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解析IGBT的開關(guān)頻率上限有多高首先,開關(guān)頻率是指IGBT在一秒鐘內(nèi)開關(guān)次數(shù)。而在確定的母線電壓和導(dǎo)通電流下,IGBT每次開關(guān)都會(huì)產(chǎn)生一定的損
IGBT溫度與功率損耗的估算IGBT模塊的損耗IGBT模塊的損耗源于內(nèi)部IGBT和二極管(續(xù)流FWD、整流)芯片的損耗,主要是IGBT和FWD產(chǎn)生的損耗。IG
二極管,三極管與穩(wěn)壓管表判斷好壞1 用數(shù)字萬用表的二極管檔位測量二極管。測二極管時(shí),使用萬用表的二極管的檔位。若將紅表筆接二極管陽(
二極管的特性和應(yīng)用幾乎在所有的電子電路中,都要用到半導(dǎo)體二極管,它在許多的電路中起著重要的作用,它是誕生最早的半導(dǎo)體器件之一,其應(yīng)
場效應(yīng)管使用優(yōu)勢,等詳細(xì)解析場效應(yīng)管使用優(yōu)勢,特點(diǎn)解析場效應(yīng)管的使用優(yōu)勢有哪些?場效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在
MOS管設(shè)計(jì)知識(shí)-傳輸管TG與組合邏輯延時(shí)解析MOS管的基本性質(zhì)MOS管,即場效應(yīng)管,四端器件,S、D、G、B四個(gè)端口可以實(shí)現(xiàn)開和關(guān)的邏輯狀態(tài),進(jìn)
MOS管的GS波形詳細(xì)解析對(duì)于電源工程師來講,很多時(shí)候都在看波形,看輸入波形,MOS開關(guān)波形,電流波形,輸出二極管波形,芯片波形,MOS管的G
快速查找MOS管損壞的原因Q:什么原因會(huì)導(dǎo)致MOS管損壞?A:導(dǎo)致MOS管損壞的主要原因可總結(jié)為五種:雪崩破壞、器件發(fā)熱損壞、內(nèi)置二極管破壞
MOS管與簡單CMOS邏輯電平電路現(xiàn)代單片機(jī)主要是采用CMOS工藝制成的。01MOS管MOS管又分為兩種類型:N型和P型。如下圖所示:以N型管為例,2端
MOS管怎么檢測好壞MOS管是金屬 —氧化物 —半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,或稱是金屬—絕緣體—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都
功率mos管為什么會(huì)被燒毀mos在控制器電路中的工作狀態(tài):開通過程(由截止到導(dǎo)通的過渡過程)、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程(由導(dǎo)通到截止的過渡過程
怎么處理MOS管小電流發(fā)熱MOSFET的擊穿有哪幾種?Source、Drain、Gate場效應(yīng)管的三極:源級(jí)S 漏級(jí)D 柵級(jí)G(這里不講柵極GOX擊穿了啊,只針