高邊驅(qū)動
高邊驅(qū)動：開關(guān)位于電源和負載之間。
高邊驅(qū)動是指通過直接在用電器或者驅(qū)動裝置前通過在電源線閉合開關(guān)來實現(xiàn)驅(qū)動裝置的使能。高邊驅(qū)動形象點說，像在電路的電源端加了一個可控開關(guān)。高邊驅(qū)動就是控制這個開關(guān)的開關(guān)。
高邊驅(qū)動簡單理解：負載的一端默認與電路的負級即地保持連接，負載的另一端與開關(guān)連接，當開關(guān)導通時，負載的另一端與電源連接，負載開始工作，當開關(guān)與關(guān)斷時，負載的另一端與電源斷開，負載停止工作。高邊驅(qū)動（High Side Drivers），簡稱為HSD。
高邊驅(qū)動電路
P溝道增強型MOS晶體管和N溝道增強型MOS晶體管都可以用作高邊驅(qū)動，兩者的結(jié)構(gòu)和工作原理都有所不同。
PMOS管作高邊驅(qū)動時，當VGS < VTH，NMOS管打開導通，此時Vo輸出為高，可以驅(qū)動外部負載；當VGS > VTH，NMOS管關(guān)閉，此時Vo輸出為低，輸出端關(guān)閉。
當PMOS由打開到關(guān)閉的過程中，感性負載會一直放電，從而在下降過程中出現(xiàn)箝位。
圖：PMOS作高邊驅(qū)動
NMOS管作高邊驅(qū)動時，當VGS < VTH，NMOS管關(guān)閉，此時Vo輸出為低，輸出端關(guān)閉；當VGS > VTH，NMOS管打開導通，此時Vo輸出為高，可以驅(qū)動外部負載，而NMOS導通時，VS近似為UB，故而VG須大于UB（13V），這便需要一個Pump將輸入端的電壓提高，如圖所示。
圖：NMOS管作高邊驅(qū)動
測試高邊驅(qū)動時步驟基本和測試低邊驅(qū)動相同，區(qū)別的是根據(jù)不同類型MOS管，其控制導通和關(guān)斷的順序不致。
PMOS管制作工藝復雜，成本較高；而NMOS管作高邊驅(qū)動，為了有較高輸入電壓，還需額外增加一個Pump。
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