MOS管的工作狀態(tài)分為以下4個區(qū)域，以NMOS為例：
(1)截止區(qū)：
當VGS
(2)線性區(qū)：
當VGS>Vth, 且0
此時器件工作在線性區(qū)，有時也稱為三極管區(qū)，式中un為導(dǎo)電溝道中電子的遷移率。 Cox為單位面積的柵氧化層電容，tox為氧化層的厚度。 W和L分別為晶體管導(dǎo)電溝道的寬和長，VGS-Vth稱為過驅(qū)動電壓。
(3)飽和區(qū)：
當VGS>Vth, 且VDS>VGS-Vth時，溝道電流ID為
隨著VDS增大，當VGS-Vth=VDS時，漏極的反型層逐漸消失，出現(xiàn)預(yù)夾斷。 當VDS繼續(xù)增大，這夾斷點向源端移動，最終形成由耗盡層構(gòu)成的夾斷區(qū)，MOS管進入飽和區(qū)工作。 此時溝道兩端的電壓保持VDS-Vth，而VDS的增加部分降落到夾斷耗盡區(qū)內(nèi)，ID幾乎不變，達到最大。
(4)擊穿區(qū)
NMOS 管的漏極—襯底PN結(jié)由于VD過高被擊穿。
需要注意的是，對于PMOS器件來說，線性區(qū)和飽和區(qū)的漏極電流公式需要加負號，VGS，VDS和VGS-Vth都是負的。 由于空穴的遷移率是電子的一半，所以PMOS具有較低的“電流驅(qū)動”能力。 換句話說，在工程應(yīng)用中，只要有可能，我們應(yīng)該更加傾向于采用NFETs而不是PFETs。
NMOS管I/V特性曲線
這是NMOS管的I/V特性曲線，我們不難看出，
當VGS < Vth時，導(dǎo)電溝道未形成，故處于截止區(qū)。
當VGS >Vth, 且0 < VDS < VGS-Vth時，器件工作在線性區(qū)（三極管區(qū)）。
當VGS >Vth, 且VDS > VGS-Vth時，溝道電流ID基本不隨VDS的變化而變化。此時器件工作在飽和區(qū)。可以看到器件工作在飽和區(qū)時，漏極電流最大。
當VGS持續(xù)增大時，器件被擊穿。
MOSFET的跨導(dǎo)
跨導(dǎo)這個概念是怎么來的呢? 引入這個概念有什么意義呢?
由于在處理信號的過程中，我們要考慮電壓與電流的變化。 因此我們把這個參數(shù)定義為漏電流的變化量除以柵極電壓的變化量。 我們稱之為跨導(dǎo)(通常定義在飽和區(qū))，用gm表示。 跨到的單位是西門子(S)。
gm代表了器件的靈敏度，對于一個大的gm來講，VGS的微小的變化將會導(dǎo)致漏電流產(chǎn)生很大的變化。
結(jié)合在飽和區(qū)的漏電流的表達公式，gm也可以表示成這樣的表達式。 以上的每一個表達式，在研究gm隨某一個參數(shù)變化，其他參數(shù)保持恒定(控制變量)的特性都是有用的。
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