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    20N02,20N02場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),20N02參數(shù)規(guī)格書,封裝SOP-8
    • 發(fā)布時(shí)間:2024-04-19 18:33:55
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    20N02
    20N02/SOP-8/SOIC-8封裝參數(shù):點(diǎn)擊查看20N02
    20N02場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)具體如下:
    20N02
    20N02場(chǎng)效應(yīng)管極性:NPN
    開啟電壓VGS:min 0.4V typ 0.7V max 1V
    Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds:20V
    Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs:±20V
    Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃:20A
    Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃:38W
    Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=70℃:W
    Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=10A,VGS=4.5V:Typ 4.8mΩ Max 6.8mΩ
    Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=5A,VGS=2.5V:Tpy 6.8mΩ Max 10mΩ
    Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍:-55~+150℃
    20N02場(chǎng)效應(yīng)管SOP-8/SOIC-8封裝尺寸:
    20N02
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