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cmos電平,cmos電平與ttl電平轉(zhuǎn)換介紹
2024-05-10
cmos電平,cmos電平與ttl電平轉(zhuǎn)換介紹CMOS電平是在CMOS邏輯電路中用來(lái)表示邏輯狀態(tài)的一種電壓水平。CMOS電路利用NMOS和PMOS這兩種互補(bǔ)類(lèi)型的
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x電容和y電容詳解,x電容和y電容的作用,區(qū)別介紹
2024-05-10
x電容和y電容詳解,x電容和y電容的作用,區(qū)別介紹電容器是電路中常見(jiàn)的元件之一，用于存儲(chǔ)電荷。X電容和Y電容都是安規(guī)電容，區(qū)別是X電容接在
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新型鋰電池5分鐘內(nèi)完成充電詳解
2024-05-10
新型鋰電池5分鐘內(nèi)完成充電詳解鋰離子電池是目前最受歡迎的為電動(dòng)汽車(chē)和智能手機(jī)供電的方式之一。鋰電池重量輕、可靠且相對(duì)節(jié)能，但它們往
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開(kāi)關(guān)電源分析,電路組成,工作原理圖解析
2024-05-10
開(kāi)關(guān)電源分析,電路組成,工作原理圖解析開(kāi)關(guān)模式電源（Switch Mode Power Supply，簡(jiǎn)稱(chēng)SMPS），又稱(chēng)交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器，是一種高頻
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mos管的gidl效應(yīng),MOSFET泄漏電流解析
2024-05-10
mos管的gidl效應(yīng),MOSFET泄漏電流解析MOS管的GIDL效應(yīng)是指在柵極電壓較高的情況下，絕緣層下的溝道區(qū)域會(huì)發(fā)生漏電現(xiàn)象的現(xiàn)象。這種現(xiàn)象是由
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MOS管泄漏電流,各種漏電流,減小泄露方法介紹
2024-05-10
MOS管泄漏電流,各種漏電流,減小泄露方法介紹理想的MOS晶體管不應(yīng)該有任何電流流入襯底或者阱中，當(dāng)晶體管關(guān)閉的時(shí)候D S之間不應(yīng)該存在任何
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純電阻電路,公式,和非純電阻電路的區(qū)別詳解
2024-05-10
純電阻電路,公式,和非純電阻電路的區(qū)別詳解純電阻電路是指電流通過(guò)導(dǎo)體時(shí)，因?qū)w的電阻把電能轉(zhuǎn)化為熱能的電路。純電阻電路是除電源外，只
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B值是什么,熱敏電阻的B值介紹
2024-05-09
B值是什么,熱敏電阻的B值介紹熱敏電阻B值B值是熱敏電阻器的材料常數(shù)，即熱敏電阻器的芯片（一種半導(dǎo)體陶瓷）在經(jīng)過(guò)高溫?zé)Y(jié)后，形成具有一
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單結(jié)晶體管符號(hào),原理,單結(jié)晶體管觸發(fā)電路介紹
2024-05-09
單結(jié)晶體管符號(hào),原理,單結(jié)晶體管觸發(fā)電路介紹單結(jié)晶體管介紹單結(jié)晶體管（UJT）又稱(chēng)基極二極管，是一種只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半
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bat54c參數(shù),bat54c 5V轉(zhuǎn)3.3V,bat54c電路圖解
2024-05-09
bat54c參數(shù),bat54c 5V轉(zhuǎn)3 3V,bat54c電路圖解bat54c參數(shù)直流反向耐壓(Vr): 30V平均整流電流(Io): 200mA正向壓降(Vf): 1V @ 100mA反向
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串聯(lián)電路電壓,串聯(lián)電路電壓公式,規(guī)律詳解
2024-05-09
串聯(lián)電路電壓,串聯(lián)電路電壓公式,規(guī)律詳解串聯(lián)電路電壓規(guī)律串聯(lián)電路的總電壓等于各部分電路兩端電壓之和。串并聯(lián)電路的電壓規(guī)律是電路連接的
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延時(shí)電路圖,555延時(shí)電路圖設(shè)計(jì)介紹
2024-05-09
延時(shí)電路圖,555延時(shí)電路圖設(shè)計(jì)介紹觸摸延時(shí)電路圖這個(gè)觸摸延時(shí)電路圖簡(jiǎn)單實(shí)用，電路原理：延遲開(kāi)關(guān)電路見(jiàn)圖D1—D1，SCR組成開(kāi)關(guān)的主回路，B