下圖中的電路不難在面包板上搭出來(lái)，最好把功率器件（PROFET或MOSFET）單獨(dú)放在一塊板上，并配上散熱器。看看后面的實(shí)物電路照片，功率器件必須要和供電電源或者蓄電池以及電機(jī)用很粗的線纜連接。
本文用的是1.5mm（1.77平方毫米）的鍍錫銅線連接功率器件和線纜接插件。這對(duì)于平均電流20A以下的電機(jī)來(lái)說(shuō)足夠了。接插件再引出導(dǎo)線的截面積則要達(dá)到2平方毫米以上。對(duì)于更高電流的電機(jī)，很顯然要用更加組厚的線纜。
在這里要特別注意不能有任何形式的短路，特別是和大容量蓄電池相連的時(shí)候。必須要用帶限流的供電電源，并且先用一個(gè)小號(hào)的電機(jī)，上電測(cè)試電路能否正常工作。
PWM電路設(shè)計(jì)
通過(guò)上圖左下角那個(gè)47K的可變電阻，PWM信號(hào)的占空比從0%-100%可調(diào)，而右上角的R和C決定了輸出濾波的截止頻率，兩種不同的截止頻率對(duì)應(yīng)的電阻和電容選值。
12V電源供電
小電流的電路部分（不包含電機(jī)），可以用一個(gè)12V的線性電源供電。輸入電壓設(shè)計(jì)在15V以上，最大電流1A，加散熱器。
基于功率PROFET的 PWM電機(jī)驅(qū)動(dòng)
第一種電機(jī)功率驅(qū)動(dòng)電路基于PROFET管 BTS555，工作在500Hz的開(kāi)關(guān)頻率，可以說(shuō)BTS555相對(duì)來(lái)說(shuō)是一個(gè)低速器件。
需要注意的是BTS 555和兩個(gè)二極管DS75-08B和DS175-08B驅(qū)動(dòng)更高電流的電機(jī)時(shí)，需要更大號(hào)的散熱器。目前更加常見(jiàn)，更好的設(shè)計(jì)是下面基于MOSFET的版本。
基于功率MOSFET的PWM電機(jī)驅(qū)動(dòng)
之所以MOSFET方案更好的原因，毋庸贅言是它的開(kāi)關(guān)頻率更高，達(dá)到20KHz. 這個(gè)電路同時(shí)避免了PROFET設(shè)計(jì)中功率二極管的壓降和功率損耗。
不過(guò)，MOSFET本身需要一定的功率驅(qū)動(dòng)，因?yàn)镸OSFET的容性負(fù)載很大，門(mén)級(jí)要2A以上的電流驅(qū)動(dòng)才能導(dǎo)通。因此在PWM電路和電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路之間，還需要插入一級(jí)MOSFET驅(qū)動(dòng)電路。同時(shí)，隨著電機(jī)電流的加大，它也需要更大的散熱器。
MOSFET 驅(qū)動(dòng)范例1
一種可行的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路，不如范例2的優(yōu)秀。
MOSFET 驅(qū)動(dòng)范例2
堪稱(chēng)最好的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路，用的是專(zhuān)用芯片EL7212CN作為核心，需要注意的是這種電路的輸出邏輯是反向的。
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