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    MOS管導(dǎo)通損耗的計(jì)算方法介紹
    • 發(fā)布時(shí)間:2024-07-26 18:49:04
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    MOS管導(dǎo)通損耗的計(jì)算方法介紹
    MOS 管計(jì)算導(dǎo)通損耗時(shí),應(yīng)該用平均電流IAVG還是用電流有效IRMS值呢?
    MOS管導(dǎo)通損耗計(jì)算
    先定義下相關(guān)參數(shù),以便于后續(xù)的計(jì)算.
    IO -------------輸出電流
    IH-AVG-----------上MOS 管平均電流
    IL-AVG ---------下MOS 管平均電流
    IRMS(H) --------上MOS 管電流有效值
    IRMS(L) -----------下MOS 管電流有效值
    D ------------------上MOS 管占空比
    ΔI --------------電感紋波電流
    RON-H ---------上MOS 管導(dǎo)通電阻
    RON-L ---------下MOS 管導(dǎo)通電阻
    PON-H ---------上MOS 管導(dǎo)通損耗
    PON-L ---------下MOS 管導(dǎo)通損耗
    計(jì)算方法1: 基于平均電流
    MOS管導(dǎo)通損耗計(jì)算
    計(jì)算方法2: 基于電流有效值
    MOS管導(dǎo)通損耗計(jì)算
    下面是關(guān)于有效值和平均值的對(duì)比數(shù)據(jù),可以直觀的看出有效值比平均值大出很多.
    所以兩種方法計(jì)算出來(lái)的導(dǎo)通損耗也會(huì)差別很大,那么哪種方式是正確的呢?
    MOS管導(dǎo)通損耗計(jì)算MOS管導(dǎo)通損耗計(jì)算
    MOS 管導(dǎo)通時(shí),等效為一個(gè)電阻RDS(ON), 計(jì)算損耗時(shí)是通過積分來(lái)計(jì)算的,應(yīng)該用有效值來(lái)計(jì)算。
    MOS管導(dǎo)通損耗計(jì)算MOS管導(dǎo)通損耗計(jì)算
    由此可見,I 為有效值的計(jì)算公式, 所以計(jì)算時(shí)應(yīng)用電流有效值來(lái)計(jì)算MOS管的導(dǎo)通損耗.
    那么什么時(shí)候可以用平均電流來(lái)計(jì)算損耗呢?
    其實(shí)輸出整流二極管,MOS體二極管的導(dǎo)通損耗,則是用均值來(lái)計(jì)算的.
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