您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)!
- 收藏?zé)@芯微
- 手機(jī)訪問(wèn)
掃一掃訪問(wèn)手機(jī)網(wǎng)站 - 在線留言
- 網(wǎng)站地圖
傳真:
18923864027
QQ:
709211280
地址:
深圳市福田區(qū)振中路84號(hào)愛華科研樓7層
雙柵MOS場(chǎng)效應(yīng)管特性與應(yīng)用,圖文知識(shí)解析雙柵MOS場(chǎng)效應(yīng)管特性及應(yīng)用雙柵MOS場(chǎng)效應(yīng)管(以下簡(jiǎn)稱雙柵管)是一種新型的高頻低噪聲放大器件,其突
MOS管知識(shí),V-MOS場(chǎng)效應(yīng)管功放工作原理介紹(一)V-MOS場(chǎng)效應(yīng)管功放:電路工作原理V-MOS場(chǎng)效應(yīng)管功放由輸入、激勵(lì)和功率放大三級(jí)構(gòu)成,級(jí)間采用
晶圓是什么-MOS管晶圓性能參數(shù)知識(shí)介紹MOS管晶圓是什么晶圓是指制作硅半導(dǎo)體積體電路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)N、P溝道區(qū)分與導(dǎo)通條件詳解場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)N、P溝道區(qū)分與導(dǎo)通條件場(chǎng)效應(yīng)管N、P溝道區(qū)分及導(dǎo)通:如何區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管是N溝
MOS集成電路的功能知識(shí)分析MOS集成電路的功能(1)放大MOS晶體管作為有源元件,本來(lái)就是用作放大元件的。在圖3 15所示的互補(bǔ)型電路中,P溝道
MOS管知識(shí)-MOS集成電路的檢測(cè)注意事項(xiàng)介紹MOS集成電路的檢測(cè)注意事項(xiàng)(1)MOS集成電路檢測(cè)的一般注意事項(xiàng)以往在購(gòu)進(jìn)晶體管,二極管等元件時(shí),
場(chǎng)效應(yīng)管小知識(shí)-場(chǎng)效應(yīng)管高頻電路解析場(chǎng)效應(yīng)管高頻電路MOS場(chǎng)效應(yīng)管的高頻特性正在逐年提高,它的實(shí)用頻率已擴(kuò)展到甚高頻乃至超高頻段。一般
MOS管為什么會(huì)炸裂-原因就在這里MOS管炸裂原因我們知道開關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。MOS管炸裂原因:開關(guān)器件長(zhǎng)
MOS管工藝-CMOS工藝詳解CMOS工藝詳細(xì)解析CMOS工藝與NMOS(或PMOS)工藝不同之處是要在同一個(gè)襯底上同時(shí)制造出n-溝和p-溝晶體管。在NMOS工藝中
單場(chǎng)效應(yīng)管功率放大器圖解析場(chǎng)效應(yīng)管功率放大器微弱的信號(hào)經(jīng)過(guò)小信號(hào)放大器(或稱前置放大器)逐級(jí)放大后,去控制某些執(zhí)行機(jī)構(gòu),如喇叭、繼電
解析雙場(chǎng)效應(yīng)管推挽功率放大器知識(shí)圖解雙場(chǎng)效應(yīng)管推挽功率放大器由于單場(chǎng)效應(yīng)管功率放大器存在效率低、輸出功率小等缺點(diǎn),所以我們必須在提
高速M(fèi)OS驅(qū)動(dòng)應(yīng)用指南詳情解析高速M(fèi)OS驅(qū)動(dòng)應(yīng)用指南高速M(fèi)OS驅(qū)動(dòng)應(yīng)用:雙極晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管有著相同的工作原理。從根本上說(shuō),,兩種類型晶