MOSFET門源極并聯(lián)電容后，開(kāi)關(guān)可靠性得到提升
開(kāi)關(guān)電路如下圖：
電路解釋
1.該電路用于高邊開(kāi)關(guān)，當(dāng)MOS_ON 網(wǎng)絡(luò)拉低到地時(shí)，開(kāi)關(guān)Q1導(dǎo)通；
2.電路中D3作用為鉗位Q1門源電壓在12V左右，以保護(hù)Q1；
3.C2作用為濾除MOS_ON上的干擾以及延緩Q1上下電時(shí)間，如下圖：分別為添加電容和不添加電容Q1門極電壓變化情況。
結(jié)論：通過(guò)在開(kāi)關(guān)g s 并聯(lián)電容，可以有效提升開(kāi)關(guān)mosfet抗干擾能力，尤其在mosfet需要通過(guò)外部按鍵使能的應(yīng)用，另外并聯(lián)的電容可以有效濾除由于控制抖動(dòng)導(dǎo)致的電源開(kāi)關(guān)關(guān)斷。
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