MOSFET、MODFET、MESFET最大的區(qū)別在于柵極的控制；
MOSFET是MOS金屬-氧化物-半導(dǎo)體（電容）做柵極；
MODFET/MESFET是用金屬-半導(dǎo)體接觸（肖特基二極管），用二極管做柵極。速度比MOS要快，可以用在高速電路上。
MOS相當(dāng)于塑料閥門頭，MES/MOD是銅閥門頭。
MESFET和MODFET的區(qū)別
MODFET有異質(zhì)結(jié)，形成一個(gè)二維層，叫二維電子氣(Two-dimensional electron gas,2DEG)是指電子氣可以自由在二維方向移動(dòng)，而在第三維上受到限制的現(xiàn)象。
所有場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的輸出特性均相似。低漏偏壓時(shí)存在一線性區(qū)。偏壓變大時(shí)，輸出電流最終達(dá)到飽和；電壓足夠高時(shí)，漏端將發(fā)生雪崩擊穿。
根據(jù)閾值電壓的正或負(fù)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為增強(qiáng)型(常斷模式)或耗盡型(常通模式)。金屬半導(dǎo)體接觸是MESFET與MODFET器件的基本結(jié)構(gòu)。使用肖持基勢(shì)壘作為柵極、兩個(gè)歐姆接觸作為源極與漏極。
MODFET器件高頻性能更好。器件結(jié)構(gòu)上除柵極下方的異質(zhì)結(jié)外，大體上與MESFET相似。異質(zhì)結(jié)界面上形成二維電子氣(亦即可傳導(dǎo)的溝道)，具有高遷移率與高平均漂移速度的電子可通過溝道由源極漂移到漏極。
截止頻率fT是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一個(gè)高頻指標(biāo)。在給定長(zhǎng)度時(shí)，Si MOSFET(n型)的fT最低，GaAs MESFET的fT比硅約高三倍。常用GaAs MODFET與贗晶SiGe MODFET的fT 比GaAs MESFET約高30％。
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