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  • 場效應(yīng)管開關(guān)應(yīng)用,開關(guān)電路詳解
    • 發(fā)布時(shí)間:2022-08-11 17:52:43
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    場效應(yīng)管開關(guān)應(yīng)用,開關(guān)電路詳解
    場效應(yīng)管開關(guān)應(yīng)用
    場效應(yīng)管在開關(guān)狀態(tài)工作時(shí); Q1、Q2是輪番導(dǎo)通, MOS管柵極是在反復(fù)充電、放電的狀態(tài),假設(shè)在此時(shí)關(guān)閉電源, 場效應(yīng)管的柵極就有兩種狀態(tài); -一個(gè)狀態(tài)是;放電狀態(tài),柵極等效電容沒有電荷存儲(chǔ),一個(gè)狀態(tài)是;充電狀態(tài),柵極等效電容正好處于電荷充溢狀態(tài),圖2-5-A所示。
    固然電源切斷,此時(shí)Q1、Q2也都處于斷開狀態(tài),電荷沒有釋放的回路, 場效應(yīng)管柵極的電場仍然存在(能堅(jiān)持很長時(shí)間) , 樹立導(dǎo)電溝道的條件并沒有消逝。
    這樣在再次開機(jī)瞬間,由于鼓舞信號(hào)還沒有樹立,而開機(jī)瞬間場效應(yīng)管的漏極電源(VDS )隨機(jī)提供,在導(dǎo)電溝道的作用下, 場效應(yīng)管即刻產(chǎn)生不受控的龐大漏極電流ID ,使場效應(yīng)管燒壞。
    為了避免此現(xiàn)象產(chǎn)生,在場效應(yīng)管的柵極對(duì)源極并接一只泄放電阻R1 ,如圖2- 5-B所示,關(guān)機(jī)后柵極存儲(chǔ)的電荷經(jīng)過R1疾速釋放,此電阻的阻值不可太大,以保證電荷的疾速釋放,普通在5K ~數(shù)10K左右。
    場效應(yīng)管開關(guān)應(yīng)用
    場效應(yīng)管在開關(guān)振蕩電路中的應(yīng)用
    開關(guān)集成電路U101中的振蕩器起振,為場效應(yīng)管Q101的柵極G提供振蕩信號(hào),于是場效應(yīng)管Q101開始振蕩,使開關(guān)變壓器T101的初級(jí)線圈中產(chǎn)生開關(guān)電流,開關(guān)變壓器的次級(jí)線圈3、4中便產(chǎn)生感應(yīng)電流,3腳的輸出經(jīng)整流、濾波后形成正反饋電壓加到U101的7腳,從而維持振蕩電路工作,使開關(guān)電源進(jìn)入正常的工作狀態(tài)。場效應(yīng)管作為該電路中的脈沖放大器件,用于實(shí)現(xiàn)“開關(guān)振蕩的功能。
    場效應(yīng)管開關(guān)應(yīng)用
    場效應(yīng)管開關(guān)應(yīng)用
    左面是增強(qiáng)型 N溝道MOS,簡稱NMOS, 右面是增強(qiáng)型P溝道MOS,簡稱PMOS, 各接成反向器電路圖。
    NMOS的漏極(D)接在+5V的電源上,器件參數(shù)中設(shè)定它的閾值Vth =+1.5V, 當(dāng)加在柵極(G)和源極(S)間的電壓VGs<Vth時(shí),管子截止,而當(dāng)VGs> Vth時(shí),管子導(dǎo)通; PMOS的漏極接在-5V的電源上,器件參數(shù)中設(shè)定它的閾值Vth =-1.5V, 當(dāng)VGs>Vth時(shí),管子截止,而當(dāng)VGs<Vth 時(shí),管子導(dǎo)通。為了使截止和導(dǎo)通兩個(gè)狀態(tài)界限分明,VGs與Vth 的差別要比較大。
    電路輸出端的電容是下級(jí)電路對(duì)本級(jí)的作用的代表,MOS管的輸入電阻很大,一般可當(dāng)做無窮大,其作用主要表現(xiàn)為電容性。
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