您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)!
- 收藏?zé)@芯微
- 手機(jī)訪問(wèn)
掃一掃訪問(wèn)手機(jī)網(wǎng)站 - 在線留言
- 網(wǎng)站地圖
傳真:
18923864027
QQ:
709211280
地址:
深圳市福田區(qū)振中路84號(hào)愛(ài)華科研樓7層
MOS管知識(shí)-MOS管電容特性分析MOS管電容特性-動(dòng)態(tài)特性從圖九可以看出功率管的寄生電容分布情況,電容的大小由功率管的結(jié)構(gòu),材料和所加的電壓
MOS管知識(shí)-硅柵MOS結(jié)構(gòu)詳細(xì)解析硅柵MOS結(jié)構(gòu)詳細(xì)解析硅柵MOS結(jié)構(gòu):在MOS-IC的早期產(chǎn)品中,廣泛使用金屬AI作為柵極。例如上世紀(jì)60年代中期第一
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管基本放大器工作原理解析結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管基本放大器工作原理我們知道,根據(jù)導(dǎo)電溝道的不同,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有N溝道和P溝道之分。因此,
解析MOS晶體管的最高頻率知識(shí)分析MOS晶體管的最高頻率MOS晶體管在工作頻率增高到一定值以后,它的特性就將隨著頻率的增高而變壞。MOS管的最
CMOS知識(shí)介紹-解析CMOS電路中的阱CMOS電路中的阱在CMOS電路的工藝結(jié)構(gòu)中,應(yīng)用在襯底上形成反型的阱是一大特點(diǎn)。已有的多種CMOS電路阱的類(lèi)別
分析短溝道效應(yīng)-MOSFET的短溝道效應(yīng)MOSFET的短溝道效應(yīng)當(dāng)MOS晶體管的溝道長(zhǎng)度小到可以和漏結(jié)及源結(jié)的耗盡層厚度相比擬時(shí),會(huì)出現(xiàn)一些不同于
光敏電阻器件的測(cè)試特性曲線圖解光敏電阻是用硫化鎘或硒化鎘等半導(dǎo)體材料制成的特殊電阻器,其工作原理是基于內(nèi)光電效應(yīng)。光照愈強(qiáng),阻值就
電壓穩(wěn)壓器lm317應(yīng)用電路圖匯總-十二款lm317典型應(yīng)用電路電壓穩(wěn)壓器lm317應(yīng)用電路圖一:這個(gè)電路是LM317最基本的應(yīng)用電路,在使用的過(guò)程中
電容器在不同電路中的名稱(chēng)和意義電容器在電子電路中幾乎是不可缺少的儲(chǔ)能元件,它具有隔斷直流、連通交流、阻止低頻的特性。廣泛應(yīng)用在耦合
上拉電阻的一些選擇規(guī)則(一)上拉電阻:1、當(dāng)TTL電路驅(qū)動(dòng)COMS電路時(shí),如果TTL電路輸出的高電平低于COMS電路的最低高電平(一般為3 5V),這
恒流電路的解析(一)在這里分析一個(gè)簡(jiǎn)單的LED恒流電路,軟件采用Multisim進(jìn)行波形采集一、元器件R1為80KΩ左右的金屬膜電阻;Q選取耐壓
三端穩(wěn)壓各類(lèi)反向擊穿情況的分析和防護(hù)集成穩(wěn)壓器‘應(yīng)用測(cè)試過(guò)程’中,任意兩個(gè)管腳之間嚴(yán)格禁止出現(xiàn)瞬態(tài)的‘反偏’狀