下面以圖10中電機控制電路來說明米勒效應(yīng)對MOSFET開通關(guān)斷過程的影響。
在圖10控制電路中，上管導通時，VDD通過Q1、Q4對電機進行勵磁；上管關(guān)斷時，電機通過Q4、Q3進行去磁。在整個工作過程中，Q4一直保持開通，Q1, Q2交替開通來對電機轉(zhuǎn)子進行勵磁和去磁。
圖10. 電機控制電路
圖11，圖12是上下管開通關(guān)斷時驅(qū)動電壓測試波形。可以清楚的看到，在上管開通和關(guān)斷時，下管柵極上會產(chǎn)生一個尖峰，尖峰的電壓增加了上下管同時導通的風險，嚴重時會造成非常大的電流同時流過上下管，損壞器件。
圖11. 上管開通下管關(guān)斷時的測試波形
圖12. 上管關(guān)斷上管開通時的測試波形
下管開通關(guān)斷出現(xiàn)的這種波形是由漏柵電容導致的寄生開通現(xiàn)象（如圖13所示）。在下管關(guān)斷后，上管米勒平臺結(jié)束時，橋臂中點電壓由0升到VDD，MOSFET的源極和漏極之間產(chǎn)生陡峭的的dV/dt。
由此在漏柵電容產(chǎn)生的電流會流到柵極，經(jīng)柵極電阻到地，這樣就會在柵極電阻上產(chǎn)生的電壓降。這種情況，就會可能發(fā)生上下管同時導通，損壞器件。
圖13. MOSFET寄生開通機制
下管的這個Vgs尖峰電壓（也有公司稱之為Vgs bouncing）可以表達為：
Rgoff驅(qū)動關(guān)斷電阻，Rg,ls(int)為MOSFET柵極固有電阻，Rdrv為驅(qū)動IC的電阻。從公式（1）可以看到，該電壓與Rgtot和Cgd呈正向相關(guān)。
所以解決這個問題有兩類方法：
1. 減小Rgtot。由公式（2）知道，Rg,ls(int)由器件本身決定，Rdrv由驅(qū)動IC決定，所以一般是選擇合適的Rg來平衡該Vgs bouncing電壓。
2. 選擇Crss/Ciss（即Cgd/Cgs）低的MOSFET有助于降低Vgs尖峰電壓值。或者在MOSFET柵源之間并上一個電容，也會吸收dV/dt產(chǎn)生的漏刪電流。
圖15是在下管的GS兩端并聯(lián)5.5nF電容后的開關(guān)波形，可以看到電壓明顯降低，由圖11中的3.1V降低到1.7V，大大降低了上下管貫通的風險。
圖15. 下管GS并上5.5nF電容的波形
同理，上管關(guān)斷至米勒平臺結(jié)束時，下管開通前，橋臂中點電壓由VDD降為0，MOSFET的源極和漏極之間產(chǎn)生陡峭的的dV/dt。由此就會在柵極上面產(chǎn)生一個負壓。
同時，由圖11，圖12，可以觀察到，下管開通關(guān)斷過程中，都沒有出現(xiàn)米勒平臺現(xiàn)象。這是因為在其開通關(guān)斷時，由于Motor中的電流經(jīng)過下管的體二極管續(xù)流，DS兩端電壓很小，所以米勒平臺也就形成不了了。
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