一、MOS管平方關系模型
MOS管溝道飽和區(qū)電流ID（不考慮非理想效應)
二、如何進行仿真得到手算參數(shù)
首先在原理圖中放上器件，以NMOS為例子，同時分別設置好NMOS溝道長度和寬度，還有將對應器件電壓也設置成變量，設成變量方面后面仿真條件下修改參數(shù)。
關注的參數(shù)
需要關注的參數(shù)是beff和betaeff，其中beff就是平方率關系對應的理想?yún)?shù)（完全不考慮溝道調制效應等，是可以計算過后發(fā)現(xiàn)，用得到的閾值電壓還有Id算出來完全符合平方率關系對應的理想值），betaeff是修正的跨導模型參數(shù)，畢竟現(xiàn)在模型不是以前的那種簡單模型了。
MOS管溝道飽和區(qū)電流ID
〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，上萬家電路電器生產企業(yè)選用，專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產品，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號碼或加QQ/微信，由我們的銷售經(jīng)理給您精準的報價以及產品介紹
聯(lián)系號碼：18923864027（同微信）
QQ：709211280