米勒效應，在電子學反相放大電路中，輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由于放大器的放大作用，其等效到輸入端的電容值會擴大1+K倍，其中K是該級放大電路電壓放大倍數(shù)。雖然一般密勒效應指的是電容的放大，但是任何輸入與其它高放大節(jié)之間的阻抗也能夠通過密勒效應改變放大器的輸入阻抗。簡單來說，就是放大電路中由于寄生電容的影響，導致的電路輸入阻抗改變的現(xiàn)象，最終的影響表現(xiàn)在電路的頻率響應發(fā)生改變。
MOS管的電容
輸入電容Ciss
DS短接，用交流信號測得的GS之間的電容，Ciss由GS電容和GD電容并聯(lián)而成，即Ciss=Cgs+Cgd，當輸入電容充電至閾值電壓，MOS管才打開，放電至一定的值，MOS管才關(guān)閉，所以Ciss和MOS管的開關(guān)時間有很大的關(guān)系。
輸出電容Coss
GS短接，用交流信號測得的DS之間的電容，Coss由GD電容和DS電容并聯(lián)而成，即Coss=Cgd+Cds。
反向傳輸電容Crss
S接地，GD之間的電容，即Crss=Cgd。
從MOS管的開關(guān)過程了解米勒效應
t0-t1：
當驅(qū)動開通脈沖加到MOSFET的G極和S極，等效于給輸入電容Ciss充電(由于Cgs>>Cgd，主要是為Cgs充電)，由于輸入電容的存在，VGS只能以一定的斜率上升，這也是限制MOS管開關(guān)速度的一個因素；VGS緩慢上升到VGS(th)，在這個過程中，MOS管一直處于關(guān)斷狀態(tài)，此時已有微小的電流流過；VDS的電壓保持VDD不變。
t1~t2：
當VGS達到VGS(th)，MOS開始導通，此時柵極電壓繼續(xù)給輸入電容Ciss充電，漏極開始流過電流ID，隨著VGS的上升，ID也逐漸增大，VDS仍然保持VDD；在功率MOS管的開關(guān)過程中，此階段功耗比較大，在VGP點達到最大，但持續(xù)時間相對較短。
t2~t3：
當VGS電壓達到VGP，ID達到最大值，VDS開始下降，CGD上的電壓也隨之減小，也就伴隨著CGD的放電，柵極電流基本上用于 CGD 的放電，使得MOSFET的柵極電壓基本保持不變，此時進入米勒平臺時期(米勒平臺就是對GS充電、放電過程中，VGS電壓保持不變的時間段)，米勒平臺的存在使得開關(guān)時間增長，開關(guān)損耗增大。
t3~t4：
CGD放電完成，米勒平臺結(jié)束，VDS繼續(xù)下降，ID保持不變，MOSFET基完全導通。
減小米勒效應對MOS開關(guān)速度帶來的影響，可以采取以下幾點措施：
選擇Cgd較小的MOS管；
提高驅(qū)動電壓，避免出現(xiàn)驅(qū)動電壓臨界于平臺電壓的現(xiàn)象；
增強控制信號的驅(qū)動能力；
降低VDD電壓。
MOS管開通過程米勒效應的應對措施
減緩驅(qū)動強度
a. 提高MOS管G極的輸入串聯(lián)電阻，一般該電阻阻值在1~100歐姆之間，具體值看MOS管的特性和工作頻率，阻值越大，開關(guān)速度越緩。
b. 在MOS管GS之間并聯(lián)瓷片電容，一般容量在1nF~10nF附近，看實際需求。調(diào)節(jié)電阻電容值，提高電阻和電容，降低充放電時間，減緩開關(guān)的邊沿速度，這個方式特別適合于硬開關(guān)電路，消除硬開關(guān)引起的振蕩，但是這兩種措施都會引起MOS損耗的上升，取值需要結(jié)合實際電路應用。
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