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運(yùn)放相位(頻率)補(bǔ)償電路設(shè)計(jì)介紹
2023-07-06
運(yùn)放相位(頻率)補(bǔ)償電路設(shè)計(jì)介紹集成運(yùn)放的內(nèi)部是一個(gè)多級(jí)放大器。其對(duì)數(shù)幅頻特性如圖1所示中的曲線①(實(shí)線)。對(duì)數(shù)幅頻特性曲線在零分貝以
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運(yùn)算放大器補(bǔ)償方法,米勒補(bǔ)償介紹
2023-07-05
運(yùn)算放大器補(bǔ)償方法,米勒補(bǔ)償介紹米勒電容(Miller capacitance)通常用于運(yùn)算放大器頻率補(bǔ)償?shù)姆椒ㄖ小Ｄ壳白顝V泛使用的頻率補(bǔ)償技術(shù)稱(chēng)為米
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MOS管電路經(jīng)典應(yīng)用,IIC雙向level shift介紹
2023-07-05
MOS管電路經(jīng)典應(yīng)用,IIC雙向level shift介紹在電路設(shè)計(jì)中，電平轉(zhuǎn)換電路是不可缺少的部分。在供電方面，除了系統(tǒng)供電以外，其他很多情況都
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MOSFET level shift電路解析
2023-07-05
MOSFET level shift電路解析在電路設(shè)計(jì)中，常常會(huì)出現(xiàn)發(fā)送接收兩方的信號(hào)電平不匹配的情況，例如在I2C bus上，處理器電平一般是1 8V，但
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SiC MOSFET SPICE模型的對(duì)比圖文介紹
2023-06-29
SiC MOSFET SPICE模型的對(duì)比圖文介紹一些SiC MOSFET制造廠商提供SiC器件的SPICE模型，從而可以評(píng)估SiC器件在電力電子變換電路中的表現(xiàn)。
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TTL門(mén)與MOS門(mén)懸空輸入介紹
2023-06-29
TTL門(mén)與MOS門(mén)懸空輸入介紹TTLTTL電路中的TTL是Transistor-Transistor-Logic的英文縮寫(xiě)，指的是晶體管邏輯電路，即TTL門(mén)是又三極管組成的。
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MOSFET電路模型構(gòu)建圖文介紹
2023-06-29
MOSFET電路模型構(gòu)建圖文介紹MOSFET電路模型的構(gòu)建MOSFET在不同應(yīng)用場(chǎng)合使用的電路模型是不同的，要搞懂MOSFET作為數(shù)字開(kāi)關(guān)和模擬放大中的左
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電源設(shè)計(jì),SPICE熱模型及實(shí)例介紹
2023-06-28
電源設(shè)計(jì),SPICE熱模型及實(shí)例介紹圖 1：傳統(tǒng) SPICE 模型和熱模型熱模型通常，熱模型在仿真中較慢，因?yàn)槌苏ｋ姎夂碗娮有袨榈挠?jì)算之外
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MOSFET的SPICE子電路模型介紹
2023-06-28
MOSFET的SPICE子電路模型介紹子電路模型是電路的模型，在模型中含有電路連接信息和器件模型等。上面是Nch MOSFET和二極管組合的子電路模型
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光耦合MOSFET,固態(tài)繼電器圖文解析
2023-06-28
光耦合MOSFET,固態(tài)繼電器圖文解析光耦MOSFET是一種全固態(tài)繼電器，由輸入側(cè)的發(fā)光二極管（LED）和觸點(diǎn)的MOSFET組成。因此，通常將其稱(chēng)為SSR
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MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻Rg的計(jì)算,選取解析
2023-06-25
MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻Rg的計(jì)算,選取解析對(duì)于電機(jī)驅(qū)動(dòng)來(lái)說(shuō)，MOSFET是實(shí)現(xiàn)電流輸出的關(guān)鍵器件，MOS驅(qū)動(dòng)電路作為控制電路和功率電路的接口，其作用至
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SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)與原理介紹
2023-06-25
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)與原理介紹驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)基本要求SiC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的基本要求主要有:①驅(qū)動(dòng)電流要足夠大，以縮短米勒平臺(tái)