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P溝MOS管工作原理金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類(lèi),P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做
什么是場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極
MOS管開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路圖在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多
逆變器是把直流電能(電池、蓄電瓶)轉(zhuǎn)變成交流電(一般為220v50HZ正弦或方波)。通俗的講,逆變器是一種將直流電(DC)轉(zhuǎn)化為交流電(AC)
MOS管參數(shù)解讀1、電壓規(guī)格(VDSS)俗稱(chēng)耐壓,至少應(yīng)該為主繞組的3倍,需求留意的是,主繞組的電壓指的是圖2 6中的N2或者N3,而不是二者相加。
場(chǎng)效應(yīng)管放大電路圖場(chǎng)效應(yīng)管放大電路圖的結(jié)構(gòu)及功能特點(diǎn),能夠正確分析和識(shí)讀放大電路中各種關(guān)鍵元器件的作用以及信號(hào)經(jīng)過(guò)放大電路后的輸出
MOS管偏置電路MOS管直流偏置電路MOS管的單電源直流偏置電路有兩種:1、只能用于結(jié)型和耗盡型MOS管的自給偏置電路。2、可用于各種MOS管的分
NMOS管什么是NMOS管NMOS英文全稱(chēng)為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱(chēng)之為NMOS晶
n溝道m(xù)os管導(dǎo)通電壓n溝道m(xù)os管導(dǎo)通條件場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通與截止由柵源電壓來(lái)操控,關(guān)于增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)管方面來(lái)說(shuō),N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通,P溝
三端穩(wěn)壓管好壞測(cè)量三端穩(wěn)壓管及分類(lèi)介紹三端穩(wěn)壓管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。穩(wěn)壓管在反向擊穿時(shí),在一定
數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)mos好壞什么是MOSmos管是金屬—氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的
什么是PMOSPMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。PMOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值