在功率電子（例如驅(qū)動技術(shù)）中，IGBT、MOSFET經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開關(guān)期間。為了較大程度減小開關(guān)損耗，要求具備較短的開關(guān)時間。
然而，快速開關(guān)同時隱含著高壓瞬變的危險(xiǎn)，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT、MOSFET提供合適柵極信號的柵極驅(qū)動器，還執(zhí)行提供短路保護(hù)并影響開關(guān)速度的功能。然而，在選擇柵極驅(qū)動器時，某些特性至關(guān)重要。
圖1. 隔離式柵極驅(qū)動器 ADuM4135 的簡化原理圖。
電流驅(qū)動能力
在開關(guān)期間，晶體管會處于同時施加了高電壓和高電流的狀態(tài)。根據(jù)歐姆定律，這將導(dǎo)致一定的損耗，具體取決于這些狀態(tài)的持續(xù)時間（參見圖2）。目標(biāo)是要較大程度地減小這些時間段。此處的主要影響因素是晶體管的柵極電容，為實(shí)現(xiàn)開關(guān)必須對其進(jìn)行充電/放電。較高的瞬態(tài)電流會加速此過程。
圖2. 晶體管各個損耗分量的簡化表示。
因此，能夠在更長時間內(nèi)提供更高柵極電流的驅(qū)動器對開關(guān)損耗更能起到積極作用。例如，ADI 公司的 ADuM4135可以提供高達(dá)4 A的電流。根據(jù)IGBT的不同，這可能會使開關(guān)時間處于很小 的幾ns范圍內(nèi)。
時序
開關(guān)時間最小化的決定性因素是輸出上升時間 (tR)、下降時間 (tF)和傳播延遲 (tD)。傳播延遲定義為輸入沿到達(dá)輸出所需的時間，并取決于驅(qū)動器輸出電流和輸出負(fù)載。傳播延遲通常伴隨脈沖寬度失真(PWD)，其為上升沿時延和下降沿時延之間的差值：
因?yàn)轵?qū)動器通常具有多個輸出通道，盡管采用相同的輸入驅(qū)動，但仍會具有不同的響應(yīng)時間，因此會產(chǎn)生小的附加偏置，即傳播延遲偏斜 (tSKEW)。
圖3. 具有多個輸出的柵極驅(qū)動器的時序行為。
圖4. 具有多個輸出的柵極驅(qū)動器的簡單原理圖。
隔離耐受電壓
在電力電子中，出于功能和安全考慮需要進(jìn)行隔離。由于采用了柵極驅(qū)動器（例如在驅(qū)動技術(shù)中采用半橋拓?fù)湫问剑虼藭c高總線電壓和電流接觸，隔離不可避免。
功能方面的原因是功率級的驅(qū)動通常發(fā)生在低壓電路中，因此無法驅(qū)動半橋拓?fù)涞母叨碎_關(guān)，因?yàn)榈投碎_關(guān)同時打開時，它的電位較高。同時，隔離代表在發(fā)生故障時高壓部分與控制電路的可靠隔離，從而可以進(jìn)行人為接觸。隔離式柵極驅(qū)動器的 Viso（隔離耐壓等級）通常為5 kV (rms)/min 或更高。
抗擾度
惡劣的工業(yè)環(huán)境要求應(yīng)用對干擾源具有較佳抗擾度或抗干擾性。例如，RF噪聲、共模瞬變和干擾磁場是關(guān)鍵性因素，因?yàn)樗鼈兛梢择詈系綎艠O驅(qū)動器中，并且會激勵功率級，使其在不希望的時間內(nèi)進(jìn)行開關(guān)。隔離式柵極驅(qū)動器的共模瞬變抗擾度 (CMTI) 定義了抑制輸入和輸出之間共模瞬變的能力。例如， ADuM4121 具有出色的大于150 kV/μs 的規(guī)格值。
本文提到的參數(shù)僅代表柵極驅(qū)動器規(guī)格的一部分，并不代表完整列表。其他決定性因素包括工作電壓、電源電壓、溫度范圍以及附加集成功能（如米勒箝位和去飽和保護(hù)）。因此，可根據(jù)應(yīng)用需求選擇大量不同的柵極驅(qū)動器。
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