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NMOS開關(guān)電路,NMOS開關(guān)電路設(shè)計(jì)圖解
  • 發(fā)布時(shí)間:2024-04-25 20:41:12
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NMOS開關(guān)電路,NMOS開關(guān)電路設(shè)計(jì)圖解
NMOS開關(guān)電路一
NMOS低側(cè)電源開關(guān)
使用NMOS,最簡(jiǎn)單的開關(guān)電路,低側(cè)驅(qū)動(dòng)。
NMOS開關(guān)電路
CONTROL為控制信號(hào),電平一般為3~12V。負(fù)載一端接電源正極,另一端接NMOS的D(漏極)。
CONTROL電平為高時(shí),Vgs>NMOS的Vgs導(dǎo)通閥值,MOS導(dǎo)通,負(fù)載工作。
CONTROL電平為低時(shí),Vgs=0,MOS關(guān)斷,負(fù)載停機(jī)。
NMOS開關(guān)電路二
典型的NMOS開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路
NMOS開關(guān)電路
R25/100R 的作用:
防止振蕩
減少柵極充電的峰值電壓
保護(hù)NMOS管的D-S極不被擊穿
防止震蕩,GPIO口輸出端可能有些雜散的電感,在電壓突變的情況下,可能會(huì)產(chǎn)生LC振蕩,當(dāng)我們加入R25之后,會(huì)提高阻尼減少振蕩。
減少柵極充電的峰值電壓,當(dāng)柵極的電壓拉高,首先對(duì)柵極的寄生電容進(jìn)行充電,I=Q/t。充電的峰值電流可能大于GPIO的輸出能力,為了保護(hù)IC,添加R25之后,可能有效的增長(zhǎng)充電的時(shí)間,進(jìn)而減小充電時(shí)候的電流。
從導(dǎo)通到截止?fàn)顟B(tài),VDS電壓迅速增加,如果dVDS/dt過(guò)大,可能會(huì)燒壞器件,R17的存在可以讓柵極電容緩慢放電,從而保護(hù)mos管。
R26 10K的作用:下拉型抗干擾電阻,GPIO輸出狀態(tài)下,在Nmos端,可以看出mos端處于一個(gè)高阻態(tài)或者懸浮的一個(gè)狀態(tài),為了避免意外打開mos管,加上了個(gè)10k下拉。
NMOS開關(guān)電路三
NMOS開關(guān)電路
這是一個(gè)常用的NMOS低側(cè)開關(guān),平時(shí)G極被電阻拉至GND電平,處于關(guān)閉狀態(tài)。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓高于GND時(shí),MOS打開。
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