MOSFET屬于單極性器件。MOS管，金屬氧化物氧化物場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor FET，簡稱MOS-FET，是應用場效應原理工作的半導體器件，屬于電壓控制型半導體器件。
場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，由于它僅靠半導體中的多數(shù)載流子導電，又稱單極型晶體管。
MOSFET具有多種類型，包括平面型(Planar MOS)、溝槽型(Trench MOS)、超結(Super Junction MOS)和屏蔽柵(SGT MOS)等。
MOS管是主要有兩種結構形式：N溝道型和P溝道型。
根據(jù)場效應原理的不同，分為耗盡型（當柵壓為零時有較大漏極電流）和增強型（當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流）兩種。
因此，MOS管可以被制構成P溝道增強型、P溝道耗盡型、N溝道增強型、N溝道耗盡型4種類型產(chǎn)品。
一般主板上使用最多的是增強型MOS管，NMOS最多，一般多用在信號控制上，其次是PMOS，多用在電源開關等方面，耗盡型幾乎不用。
MOS管有三個電極：Gate柵極（表示為“G”）、Source源極（表示為“S”）、Drain漏極（表示為“D”）。接線時，對于N溝道的電源輸入為D，輸出為S；P溝道的電源輸入為S，輸出為D；且增強型、耗盡型的接法基本一樣。
由于生產(chǎn)工藝，一般的MOS管會有一個寄生二極管（體二極管）。
NMOS和PMOS寄生二極管方向不一樣，NMOS是由S極→D極，PMOS是由D極→S極。
mosfet原理作用
場效應管工作原理簡單來說就是：漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID， 用柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓進行控制。
工作原理：
當柵極沒有電壓（Ugs=0）時，漏極和源極之間相當于兩個背靠背的二極管，不會有電流流過，此時MOSFET處于截止狀態(tài)。
當在柵極加上正電壓（Ugs>0）時，柵極和襯底之間會形成一個電場。這個電場會吸引襯底中的空穴，同時排斥源極和漏極之間的電子，使得電子聚集在兩個N溝道之間的P型半導體中。
當Ugs超過一個閾值（Ugs(th)）時，在源極和漏極之間的N型半導體會形成一個電子溝道，此時如果漏極加有正電壓，就可以形成漏極到源極的電流，MOSFET導通。
閾值電壓：Ugs(th)是使MOSFET從截止狀態(tài)轉變?yōu)閷顟B(tài)所需的電壓，這個閾值電壓是MOSFET的一個重要參數(shù)，它決定了MOSFET的導通電阻和導通電流。
伏安特性曲線和轉移特性曲線：MOSFET的伏安特性曲線和轉移特性曲線展示了其輸入輸出特性，即漏極電流（Id）與漏源極間電壓（VDS）的關系，以及柵源極間電壓（Ugs）與漏源極間電流（Id）的關系。
綜上所述，MOSFET的工作原理是通過柵極電壓來控制漏極和源極之間的電子溝道，從而實現(xiàn)對電流的控制和調節(jié)。
MOSFET是一種廣泛應用于電子和電路應用的半導體器件，具有開關和信號放大等功能。
MOS管輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等，在開關電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應加熱、逆變、焊機、通信電源等高頻電源領域廣泛應用。
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