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快恢復(fù)二極管參數(shù)對(duì)封裝選擇會(huì)有影響嗎快恢復(fù)二極管分別有TO-220AB(鐵封)、TO-220AB(塑封)、TO-247、TO-252、TO-263等封裝。快恢復(fù)二極
哪一些參數(shù)影響快恢復(fù)二極管選型選用快恢復(fù)二極管時(shí),主要應(yīng)考慮其最大整流電流、最大反向工作電流、截止頻率及反向恢復(fù)時(shí)間等參數(shù)。(1)
碳化硅和硅材料器件的優(yōu)勢(shì)區(qū)別有哪些碳化硅功率器件的研發(fā)始于20世紀(jì)90年代,目前已成為新型功率半導(dǎo)體器件研究開(kāi)發(fā)的主流。業(yè)界普遍認(rèn)為碳
MPS二極管是什么肖特基二極管具有良好的反向恢復(fù)特性,但是其擊穿電壓較低;傳統(tǒng)PIN二極管具有較高的擊穿電壓,但其反向恢復(fù)特性差。因此,
增強(qiáng)型MOS管和耗盡型MOS管有什么區(qū)別場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)兩大類(lèi)。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道
快恢復(fù)二極管的結(jié)構(gòu)是怎么樣的快恢復(fù)二極管PIN結(jié)構(gòu)示意圖如上所示:快恢復(fù)二極管是在常規(guī)的功率二極管基礎(chǔ)上,在器件設(shè)計(jì)與制作工藝上采用
電源的反向保護(hù)二極管與作用電源的輸出端口通常會(huì)采用一個(gè)反向二極管來(lái)保護(hù)電源避免受到反向電壓的損壞!如下圖所示,幾乎絕大部分的直流電
怎么測(cè)試穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值測(cè)量穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值VZ的方法如下:1、單表測(cè)量法此方法適用于指針式萬(wàn)用表。如果穩(wěn)壓二極倍的穩(wěn)定電壓VZ<9V
電容二極管升壓電路分析當(dāng)電路未通電時(shí),各處電平都是0V。當(dāng)通電時(shí),右上角+5V_ALWP通過(guò)D32的1引腳對(duì)C710、C722、C715、C719進(jìn)行充電,此時(shí)
怎么借助雪崩二極管提供過(guò)壓保護(hù)當(dāng)IGBT在高性能應(yīng)用中高速接通和斷開(kāi)時(shí),總會(huì)發(fā)生過(guò)壓。例如,當(dāng)關(guān)閉負(fù)載電流電路時(shí),集電極發(fā)射極電壓突然
鉗位二極管保護(hù)原理解析鉗位二極管其實(shí)就是TVS 管,也就是瞬態(tài)抑制二極管的簡(jiǎn)稱(chēng)(Transient Voltage Suppressor)。它是在穩(wěn)壓二極管的
二極管的電容效應(yīng)與等效電路開(kāi)關(guān)特性一、二極管的電容效應(yīng)二極管具有電容效應(yīng)。它的電容包括勢(shì)壘電容CB和擴(kuò)散電容CD。1.勢(shì)壘電容CB前面已