MOS管在開關(guān)狀態(tài)工作時(shí);Q1、Q2是輪流導(dǎo)通，MOS管柵極是在反復(fù)充電、放電的狀態(tài)，如果在此時(shí)關(guān)閉電源，MOS管的柵極就有兩種狀態(tài);一個(gè)狀態(tài)是;放電狀態(tài)，柵極等效電容沒(méi)有電荷存儲(chǔ)，一個(gè)狀態(tài)是;充電狀態(tài)，柵極等效電容正好處于電荷充滿狀態(tài)，如下圖A所示。
雖然電源切斷，此時(shí)Q1、Q2也都處于斷開狀態(tài)，電荷沒(méi)有釋放的回路，MOS管柵極的電場(chǎng)仍然存在(能保持很長(zhǎng)時(shí)間)，建立導(dǎo)電溝道的條件并沒(méi)有消失。這樣在再次開機(jī)瞬間，由于激勵(lì)信號(hào)還沒(méi)有建立，而開機(jī)瞬間MOS管的漏極電源(VDS)隨機(jī)提供,在導(dǎo)電溝道的作用下，MOS管即刻產(chǎn)生不受控的巨大漏極電流ID，引起MOS管燒壞。
為了避免此現(xiàn)象產(chǎn)生，在MOS管的柵極對(duì)源極并接一只泄放電阻R1，如下圖B所示，關(guān)機(jī)后柵極存儲(chǔ)的電荷通過(guò)R1迅速釋放，此電阻的阻值不可太大，以保證電荷的迅速釋放，一般在5K～數(shù)10K左右。
灌流電路主要是針對(duì)MOS管在作為開關(guān)管運(yùn)用時(shí)其容性的輸入特性，引起“開”、“關(guān)”動(dòng)作滯后而設(shè)置的電路，當(dāng)MOS管作為其他用途;例如線性放大等應(yīng)用，就沒(méi)有必要設(shè)置灌流電路。
實(shí)例應(yīng)用電路分析
初步的了解了以上的關(guān)于MOS管的一些知識(shí)后，一般的就可以簡(jiǎn)單的分析，采用MOS管開關(guān)電源的電路了。
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