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平帶電壓詳解,MOS平帶電壓圖文介紹
2024-05-09
平帶電壓詳解,MOS平帶電壓圖文介紹平帶電壓一塊單純的半導(dǎo)體，它的能帶各處都一樣，所以在空間分布上，能帶沒有彎曲，也就是平的。當(dāng)一塊金
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正向恢復(fù)時(shí)間與反向恢復(fù)時(shí)間解析
2024-05-09
正向恢復(fù)時(shí)間與反向恢復(fù)時(shí)間解析正向恢復(fù)時(shí)間正向恢復(fù)時(shí)間的定義：從二極管反向截止?fàn)顟B(tài)到指定的正向?qū)顟B(tài)所需要的時(shí)間。正向恢復(fù)時(shí)間產(chǎn)
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單片機(jī)的工作原理,單片機(jī)的作用介紹
2024-05-08
單片機(jī)的工作原理,單片機(jī)的作用介紹單片機(jī)是由微處理器、存儲(chǔ)器、輸入輸出接口、定時(shí)計(jì)數(shù)器、模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器等多種功能模塊組成的微型計(jì)算
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rcd電路,剩余電流保護(hù)器(RCD)介紹
2024-05-08
rcd電路,剩余電流保護(hù)器(RCD)介紹剩余電流動(dòng)作保護(hù)裝置（RCD）是具有漏電保護(hù)功能的開關(guān)設(shè)備，當(dāng)電氣線路和電氣設(shè)備發(fā)生單相接地故障時(shí)，利
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影響MOS管開關(guān)速度的因素,米勒效應(yīng)詳解
2024-05-08
影響MOS管開關(guān)速度的因素,米勒效應(yīng)詳解米勒效應(yīng)，在電子學(xué)反相放大電路中，輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由于放大器的放大作用，其等
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升壓電路原理,場(chǎng)效應(yīng)管升壓電路圖解析
2024-05-08
升壓電路原理,場(chǎng)效應(yīng)管升壓電路圖解析升壓電路原理分析舉例：有一個(gè)12V的電路，電路中有一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管需要15V的驅(qū)動(dòng)電壓，這個(gè)電壓怎么弄出
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圖騰柱電路,圖騰柱驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)介紹
2024-05-08
圖騰柱電路,圖騰柱驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)介紹圖騰柱介紹圖騰柱就是上下各一個(gè)三極管，上管為NPN，c極(集電極)接正電源，下管為PNP，c極(集電極)接地
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動(dòng)態(tài)功耗分析,降低動(dòng)態(tài)功耗的方法介紹
2024-05-08
動(dòng)態(tài)功耗分析,降低動(dòng)態(tài)功耗的方法介紹功耗功耗 = 靜態(tài)功耗 + 動(dòng)態(tài)功耗 = 靜態(tài)功耗 + 轉(zhuǎn)換功耗 + 短路功耗功耗源功耗的本質(zhì)是
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MOS管散熱,MOSFET頂部散熱封裝介紹
2024-05-08
MOS管散熱,MOSFET頂部散熱封裝介紹由于器件的引線框架（包括裸露漏極焊盤）直接焊接到覆銅區(qū)，這導(dǎo)致熱量主要通過PCB進(jìn)行傳播。而器件的其
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mos管vgs怎么測(cè),?MOS管VGS電壓測(cè)量介紹
2024-05-07
mos管vgs怎么測(cè),MOS管VGS電壓測(cè)量介紹測(cè)試方法（以NMOS為案例）：手拿MOS管，將有絲印的一面朝自己，從左至右為GDS。MOS測(cè)試前的準(zhǔn)備：1 測(cè)
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mos管測(cè)試儀自制,mos管測(cè)試儀電路圖解析
2024-05-07
mos管測(cè)試儀自制,mos管測(cè)試儀電路圖解析MOS管的工作原理和三極管比較類似，MOS管的柵極相當(dāng)于三極管的基極，只需要在它的柵極給一個(gè)高電平
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MOS管,mos管怎么測(cè)試好壞,快速判斷
2024-05-07
MOS管,mos管怎么測(cè)試好壞,快速判斷一、從外觀上進(jìn)行初步檢查首先看管子有無裂紋，其次看絕緣層是否完整，優(yōu)質(zhì)的MOS管應(yīng)該具有光滑平整的表