，黑表筆接源極，此時沒有讀數(shù)說明正常。此步驟為對MOS管放電之后再測量漏源兩極是否導通。
只要掌握以上三步驟，即可很快檢測出MOS管是否被擊穿。
MOS管被擊穿原因
MOS管為什么會被靜電擊穿？靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎？擊穿就一定短路了嗎？JFET管靜電擊穿又是怎么回事？
MOS管靜電擊穿，關于穿通擊穿，有以下一些特征
1.穿通擊穿的擊穿點軟，擊穿過程中，電流有逐漸增大的特征，這是因為耗盡層擴展較寬，發(fā)生電流較大。另一方面，耗盡層展廣大容易發(fā)生DIBL效應，使源襯底結正偏呈現(xiàn)電流逐漸增大的特征。
2.穿通擊穿的軟擊穿點發(fā)生在源漏的耗盡層相接時，此刻源端的載流子注入到耗盡層中， 被耗盡層中的電場加快到達漏端，因此，穿通擊穿的電流也有急劇增大點，這個電流的急劇增大和雪崩擊穿時電流急劇增大不同，這時的電流相當于源襯底PN結正向導通時的電流，而雪崩擊穿時的電流主要為PN結反向擊穿時的雪崩電流，如不作限流，雪崩擊穿的電流要大。
3.穿通擊穿一般不會呈現(xiàn)破壞性擊穿。因為穿通擊穿場強沒有到達雪崩擊穿的場強，不會發(fā)生許多電子空穴對。
4.穿通擊穿一般發(fā)生在溝道體內(nèi)，溝道外表不容易發(fā)生穿通，這主要是因為溝道注入使外表濃度比濃度大構成，所以，對NMOS管一般都有防穿通注入。
5.一般的，鳥嘴邊際的濃度比溝道中心濃度大，所以穿通擊穿一般發(fā)生在溝道中心。
6.多晶柵長度對穿通擊穿是有影響的，跟著柵長度添加，擊穿增大。而對雪崩擊穿，嚴格來說也有影響，可是沒有那么明顯。
MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電（少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓（想想U=Q/C）將管子損壞），又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。
靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路；二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高。
靜電放電形成的是短時大電流，放電脈沖的時間常數(shù)遠小于器件散熱的時間常數(shù)。因此，當靜電放電電流通過面積很小的pn結或肖特基結時，將產(chǎn)生很大的瞬間功率密度，形成局部過熱，有可能使局部結溫達到甚至超過材料的本征溫度(如硅的熔點1415℃)，使結區(qū)局部或多處熔化導致pn結短路，器件徹底失效。這種失效的發(fā)生與否，主要取決于器件內(nèi)部區(qū)域的功率密度，功率密度越小，說明器件越不易受到損傷。
反偏pn結比正偏pn結更容易發(fā)生熱致失效，在反偏條件下使結損壞所需要的能量只有正偏條件下的十分之一左右。這是因為反偏時，大部分功率消耗在結區(qū)中心，而正偏時，則多消耗在結區(qū)外的體電阻上。
對于雙極器件，通常發(fā)射結的面積比其它結的面積都小，而且結面也比其它結更靠近表面，所以常常觀察到的是發(fā)射結的退化。此外，擊穿電壓高于100V或漏電流小于1nA的pn結(如JFET的柵結)，比類似尺寸的常規(guī)pn結對靜電放電更加敏感。
所有的東西是相對的，不是絕對的，MOS管只是相對其它的器件要敏感些，ESD有一個很大的特點就是隨機性，并不是沒有碰到MOS管都能夠把它擊穿。
另外，就算是產(chǎn)生ESD，也不一定會把管子擊穿。靜電的基本物理特征為：
（1）有吸引或排斥的力量；
（2）有電場存在，與大地有電位差；
（3）會產(chǎn)生放電電流。
這三種情形即ESD一般會對電子元件造成以下三種情形的影響：
（1）元件吸附灰塵，改變線路間的阻抗，影響元件的功能和壽命；
（2）因電場或電流破壞元件絕緣層和導體，使元件不能工作（完全破壞）；
（3）因瞬間的電場軟擊穿或電流產(chǎn)生過熱，使元件受傷，雖然仍能工作，但是壽命受損。
所以ESD對MOS管的損壞可能是一，三兩種情況，并不一定每次都是第二種情況。 上述這三種情況中，如果元件完全破壞，必能在生產(chǎn)及品質(zhì)測試中被察覺而排除，影響較少。
如果元件輕微受損，在正常測試中不易被發(fā)現(xiàn)，在這種情形下，常會因經(jīng)過多次加工，甚至已在使用時，才被發(fā)現(xiàn)破壞，不但檢查不易，而且損失亦難以預測。靜電對電子元件產(chǎn)生的危害不亞于嚴重火災和爆炸事故的損失。
電子元件及產(chǎn)品在什么情況下會遭受靜電破壞？可以這么說：電子產(chǎn)品從生產(chǎn)到使用的全過程都遭受靜電破壞的威脅。從器件制造到插件裝焊、整機裝聯(lián)、包裝運輸直至產(chǎn)品應用，都在靜電的威脅之下。
在整個電子產(chǎn)品生產(chǎn)過程中，每一個階段中的每一個小步驟，靜電敏感元件都可能遭受靜電的影響或受到破壞，而實際上最主要而又容易疏忽的一點卻是在元件的傳送與運輸?shù)倪^程。
在這個過程中，運輸因移動容易暴露在外界電場（如經(jīng)過高壓設備附近、工人移動頻繁、車輛迅速移動等）產(chǎn)生靜電而受到破壞，所以傳送與運輸過程需要特別注意，以減少損失，避免無所謂的糾紛。防護的話加齊納穩(wěn)壓管保護。
現(xiàn)在的mos管沒有那么容易被擊穿，尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二極管保護。vmos柵極電容大，感應不出高壓。與干燥的北方不同，南方潮濕不易產(chǎn)生靜電。還有就是現(xiàn)在大多數(shù)CMOS器件內(nèi)部已經(jīng)增加了IO口保護。但用手直接接觸CMOS器件管腳不是好習慣。至少使管腳可焊性變差。
MOS管被擊穿的解決方案
第一、MOS管本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。
雖然MOS輸入端有抗靜電的保護措施，但仍需小心對待，在存儲和運輸中最好用金屬容器或者導電材料包裝，不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化工材料或化纖織物中。
組裝、調(diào)試時，工具、儀表、工作臺等均應良好接地。要防止操作人員的靜電干擾造成的損壞，如不宜穿尼龍、化纖衣服，手或工具在接觸集成塊前最好先接一下地。對器件引線矯直彎曲或人工焊接時，使用的設備必須良好接地。
第二、MOS電路輸入端的保護二極管，其導通時電流容限一般為1mA，在可能出現(xiàn)過大瞬態(tài)輸入電流（超過10mA）時，應串接輸入保護電阻。因此應用時可選擇一個內(nèi)部有保護電阻的MOS管應。
還有由于保護電路吸收的瞬間能量有限，太大的瞬間信號和過高的靜電電壓將使保護電路失去作用。所以焊接時電烙鐵必須可靠接地，以防漏電擊穿器件輸入端，一般使用時，可斷電后利用電烙鐵的余熱進行焊接，并先焊其接地管腳。
MOS是電壓驅動元件，對電壓很敏感，懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導通，外部干擾信號對G-S結電容充電，這個微小的電荷可以儲存很長時間。
在試驗中G懸空很危險，很多就因為這樣爆管，G接個下拉電阻對地，旁路干擾信號就不會直通了，一般可以10~20K。這個電阻稱為柵極電阻，作用1：為場效應管提供偏置電壓；作用2：起到瀉放電阻的作用（保護柵極G~源極S）。
第一個作用好理解，這里解釋一下第二個作用的原理：保護柵極G~源極S：場效應管的G-S極間的電阻值是很大的，這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓，如果不及時把這些少量的靜電瀉放掉，他兩端的高壓就有可能使場效應管產(chǎn)生誤動作，甚至有可能擊穿其G-S極；這時柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，從而起到了保護場效應管的作用。
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