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場(chǎng)效應(yīng)管分類場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)因有兩個(gè)PN結(jié)而得名,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(JGFET)則因柵極與其它電極完
小信號(hào)等效電路模仿電路解析包括直流解析和交流小信號(hào)解析。這里導(dǎo)入小信號(hào)解析時(shí)所需要的小信號(hào)等效電路。小信號(hào)等效電路模型是使計(jì)算簡(jiǎn)單
柵極接地放大電路如表3 1所示,所謂柵極接地放大電路,就是在柵極固定為一定電位的狀態(tài)下,輸入信號(hào)加到源極上,從漏極取出輸出信號(hào)的電路
柵極驅(qū)動(dòng)的優(yōu)化以下幾種簡(jiǎn)單的技術(shù)措施能夠有效進(jìn)步電路的開(kāi)關(guān)速度,這就是柵極驅(qū)動(dòng)的優(yōu)化(圖5 80)。通常狀況下,為了進(jìn)步電源的應(yīng)用率
CMOS反相器的特性反相器的意思就是反轉(zhuǎn),是將輸入的信號(hào)電平反轉(zhuǎn)輸出的電路。圖10 5是將MOS晶體管置換為開(kāi)關(guān)的反相器電路。就是說(shuō)p溝 n溝MO
基于CMOS的普通的AB級(jí)輸出電路圖9 24示出一例用CMOS構(gòu)成AB級(jí)輸出電路的辦法。輸出晶體管M,和Mz兩個(gè)柵極間并聯(lián)銜接著n溝MOS晶體管M3和p溝MOS
輸入阻抗高由于柵氧化膜與硅襯底絕緣,所以CMOS的輸入具有十分高的輸入阻抗。實(shí)踐的CMOS器件中,輸入級(jí)裝備有維護(hù)電路(維護(hù)二極管或維護(hù)MO
MOS管工作原理MOS管定義MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,屬于絕緣柵型。其結(jié)構(gòu)示意圖:結(jié)構(gòu)示意圖解析1)溝道上面圖
詳解,N溝道MOS管和P溝道MOS管先講講MOS CMOS集成電路MOS集成電路特點(diǎn):制造工藝比較簡(jiǎn)單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡(jiǎn)單,
輸入維護(hù)電路當(dāng)器件加有過(guò)大的電壓或電流時(shí),器件會(huì)遭到損傷而導(dǎo)致性能劣化,嚴(yán)重時(shí)會(huì)被擊穿。這時(shí)芯片上的布線或器件的分離局部將會(huì)被毀壞
漏極電流與VGS呈指數(shù)關(guān)系至此,所考慮的MOS晶體管的工作,都是柵極—源極間電壓VGS比閾值電壓VT大時(shí)的狀況。當(dāng)VGS比VT大很多時(shí),在柵氧化膜
圖9 27示出普通的OP放大器的符號(hào)。理想的OP放大器中,輸入電壓與輸出電壓的關(guān)系是這里的Vdm是OP放大器的電壓增益。所以當(dāng)Vinp=Vinn時(shí),輸出