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MOS電路解析-MOS電路圖應(yīng)用和P溝道MOS管開關(guān)電路
2019-08-31
MOS電路簡(jiǎn)介MOS電路為單極型集成電路，又稱為MOS集成電路，它采用金屬－氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(Metal Oxide Semi-conductor Field Effec
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MOS管為什么會(huì)靜電擊穿與MOS管擊穿原因和解決方案
2019-08-31
MOS管靜電擊穿關(guān)于穿通擊穿，有以下一些特征（1）穿通擊穿的擊穿點(diǎn)軟，擊穿過程中，電流有逐漸增大的特征，這是因?yàn)楹谋M層擴(kuò)展較寬，發(fā)生電
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MOS管選型-詳說MOS管選型技巧
2019-08-31
MOS管選型技巧選擇到一款正確的MOS管，可以很好地控制生產(chǎn)制造成本，最為重要的是，為產(chǎn)品匹配了一款最恰當(dāng)?shù)脑骷?，這在產(chǎn)品未來的使用過
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同步整流mos工作原理-同步整流基本電路結(jié)構(gòu)與與肖特基整流
2019-08-30
同步整流同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET，來取代整流二極管以降低整流損耗的一項(xiàng)新技術(shù)。它能大大提高DC DC變換器的效率并且
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h橋mos管驅(qū)動(dòng)電路原理與h橋mos管電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路分析
2019-08-30
h橋mos管驅(qū)動(dòng)電路原理實(shí)踐驅(qū)動(dòng)電路中通常要用硬件電路便當(dāng)?shù)乜刂崎_關(guān)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)板主要采用兩種驅(qū)動(dòng)芯片，一種是全橋驅(qū)動(dòng)HIP4082，一種是半
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MOS管柵極-MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電阻怎么設(shè)計(jì)和柵極檢測(cè)
2019-08-30
MOS管柵極由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽極和陰極之間的一個(gè)或多個(gè)具有細(xì)絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極，起控制陰極
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MOSFET柵極電壓對(duì)電流的影響-MOSFET柵極應(yīng)用電路解析
2019-08-30
MOSFET柵極簡(jiǎn)介MOSFET柵極，場(chǎng)效應(yīng)管根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，
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常用逆變器MOS管選型封裝型號(hào)表-逆變器MOS管原理和電路
2019-08-30
逆變器MOS管選型及電路工作詳解（一）工作原理及電路這里主要是講述逆變器是由MOS場(chǎng)效應(yīng)管，普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場(chǎng)效
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功率MOSFET的電流應(yīng)用-功率MOSFET工作原理結(jié)構(gòu)
2019-08-29
功率MOSFET工作原理功率MOSFET是從小功率MOS管展開來的。但在結(jié)構(gòu)上，它們之間相差很大，為了更好天文解功率MOSFET的機(jī)理，首先來回想一下
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MOS管TO-247封裝尺寸與外形圖-TO-247封裝型號(hào)參數(shù)
2019-08-29
TO-247封裝MOSFET芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個(gè)外殼,即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護(hù)、冷卻的作用,同時(shí)還為芯
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MOS管散熱片檢測(cè)處理和怎么正確恰當(dāng)?shù)慕oMOS管加散熱片
2019-08-29
MOS管散熱片大功率逆變器MOS管，工作的時(shí)候，發(fā)熱量非常大，如果MOS管散熱效果不好，溫度過高就可能導(dǎo)致MOS管的燒毀，進(jìn)而可能導(dǎo)致整個(gè)電路
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igbt工作原理與實(shí)物接線圖-igbt接線時(shí)應(yīng)注意地方
2019-08-29
igbt工作原理及接線圖igbt簡(jiǎn)介igbt工作原理及接線圖，我們先了解一下igbt是什么？IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙極