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電感充放電時(shí)間常數(shù)解析結(jié)合實(shí)際的電路分析一下電感的充放電時(shí)間常數(shù)。電感的充放電時(shí)間常數(shù)電感的充放電電路及時(shí)間曲線如圖 1 所示。圖
降低TVS管自身寄生電容介紹TVS管串聯(lián)二極管TVS管自身帶有寄生電容,同樣,二極管自身也帶有寄生電容,將 TVS管和二極管串聯(lián),其實(shí)就是將二
運(yùn)放參數(shù),運(yùn)放的輸出短路電流解析運(yùn)放的輸出短路電流是用來表明運(yùn)放輸出級(jí)輸入或灌入電流的能力,這一指標(biāo)表明了運(yùn)放的驅(qū)動(dòng)能力。一般的運(yùn)
運(yùn)放參數(shù)解析,軌至軌(rail to rail)輸出軌至軌輸出(rail to rail output)現(xiàn)在在低電壓運(yùn)放的中,很多都是軌至軌輸出。運(yùn)放的軌至軌輸
運(yùn)放參數(shù),軌至軌輸入(rail to rail input)介紹運(yùn)放的軌至軌輸入是指運(yùn)放的輸入端信號(hào)電壓能夠達(dá)到電源的兩個(gè)軌,并保持不失真,如上例輸
運(yùn)放的輸入輸出限制,信號(hào)失真解析運(yùn)放電路中,造成信號(hào)失真的因素有很多,運(yùn)放的輸入輸出限制就是其中之一,特別是非軌對(duì)軌(Rail to Rai
開關(guān)電源,開關(guān)頻率與負(fù)載電流對(duì)電感的影響介紹開關(guān)電源的交流電流、直流電流、峰值電流和電流紋波率與電感存在以下關(guān)系:交流電流與電感成
怎么提高開關(guān)電源效率,方法解析降低 MOSFET功率損耗降低 MOSFET功率損耗的直接途徑是:選擇低導(dǎo)通電阻 RDS(ON)、可快速切換的 MOSFET。
開關(guān)電源,電容的功率損耗與計(jì)算方法介紹電容的功率損耗電容在開關(guān)電源電路中主要起穩(wěn)壓、濾除輸入 輸出噪聲的作用。與理想的電容模型不同,
開關(guān)電源損耗之二極管的功率損耗解析二極管的功率損耗二極管作為開關(guān)元件,MOSFET 導(dǎo)通時(shí)二極管無電流流過,斷開時(shí)電流流經(jīng)回路2。因此,
開關(guān)電源,Buck變換器工作原理圖文介紹Buck變換器工作原理先來看一下 Buck變換器的工作原理,典型 Buck變換器的原理圖和關(guān)鍵波形如圖 1
MOSFET功率損耗,MOSFET的傳導(dǎo)損耗介紹MOSFET 作為開關(guān)元件,導(dǎo)通時(shí)電流流過圖 1 中的回路 1,斷開時(shí)無電流流過。因此,MOSFET 的功率