當(dāng)MOS管驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí),我們會(huì)使用推挽電路來放大電流,但是MOS管明明是壓控型器件,為什么要去考慮電流大小呢?
推挽工作原理:由電源IC發(fā)出占空比信號(hào),也就是這個(gè)方波,通過電阻限流到達(dá)三極管的基極:上管是npn下管是pnp。
當(dāng)信號(hào)為高電平輸出到達(dá)三極管基極時(shí),Q1導(dǎo)通,(npn在高電平時(shí)導(dǎo)通),隨后MOS管導(dǎo)通。
當(dāng)輸出低電平時(shí),上管Q1截止,Q2導(dǎo)通(pnp是低電平導(dǎo)通),隨后MOS管通過電阻放電到地,最后截止。
也就是說,通過兩個(gè)三極管輪流工作來進(jìn)行一推一挽,來達(dá)到推挽的功能。
這里的R1的作用是用來確定開機(jī)時(shí)候的初始電位,以防開機(jī)誤觸發(fā)mos管,以及關(guān)機(jī)放電。
那R2呢?有沒有小伙伴知道的在評(píng)論區(qū)解答一下~
通常會(huì)使用推挽電路是因?yàn)?,有時(shí)一些IC或者CPU的電流比較小,不足以驅(qū)動(dòng)MOS管,所以加入推挽來增加驅(qū)動(dòng)能力。
那為什么MOS管是壓控性器件,還需要考慮電流大小進(jìn)行驅(qū)動(dòng)?
這是一個(gè)IC直接驅(qū)動(dòng)電路:
首先需要從IC手冊(cè)中了解它最大的峰值驅(qū)動(dòng)電流(不同IC芯片驅(qū)動(dòng)能力不同),C1、C2決定了MOS管被驅(qū)動(dòng)時(shí) 的導(dǎo)通速度。
當(dāng)IC電流比較小時(shí),C1 C2會(huì)比較大,這時(shí)MOS管的驅(qū)動(dòng)速度會(huì)變慢,在有些電路中是不適應(yīng)的。
原因很簡(jiǎn)單,這是因?yàn)镸OS管的輸入電容CGS和CGD這兩個(gè)電容和芯片的面積有一定關(guān)系,MOS管本質(zhì)上雖然是壓控型器件,但柵極電位的上升與下降本質(zhì)上是對(duì)CGS、CGD電容的充放電速度。
因此當(dāng)MOS管驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí),就需要利用推挽來進(jìn)行放大電流了。
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